柠檬酸淀粉酯辅助浸出低品位菱锰矿中的锰研究

通过酯化交联,合成柠檬酸淀粉酯,应用于电解锰行业低品位菱锰矿的浸出,研究了柠檬酸淀粉酯用量、酯化取代度、反应温度、反应时间等对锰浸出率的影响。研究结果表明,柠檬酸淀粉酯可显著提高锰浸出率,锰的浸出率可以达到97.42%,较常规酸浸,浸出率提高8.35%。柠檬酸淀粉酯辅助浸出的最佳工艺条件为:浸出50 g原矿,取代度DS=0.2柠檬酸淀粉酯用量为0.5 g,酸矿比为0.7,液固比为8∶1 m L/g,反应时间4 h,浸出温度55℃。     

基于区间犹豫模糊语言集的水资源多目标决策

以鄂北水资源配置工程为对象,研究大型调水工程背景下的多水源多目标优化配置。将鄂北地区水库分为充蓄水库、补偿水库与在线水库等3类,根据各类水库特点对鄂北水资源配置工程进行系统概化,建立以年缺水量最小和调水成本最低为目标函数的多水源多目标优化配置模型。采用权重系数法进行求解得到非劣解集。最后采用基于区间犹豫模糊语言与TOPSIS的多目标决策方法对各方案的缺水量与调水量作出评价并遴选出最优方案。研究结果表明:对鄂北水资源配置工程而言,缺水量与调水量的权重比为7∶3的方案综合评价最优,重视缺水的同时兼顾调水成本;基于区间犹豫模糊语言集与TOPSIS的水资源多目标决策方法经本文实例验证具有较高的稳定性与可行性。     

管坯形状对5052铝合金三通管液压成形金属流动及壁厚均匀性的影响

采用Dynaform有限元软件建立三通管液压成形CAE分析模型,研究液压成形过程中的金属流动规律,发现管端两侧金属材料运动最为剧烈,含支管侧上半部管坯材料轴向运动位移较大,离管件中心越近直管底部材料轴向运动位移越小。针对液压成形中三通管壁厚不均问题,提出利用几何映射设计并优化的斜口管坯,采用有限元模拟及实验验证方法对尺寸为Φ45 mm×28 mm,厚为1. 5 mm的5052铝合金管材成形性进行验证。结果表明:与传统管坯设计相比,优化的斜口管坯由于接触面积减小,从而使摩擦减小,改善了材料的流动性,使得成形件最大增厚率由40%降低到26%,壁厚均匀性明显提高。     

固体表面润湿改性方法及应用

固体表面润湿行为涉及工业生产和人们生活的诸多领域,研究固体表面润湿行为及其润湿性能的调控方法具有重要意义。本文对前人关于固体表面润湿性能的研究进行了总结,介绍了固体表面润湿改性方法及其应用。     

锂空气电池用离子液体基复合电解液的性能

针对运行过程中有机电解液易挥发导致电池失效的现象,设计一种适用于锂空气电池的复合电解质材料。采用离子液体1-乙基-3-甲基咪唑四氟硼酸盐([Emim]BF_4)与碳酸酯类(EC+EMC+DMC)作为主体溶剂,亲水型LiBF_4与疏水型LiPF_6作为溶质,四氟硼酸螺环季铵盐作为添加剂制备复合电解液。组装的锂空气电池在低电流密度(0.01 mA/cm~2)下表现出较好的电化学性能,放电比容量可达2 960 mAh/g,比能量达到6 810 Wh/kg。     

某国税局综合业务大厅高支模施工技术

结合工程实例,针对现场高大模板不能按常规搭设的实际情况制定、调整实施方案,落实施工技术措施。     

钛微合金化和冷却工艺对建筑用钢屈服平台的影响

选取3种成分的建筑结构用钢,设计不同的层流冷却方式进行工业试制,分析化学成分、冷却速率对建筑用钢屈服平台长度的影响。结果表明:不同化学成分、不同工艺处理建筑用钢的屈服强度和抗拉强度由大到小的顺序为:钛微合金化钢、超快冷钢、稀疏冷却钢。稀疏冷却建筑用钢具有明显的屈服平台,Ae值2.0%,而超快冷钢和稀疏冷却Ti微合金钢基本无屈服平台,Ae大部分为0。对比3种试验钢的全拉伸曲线及其积分面积,稀疏冷却钢的全拉伸曲线的积分面积大于超快冷钢和钛微合金化钢,证明稀疏冷却钢吸收变形能量的能力大于超快冷钢和钛微合金化钢。     

基于模型特征优化钛合金热成形试验研究

钛合金钣金支架件因局部形状突变,成形困难易起皱。采用数值模拟,分析了毛坯形状、模具尺寸对零件起皱缺陷的影响。利用零件展开逆向修正优化,结合试验,在原毛坯缺口处设计有开口的新毛坯;考虑模具材料与钛合金线热膨胀系数差,设计模具尺寸,并进行了650、660、670和680℃下的热成形试验。结果表明,在板料变形集中处开口,能消除成形中起皱缺陷;成形温度影响零件成形品质,温度低、起皱未完全消除;温度高,表面优化加重,成本高,最佳成形温度为670℃。     

Impacts of test factors on heavy ion single event multiple-cell upsets in nanometer-scale SRAM

Single event multiple-cell upsets (MCU) increase sharply with the semiconductor devices scaling. The impacts of several test factors on heavy ion single event MCU in 65 nm SRAM are studied based on the buildup of MCU test data acquiring and processing technique, including the heavy ion LET, the tilt angle, the device orientation, the test pattern and the supply voltage; the MCU physical bitmaps are extracted correspondingly. The dependencies of parameters such as the MCU percentage, MCU mean and topological pattern on these factors are summarized and analyzed. This work is meaningful for developing a more reasonable single event test method and assessing the effectiveness of anti-MCU strategies on nanometer-scale devices.