双稳态膜片的有限元分析与实验研究

双稳态结构是降低微流体器件功耗的有效手段,使膜片获得双稳态结构往往需要对材料进行热处理。文中提出了一种不需要进行材料热处理,通过将圆形膜嵌入半径相对较小的圆形槽从而使膜片达到双稳态效果的方法。基于聚丙烯材料,对设计和制作的双稳态结构的初始挠度、开关压强及密封能力进行了有限元分析。结果显示,当槽半径为19.75 mm,膜片半径较槽半径大100μm时,膜片能够在其中心半径为0.5 mm的区域密封600 kPa以上的入口压力,而膜片的开关压强约为5.2 kPa。通过实验测量了膜片中心变形随压强的变化及实际开关压强的大小,实验结果与仿真结果吻合较好。最后就结构制造精度对初始挠度、开关压强及密封压强的影响进行了分析。     

基于FPGA的LCoS显示驱动系统的设计与实现

研究了硅基液晶(LCoS)场序彩色显示驱动系统的设计与实现。该系统以FPGA作为主控芯片,用两片高速DDR2SDRAM作为帧图像存储器。通过对图像数据以帧为单位进行处理,系统将并行输入的红、绿、蓝数据转换成串行输出的红、绿、蓝单色子帧。将该驱动系统与投影光机配合,实现了分辨率为800×600的LCoS场序彩色显示。     

深亚微米SRAM电流感应电路的分析和优化*

本文对随机掺杂浮动效应下传统的电流感应电路的可靠性做了定量的分析。主要考虑了晶体管尺寸、控制信号的下降时间和特定晶体管的阈值电压三方面对电流感应电路可靠性的影响。在这个基础上,我们做了最终的优化来提高电流灵敏放大器的可靠性。在90纳米工艺下,仿真结果显示最终优化后的电流感应电路的失败率能够比优化前减少百分之八十,而延时只是稍微增加一点。     

何必单恋基金

2007年对于中国资本市场的发展无疑具有里程碑式的意义,中国股市在这一年创下了多项纪录,也一扫过去多年的阴霆。股市大涨为居民百姓带来巨大的财富,很多人一年便实现了过去十年甚至二十年的财富积累。与此同时,财富增值所带来的更大影响是对居民投资理财观念的冲击,于是一个个异像不断出现:银行储蓄大搬家,股市     

粗糙金属表面光条中心提取方法

为了精确提取粗糙金属表面的光条中心,提出了一种基于光切法的光刀条纹中心提取方法.从图像形态学角度出发,分析了图像的噪声来源,利用图像增强处理将噪声转化成颗粒状形态,并保持有效光条的连续条纹状特征.然后,通过对图像连通区域面积计数,分割噪声和有效光条信息,将得到的二值化光条图像作为掩模板,与原图像相乘来复原光条图像的灰度...     

SVGA OLEDoS 微显示驱动电路的实现

本文提出了一种分辨率为800?600硅基有机发光二极管(Organic-Light-Emitting-Diode -on-Silicon, OLEDoS)像素驱动电路。采用亚阈值驱动的像素单元电路工作电流范围为170pA到11.4nA。为了保证列总线的电压维持在一个比较高的值,采样保持电路采用“乒乓”操作。驱动电路采用已经商业可用的0.35μm 2P4M的CMOS 混合信号工艺进行制备。像素单元面积大小是15*15μm2,整个芯片的尺寸为15.5?12.3mm2。实验结果表明芯片能在刷新频率为60Hz下正常工作,并且能实现64阶灰度（单色）显示。在3.3V供电电压下整个芯片的功耗大约为85毫瓦。     

创新思维在建筑工程管理中的应用探讨

建筑工程管理的水平直接影响着建筑物的质量与安全,为此在建筑工程建设中工程管理占据着关键地位。为此,建筑企业必须将自身工程项目管理的水平加以进一步提升,在极大程度上促进建筑工程质量的完善。在建筑工程管理中应用创新思维,对建筑工程管理的模式及思维进行有效改善,以此来进一步提升思维模式所带来的创新改变。     

Analysis and optimization of current sensing circuit for deep sub-micron SRAM

A quantitative yield analysis of a traditional current sensing circuit considering the random dopant fluctuation effect is presented.It investigates the impact of transistor size,falling time of control signal CS and threshold voltage of critical transistors on failure probability of current sensing circuit.On this basis,we present a final optimization to improve the reliability of current sense amplifier.Under 90 nm process,simulation shows that failure probability of current sensing circuit can be reduced by 80%after optimization compared with the normal situation and the delay time only increases marginally.