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1.
2.
利用膨胀仪测定1 000 MPa级低碳高强钢临界点及CCT曲线,研究不同冷速对试验钢显微组织的影响。结果表明:在0.5~1℃/s冷速范围内,试验钢得到单一粒状贝氏体组织;在2~15℃/s冷速范围内,得到粒状贝氏体、板条贝氏体和马氏体的混合组织;在20~80℃/s的冷却速度范围内,得到板条贝氏体和马氏体的混合组织。以测定CCT曲线为参考依据制定调质工艺,试验钢经过调质后获得优异的综合力学性能。  相似文献   
3.
泡辣椒发酵过程中质构劣化规律及其影响因素研究   总被引:2,自引:0,他引:2  
该研究考察了泡辣椒在发酵过程中质构、微生物数量、理化特性的变化规律,并在此基础上,进一步采用皮尔逊相关性分析法探讨微生物数量、理化特性与产品质构之间的相关性。结果表明,泡辣椒发酵过程中硬度和咀嚼性下降,脆度上升。在发酵前2天,乳酸菌及真菌迅速增殖,pH值迅速下降,总果胶酶活力升高;发酵2 d后,乳酸菌数量、pH值趋于稳定,真菌逐渐消失,总果胶酶活力迅速下降后趋于稳定。在酸和盐的共同作用下,泡辣椒释放自由水,水分含量降低,同时部分自由水逐渐转化为不易移动水,导致产品水分活度(Aw)下降。相关性分析结果表明,泡辣椒硬度、脆度和咀嚼性质构指标的变化主要与总果胶酶活力、水分含量及水分存在状态显著相关。  相似文献   
4.
常温常压下,在三相气升式内环流反应器中,将硅铝球、石英砂和瓷球分别与空气、水组成三相物系,考察了细颗粒与大颗粒物系中上升区相含率轴向分布规律、固体装载率和颗粒粒径对该规律的影响,以及各物系中上升区循环液速随表观气速的变化规律。结果表明:随轴向高度的增加,瓷球物系中上升区固含率εsr先增大后减小;硅铝球物系中εsr减小;石英砂物系中εsr均匀分布。随轴向高度的增加,瓷球物系中上升区气含率εgr增大;硅铝球物系中εgr减小;石英砂物系中εgr先增大后减小。固定表观气速,各轴向位置处的上升区气含率随固体装载率、颗粒粒径的增大而增大。当固体装载率相同时,各物系中上升区循环液速随表观气速的增大而增大。  相似文献   
5.
赵楠  郑英  刘春娥 《矿产勘查》2019,10(12):2893-2898
青海省格尔木市五龙沟—金水口地区地层属秦祁昆地层大区——东昆仑—柴达木地层区。出露地层为古元古界金水口岩群、中元古界小庙岩组和奥陶系祁漫塔格群。其中金水口岩群为变质基底岩系,小庙岩组属似盖层沉积,祁漫塔格群为沉积盖层,新生代沉积了第四纪地层。文章对五龙沟—金水口地区地层分布特征进行了分析研究,为该区下一步的勘探工作提供必要的地质参考依据。  相似文献   
6.
赵楠  韩应军 《山西建筑》2007,33(15):268-269
为了加强施工成本控制,健全成本管理责任制,确定了施工企业目标的成本,介绍了目标成本管理实施应遵循的原则,提出了目标成本控制的有效方式,从而提高经济效益,增强施工企业的竞争实力。  相似文献   
7.
介绍了长江三峡水利枢纽工程概况、电站厂房屋面防水设计及其特殊功能要求、电站厂房屋面孩水做法和主要节点设计,重点对聚硫密封胶的性能和在孩水工程接缝处理中的应用作了说明。  相似文献   
8.
介孔分子筛MCM-41具有高度有序排列的孔道结构、孔径均匀且尺寸可调、高比表面积、较大的孔体积及吸附容量,孔道表面具有易于修饰的硅羟基,在废水处理中吸附重金属离子、有机污染物等方面具有很大的应用价值。对近几年介孔分子筛MCM-41用于处理废水中污染物的应用情况进行了综述。  相似文献   
9.
大兴首开万科中心为超高层建筑,建筑基本形态呈切角三角形,结构抗倾覆能力相对较弱,角部设置跨度约15m的斜拉式观景平台。结合工程特点,对超高层结构设定合理抗震性能目标,针对该目标提出抗震措施及抗震构造措施。通过调整合适的结构刚度,有效降低核心筒墙体在设防地震作用下的拉应力峰值。对悬挂结构关键部位进行水平及竖向的承载力专项分析,并考虑防连续倒塌要求。结果表明,结构在各地震水准下满足规范要求,结构安全可靠。  相似文献   
10.
以醋酸铅、钛酸丁酯、正丁醇锆以及硝酸镧为原料,甲醇和乙醇为溶剂配制Pb_(0.92)La_(0.08)(Zr_(0.65)Ti_(0.35))O_3溶胶,采用溶胶-凝胶法经550℃的快速热处理,在LaNiO_3/Si上制备了Pb_(0.92)La_(0.08)(Zr_(0.65)Ti_(0.35))O_3铁电薄膜。利用X射线衍射仪分析了薄膜组分与结构,标准铁电分析仪测试了薄膜的铁电性能;利用紫外光源对薄膜进行光照实验;通过分析薄膜厚度对其光生伏特效应的影响,进一步探讨分析了铁电薄膜光生伏特效应的产生机理。结果表明,在20 V电压下,薄膜的剩余极化值和矫顽场强分别为17.485μC/cm2和10.78 k V/cm。当紫外光照强度为2.67 m W/cm~2,薄膜厚度为490 nm左右时,薄膜光照后所产生的最大光生电压值为61.5 m V。  相似文献   
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