进口提升机全数字控制可控硅变流器故障一例

1·故障情况我矿自瑞典ABB公司引进的副井落地式摩擦提升机，采用全数字化控制可控硅变流器（型号为TYRAKXL型）一直流电机拖动系统。该提升机于1993年3月末完成带绳调试后投入生产。可自从1993年6月以后，断续发生其可控硅过流保护用快速熔断器（额定值I000A，660V）熔断故障，至故障排除时，计发生此种故障11次，烧毁快速熔断器19只，给正常生产提升带来严重影响。过流保护用的快速熔断器熔断，肯定是过电流造成的，可发生故障时．电枢过电流保护装置和可控硅变流器输出过电流保护装置扣都未动作。虽然所有此种故障均是在提升机运行…     

井下电机车直流电源自投装置设计与实践

我矿是国家“七五”、“八五”期间投资六亿元建设的华北最大的磷矿石开采企业，年开采磷矿石12o万吨，井下矿石运输工艺采用竖井——平巷运输方式，计有515、470、425三个水平运输平巷，均采用ZK10／250－3C型架线式电机车为牵引动力，运输距离IOOO～2300m；为电机车供电的整流电源装置安装干47O水平脉外运输巷的整流所们室，并分别以手动式DWIO型自动开关馈出至三个矿石运输水平。自1997年初开始试生产以来，由于井下环境恶劣（潮湿、粉尘等），接地短路故障使馈出自动开关频繁地发生过流跳闸，每次均需派电工前去合间，由于运输手巷…     

扫描线种子填充算法的改进

针对传统扫描线种子填充算法中存在的缺陷,提出了一种改进算法.该算法根据填充区域边界的连续性和相邻扫描线的相关性,只需将每个连续填充区域的起始信息入栈,而不需要将相邻的每条扫描线都入栈,避免了不必要的出入栈操作;在填充过程中,根据相邻扫描线上填充区间的关系判断是否需要回溯和产生新的填充区间,有效避免了不必要的回溯和像素的重复判读.提高了填充效率.     

高转化自由基本体聚合的数学模拟——三段聚合模型Ⅱ.数均相对分子质量和引发剂效率

基于本研究第一部分中提出的三段聚合模型 ,进一步导得聚合物数均相对分子质量的表达式 ,并首次提出了一种确定聚合各阶段引发剂效率和向单体的链转移常数的方法。将数据处理得到的引发剂效率以及向单体的链转移常数 ,代入导得的表达式 ,计算了数均相对分子质量随转化率的变化规律。结果表明 ,计算值与实验值较为一致。     

氮化镓基高亮度发光二极管材料外延和干法刻蚀技术

通过对氮化镓(Gallium nitride,GaN)基蓝色高亮度发光二极管(High brightness light emitting diode,HB-LED)材料金属有机气相外延(Metal organic vapor phase epitaxy,MOVPE)生长技术的研究和优化以及在有源区内引入新型InxGa1-xN/GaN多量子阱(Multiple quantum wells,MQWs)结构,获得了高性能的HB-LED外延片材料.高分辨率X射线衍射(High resolution X-ray diffraction,HR-XRD)和变温光致荧光谱(Temperature dependent photoluminescence spectra,TD-PL Spectra)测量表明外延材料的异质界面陡峭,单晶质量优异,并由变注入电致荧光谱(Injection dependent electroluminescence spectra,ID-EL spectra)测量获得:HB-LED芯片的峰值发光波长在注入电流为2 mA至120 mA变化下蓝移量小于1 nm,电致荧光谱的半高全宽值(Full width hlf maximum,FWHM)在注入电流为20 mA时仅为18 nm.此外,还介绍了GaN基材料感应耦合等离子体(Inductivelycoupled plasma,ICP)干法刻蚀技术.考虑实际需要,本文作者开发了AlGaN/GaN异质材料的非选择性刻蚀工艺,原子力显微镜(Atomic force microscope,AFM)观察得到AlGaN/GaN刻蚀表面均方根粗糙度RMS仅为0.85nm,与外延片的表面平整度相当.还获得了AlGaN/GaN高选择比的刻蚀技术,GaN和AlGaN的刻蚀选择比为60.     

基于动画演示的网络协议教学实践

网络协议是高校计算机网络及其相关课程的灵魂和主线,是教学的重点和难点。本文分析目前高校网络协议教学的现状及存在的不足,在此基础上,提出基于动画演示的网络协议教学新模式,并给出教学实例。     

机织物计算机辅助设计教学实习软件

本文介绍了一个机织物计算机辅助设计教学实习软件。它集小花纹织物ＣＡＤ与大花纹织物ＣＡＤ于一身，既能完成小花纹织物的设计，又能完成大花纹织物的设计。该系统还可控制电脑小样织机或电子轧花机工作，直接完成小样织造或花板的轧制，具有一定的实用性。     

苯乙烯热引发本体聚合的动力学研究 Ⅱ 数均分子量

基于提出的自由基本体聚合三段聚合模型以及双分子热引发机理,进一步导得了苯乙烯热引发本体聚合时数均分子量的计算方程。同时,通过对已有文献中的数据进行关联,获得了不同聚合温度条件下聚苯乙烯数均分子量的通用计算方程。分析获得的方程,可以认为,对于自由基本体聚合,由低转化阶段至凝胶效应阶段,链增长反应速率常数kp和向单体的链转移反应速率常数krt.m或向单体的链转移常数Cm维持不变,且Cm与聚合反应温度无关。此外,结果表明,在低转化阶段,数均分子量不随转化率改变,仅与聚合反应温度有关。但在凝胶效应阶段,分子量随转化率改变而变化,且反应温度越高,变化越显著。     

高吞吐率、低能耗的SHA-1加密算法的硬件实现

安全散列算法被广泛应用于数据完整性验证、数字签名等领域,目前最常用的是SHA-1算法.为了满足实际应用对SHA-1计算速度和能耗的要求,提出了一种新的硬件实现方法,通过改变迭代结构,一次执行两轮操作,将80轮操作简化为40轮,进而大幅度提高SHA-1的吞吐率,并降低能耗.采用UMC0.25μm工艺实现该电路,相比于传统的实现方法,最大吞吐率提高了31%,能耗降低了20%.