基于改进BP神经网络的电气火灾预警系统

针对低压配电电气火灾预警问题,提出了基于PLC的电气火灾预警系统。该系统采用基于改进BP神经网络的算法进行控制。对系统的总体设计方案、控制算法的仿真以及上位机软件系统设计进行了详细的阐述。     

渭北油田密井网水下分流河道储层构型研究及应用

渭北油田是鄂尔多斯盆地南部最近两年新发现的含油区块,本文以其密井网区延长组四段33油组为例,应用岩心、测井、地震及动态等资料,对辫状河三角洲水下分流河道砂体内部构型开展了系统研究。在分析单河道基本发育特征的基础上,剖面上井震结合识别单河道,平面上采用最大单层厚度与砂体层数交绘的方法,在密井网区长33油组识别出八个单河道发育期,单河道宽度一般在500~800m之间,宽厚比介于100~130之间;在平面复合河道中识别出单河道发育条数及分布范围;同时提出长33油组河道内部发育下切叠加式、不完全下切式、孤立式及薄层叠加式四种砂体叠置方式,明确了不同叠置模式在密井网区分布范围,为渭北油田密井网区注水开发和外围有利区带选取提供了地质依据。     

基于BIM技术在城市地下综合管廊施工中的应用

为解决现阶段城市地下综合管廊在施工阶段施工设计难度大、各单位难以协调、施工管理效率低等问题,通过对BIM技术的深入研究,提出了以BIM技术为核心的施工理念.本文根据对地下综合管廊施工存在的问题进行分析,结合BIM独特的技术特点,从专业角度协同设计、管线综合应用、模拟施工作业、现场实时监控、施工质安管理、施工成本管理、施工进度管理方面,研究BIM技术在城市地下综合管廊施工中的具体运用,极大的提高了管廊的施工效率,同时保证了管廊施工的质量与安全.     

Mg掺杂Cu2ZnSnS4的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理对光伏材料Cu₂ZnSnS₄ (CZTS)掺Mg进行了研究。通过建立Mg取代CZTS中Cu、Zn和Sn的点缺陷结构, 计算Mg掺杂缺陷的生成能及对CZTS电子结构的影响。计算结果表明掺Mg不引入深能级缺陷也不改变材料的禁带宽度; 并且富Sn条件更有利于Mg取代Cu形成施主缺陷, 使p型转变为n型。本研究可为CZTS太阳能电池掺Mg的应用研究提供理论基础。     

新型光伏材料Ag2ZnGeS(Se)4的第一性原理研究

通过基于密度泛函理论的第一性原理对新型光伏 材料Ag₂ZnGeS(Se)₄(AZGS(Se))的结 构稳定性、电子结构、和光学性质进行了研究。计算结果表明该类型化合物与Cu₂ZnSnS(S e)₄(CZTS(Se))一样具有锌黄锡矿的晶格结构;通过计算弹性常数和声子谱发现AZGS(Se) 的结 构稳定性也与CZTS(Se)相近。杂化泛函计算表明AZGS(Se)为直接带隙半导体;通过改变S和S e原子的比例,其禁带宽度可在1.27 eV 的较宽范围内调节。进一步计算光学性质,得 到AZGS(Se)的光吸收系数具有10⁴量级。计算结果表明AZGS(Se)符合太阳电池光吸收层的 需求。     

改进的AP聚类算法研究

AP聚类算法是Frey和Dueck在2007年提出的一个先进的聚类方法.该算法具有较传统聚类算法更好的聚类性能,已被成功地应用于计算机科学的研究领域.为了获得高质量的聚类集,原始AP算法的迭代是在全部数据点之间交流信息,直到收敛.由于这种算法在计算数据时需要占用二次CPU时间,不适用于大规模的数据集,因此,本文在AP算法的基础上提出了一种有效的聚类算法.该算法在迭代时可修剪不必要的信息,且在计算消息收敛的同时确定迭代集群,并对算法进行了实验,证明算法是有效的.     

The effects of Na on the growth of Cu2ZnSnSe4 thin films using low-temperature evaporation process

Cu2ZnSnSe4 (CZTSe) absorbers were deposited on borosilicate glass substrate using the low-temperature process, and different Na incorporation methods were applied to investigate the effects of Na on the CZTSe growth. Na was diffused into some of the absorbers after growth, which led to strongly improved device performance compared with Na-free cells. With the post-deposition treatment, the effect of Na on CZTSe growth was excluded, and most of Na was expected to reside at grain boundaries. The conversion efficiency of the completed device was improved due to the enhancement of open circuit voltage and fill factor. The efficiency of 2.85% was achieved at substrate temperature as low as 420 oC.