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从肖特基势垒高度、有效掺杂浓度和有效质量的优化和控制等方面,对接触电阻的最新技术进行了详细的总结。首先,分析了插入界面层的金属-绝缘体-半导体接触结构、界面钝化、杂质分凝技术对于降低肖特基势垒高度的效果。其次,讨论了原位掺杂、固相外延、低温离子注入以及激光退火技术对于提高源/漏掺杂浓度的作用。然后,介绍了通过控制SiGe材料的有效质量来优化接触电阻的技术。最后,通过结合原位掺杂、激光退火和固相外延等先进技术,实现了与CMOS工艺兼容的接触电阻优化集成,满足7/5 nm技术节点的需要。 相似文献
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研究了具有甲基末端和碳桥结构的多孔有机硅酸盐玻璃(OSG)薄膜的化学组成、孔结构和力学性能。对薄膜进行不同的固化处理,形成稳定的多孔薄膜结构。结果表明,在空气环境中固化时,由于氧气的存在,碳桥形成硅醇的过氧化物自由基被破坏,薄膜的机械性能降低。尽管氮气固化样品中保留了乙烯桥接基团,空气固化样品的力学性能仍优于氮气固化样品。原因是空气固化中微孔的坍塌增加了薄膜内部密度,为硅醇基团的缩合创造了更有利的条件。 相似文献
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本文是利用分离器的思想针对不同的对策分别来降低差模噪声和共模噪声,同时达到降低传导干扰的作用。 相似文献
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对基于一维纳米材料的硅纳米线场效应晶体管(SiNW-FET)传感器在疾病早期诊断中检测超低浓度生物标志物的优势进行了简单阐述,提出提高SiNW-FET传感器检测灵敏度的重要性和必要性。介绍了SiNW-FET传感器的工作原理、检测灵敏度和检测限(LOD)。重点讨论了通过对SiNW表面修饰方法的优化、使用不同结构形状SiNW和降低传感器德拜屏蔽效应等方法提高SiNW-FET传感器的灵敏度,对各种提高灵敏度的方法和对应方法下SiNW-FET传感器的检测限或灵敏度进行了对比总结。最后,总结了提高SiNW-FET传感器灵敏度的方法和目前亟待解决的问题,并展望了其发展趋势。 相似文献
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采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀系统,研究了氧等离子体表面处理对AlGaN/GaN HEMT欧姆接触电阻的影响。利用能量色散X射线光谱仪、光致发光谱和原子力显微镜以及电学测试设备对处理前后样品进行表征分析。结果表明,在最佳的氧等离子体处理条件(ICP功率250 W,射频功率60 W,压强0.8 Pa,氧气流量30 cm3/min,时间5 min)下,欧姆接触电阻为0.41Ω·mm,比参照样品接触电阻降低了约69%。分析认为经过氧等离子体处理后,在近表面处产生了一定数量的N空位缺陷,这些N空位表现为浅能级施主掺杂,有利于欧姆接触的形成。通过采用氧等离子体表面处理工艺制备的AlGaN/GaN HEMT,在+2 V的栅极偏压下获得了0.77 A/mm的最大漏极饱和电流。 相似文献
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内建自测试(BIST)方法是目前可测性设计(DFT)中最具应用前景的一种方法。BIST能显著提高电路的可测性,而测试向量的生成是关系BIST性能好坏的重要方面。测试生成的目的在于,生成可能少的测试向量并用以获得足够高的故障覆盖率,同时使得用于测试的硬件电路面积开销尽可能低,测试时间尽可能短。本文对几种内建自测试中测试向量生成方法进行了简单的介绍和对比研究,分析各自的优缺点,并在此基础上探讨了BIST面临的主要问题和发展方向。 相似文献
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