DISTO测距仪的远距离采集控制系统

利用单片机提取激光测距仪数据,采用RS-485标准做远程传输,完成了DISTO激光测距仪远距离信号的采集和控制;设计了嵌入上位机的测控软件,实现了主控系统与分布式激光测距仪的双向通信;系统可以控制多个测距仪,实现远程多点同时的可靠安全测距。     

基于异步FIFO实现不同时钟域间数据传递的设计

数据流在不同时钟域间的传递一直是集成电路芯片设计中的一个重点问题。本文通过采用异步FIFO的方式给出了这个问题的一种解决方法，并采用Verilog硬件描述语言通过前仿真和逻辑综合完成设计。     

一种D波段平行微带线90°相位反相器

基于0.13 μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一款D波段的并行微带线90°相位反相器,它由一个180°核心反相器和带有两个并列双地槽的平行微带线构成。采用两侧带有并列双地槽的平行微带线结构可以有效地改善该90°反相器的阻抗匹配和能量损耗,从而实现低的插入损耗、回波损耗和相位误差。通过3D建模和电磁场全波分析得到,该90°相位反相器的回波损耗S11的 －20 dB带宽为116~218 GHz,基本覆盖了整个D波段,在155 GHz工作频率处S₁₁可以达到－65 dB;插入损耗S21的－1 dB带宽为80~220 GHz,在155 GHz工作频率处S₂₁可以达到－0.47 dB;±5°相位误差带宽为150~163 GHz,在155 GHz工作频率处的相位误差为1.15°,非常适合于D波段的应用。     

四论注入光敏器件的物理基础

叙述了从现象的发现到理论分析，然后用实验进行验证，最后利用这个现象研制成注入光敏器件的全过程，从而证明注入光敏器件有牢靠的物理基础。本文还分析了文献（１￣５，１０）中的几个主要不同论点及欠妥的讨论方法。     

基于主从式双处理器的光纤比色测温仪软件设计

介绍一种基于DSP和MCU双处理器的内调制光纤比色测温仪的设计原理。测温仪以AT89C55和TMS320F206为核心,对内调制光电探测器进行线性补偿和温度补偿,并加入比辐射率的修正。本系统能够对环境温度变化大、周围环境恶劣的高温物体进行高精度的温度测量。     

Si基的 RICBD法生长GaN薄膜

讨论反应离化团簇束沉积（RICBD）方法的原理和特点,利用改进的双气流方式和ZnO缓冲层技术在S i 衬底上生长GaN薄膜,并用XPS、XRD和PL对样品进行了测试分析,证实形成了良好的GaN薄膜。     

基于FPGA的单精度浮点数乘法器设计

设计了一个基于FPGA的单精度浮点数乘法器。设计中采用改进的带偏移量的冗余Booth3算法和跳跃式Wallace树型结构,并提出对Wallace树产生的2个伪和采用部分相加的方式,提高了乘法器的运算速度;加入对特殊值的处理模块,完善了乘法器的功能。本设计在AlteraDE2开发板上进行了验证。     

一种具有内部调制特性的新型红外探测器

提出了一种内调制红外探测器组件．它可将恒定入射的红外辐射信号转变为交变的电信号输出,而没有通常红外探测系统的调制盘等机械装置,可以简化探测系统,提高可靠性,有利于后级进行交流放大．初步测试表明,在约５μＷ红外辐射功率下,用ＭＣＴ做探测单元的内调制红外探测器组件可输出峰值电压约６５ｍＶ的交流电信号,其比探测率略高于为５×１０９ｃｍ·Ｗ(-１)ｓ(-１／２)。     

一种便携式光纤功率计的设计方法

介绍了一种便携式光纤功率计设计的硬件结构和软件流程,给出了其标定方法和实测性能指标。该光功率计采用InGaAs材料的光电探测器实现光电信号的转换,满足了光纤功率计对波长范围和测量精度的要求;采用高性能运放TLC2652和18位的A/D转换芯片MAX132以保证测量精度;选用高速单片机AT89C52来控制信号的检测、处理以及数据的显示,在确保运算速度的同时使光纤功率计具有多波段响应、量程自动转换、测量精度高的特点。实测的性能指标表明该光功率计达到了设计要求,在光信息、光通信等领域具有广泛的应用前景。     

一种基于130 nm CMOS工艺的K波段上/下双向混频器

基于130 nm RF CMOS工艺,提出了一种可实现上/下双向变频功能的K波段有源混频器.当收发机工作于接收模式时,双向混频器执行下变频功能,将低噪放大器放大后的射频信号转换为中频信号;当收发机工作于发射模式时,双向混频器则实现上变频功能,将输入的基带信号转换为射频信号并输出至功率放大器.后仿真结果表明,在0 dBm的本振驱动下,混频器工作于上变频模式时的转换增益、噪声系数、输出1 dB压缩点在23～25 GHz范围内分别为-1.1～-0.4 dB、12.9～3.3 dB、-8.2 dBm@24 GHz;工作于下变频工作模式时的转换增益、噪声系数、输入1 dB压缩点在23～25 GHz范围内分别为2.4～3.4 dB、15.2～15.6 dB、-3.6 dBm@24 GHz.混频器芯片面积为0.6 mm2;在1.5V供电电压下,消耗功率12 mW.