排序方式: 共有104条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
SoC平台——Parterre的实现 总被引:1,自引:0,他引:1
本文主要介绍由哈尔滨工业大学微电子中心开发的SoC平台——Parterre的功能。包括基于RTEMS实时操作系统和cycie—accurate仿真器的软件开发平台,基于三总线的芯片/FPGA开发平台,基于AMBA总线协议和VCI接口的IP开发平台。以及基于CPU指令集为测试向量的Debug平台。利用该平台可以快速的进行SoC模型的定义和芯片的开发。 相似文献
2.
3.
采用JTAG结构实现SoC芯片的片上仿真器及接口 总被引:2,自引:1,他引:2
片上仿真(OnChipEmulation)是系统级芯片(System-on-a-Chip,SoC)进行调试与诊断的新型方法。文章讨论了一种采用JTAG结构实现SoC芯片片上仿真器的方法。此方法已应用于以CCORE为核心的SoC设计平台上。 相似文献
4.
5.
6.
文中针对最后一级采用4位CLA加法器级联的M×N位CSA/CLA阵列乘法器,讨论了一种非常有效的测试生成方法.该方法不依赖于乘法器的大小以及乘法器基本单元内部的具体实现结构,与前人的工作相比,缩短了测试时间.对于上述结构的CSA/CLA阵列乘法器,使用28个测试矢量即可得到100%的故障覆盖率.采用文中给出的测试矢量构造CSA/CLA阵列乘法器的BIST电路不需要改变乘法器的结构,因此对乘法器的正常工作性能几乎没有任何影响. 相似文献
7.
文中提出了一种快速离散余弦变换电路的开发错误检测结构。为了达到100%的故障覆盖率,FCT采用基于第3类离散余弦变换的B.G.Lce算法蝶型结构实现。 相似文献
8.
基于深亚微米MOSFET的短沟道效应(迁移率退化、热载流子效应、体电荷效应、沟道长度调制效应等),提出了一种高频沟道噪声分析模型.该分析模型不仅具有较高的精确性,而且只包括MOSFET的工艺参数和电学参数,不含有微积分和拟合参数,较大地提高了MOSFET高频噪声模型的易用性.根据MOSFET的高频等效电路,得出了MOSFET的噪声系数模型.实验结果证明,提出的深亚微米MOSFET高频噪声模型的仿真结果与测试结果的平均误差不到0.4 dB,并与其他高频沟道噪声分析模型进行了比较. 相似文献
9.
10.
用VHDL-AMS进行概念设计 总被引:4,自引:3,他引:1
VHDL-AMS是VHDL向模拟和混合信号领域的诉展,VHLD-AMS为设计者提供了在概念级处理复杂系统的能力,随着VHDL-AMS的标准化,将诞生处理复杂的模拟和混合信号模型的有效的模拟器,文中介绍了VHLD-AMS模拟扩展的主要内容,展示了一个混合模式模拟环境,并给出了模拟解算器的构成,讨论了连续和离散模拟的同步问题;用4个例子说明VHDL-AMS在概念设计中的应用。 相似文献