外延生长的Gd掺杂CeO2薄膜内位错的透射电子显微学表征

利用脉冲激光沉积（ pulsed laser depositon, PLD）方法在YSZ（ Y2 O3 stabilised zirconia）单晶衬底上外延生长了Gd掺杂的CeO2薄膜（gadolinium doped CeO2,GDC）。利用透射电子显微镜（TEM）对GDC／YSZ界面以及GDC薄膜内部的位错结构进行了表征。实验发现,界面处存在周期性分布的失配位错,界面失配主要通过失配位错释放。 GDC薄膜内部存在两种不同的位错,其中一种为纯刃型位错,另外一种为混合型位错。     

激光合成超微粉结构的高分辩电子显微镜观察

超微粉(粒度在100钠米以下)的使用在微晶陶瓷及功能材料中日益受到得视。由于超微粉很细小,选区电子衍射实验难以对其作物相鉴定。在一定条件下,如分散得当,利用高分辩电子显微镜直接显示超微粉的原子排列规律可成为其结构及物相鉴定的有力手段。本文所用超微粉是由金属所以公斤级生产的,其平均尺寸在20nm左右。图1为激光法制备的Si—B—C合超微粉的高分辩像。高分辩像观察表明此种复合粉主要为SiC超微粉,其次为SiB_6微粉。SiB_6的晶体结构尚有争议,有人认为是立方晶系,CaB_6型,有人认为是正交晶系。近来的研究趋于后者,确定SiB_6属正交晶系,空间群为Pnnm,点阵常数为a=14.397埃,b=18.138埃,c=9.911     

球磨Si50C50混合粉末合成SiC的高分辨电镜观察

SiC作为一种重要的工业原料,可以利用很多方法制备而成.工业用的SiC通常采用传统的Acheson过程,用碳还原SiO2,温度需达到2000℃～2300℃[1].文献[2,3]报道了在室温球磨 Si50C50 混合粉末可获得SiC.但是在这些文献中,所提供的证据均来自于X射线衍射,透射电镜以及扫描电镜等的实验结果,没有提供直观的原子尺度观察,因而对于其微观反应机制的理解缺乏足够的证据.     

定向凝固NiAl合金的微观组织和高温力学性能Ⅱ.高温力学性能和界面

用压缩实验的方法研究了热等静压处理后DS NiAl-28Cr-5.5Mo-0.5Hf合金的高温变形行为.发现流变应力随温度升高或应变速率减小而降低,服从幂指数规律,并求出了合金的应力指数n和变形激活能Q.运用HREM从微观方面分析了合金中存在的各种界面以及界面与力学性能的关系.     

界面反应对K_2O·STiO_2(W)/ZL109复合材料高温强度的影响

K_2O·8TiO_2(W)/ZL109复合材料在500℃下热暴露20h后高温强度最高,热暴露时间超过20h,随着热暴露时间的延长,其高温强度逐渐下降。界面反应是导致其高温强度下降的原因。     

InSb/GaAs半导体界面结构研究

本文通过对ＩｎＳｂ／ＧａＡｓ半导体界面实验高分辨原子像的计算机定量分析得到了界面位错区附近的晶格点畸变位移分布，基于该实验结果中文提出了ＩｎＳｂ／ＧａＡｓ半导体界面的结构互平衡界面结构模型，该界面模型合理地解释了界面位错的起因及ＩｎＳｂ薄膜在ＧａＡｓ基体上升延生长过程中的物理现象，计算机模拟的界面电子衍射谱和高分辨原子像与实验结果的一致性符合验证的所建立的界面模型的正确性。     

快速凝固Al—Li—Cu—Mg—Zr合金中H相的Z相的TEM研究

用ＨＲＴＥＭ、ＴＥＭ及ＥＤＡＸ分析研究了Ａｌ－Ｌｉ－Ｃｕ－Ｚｒ合金中的一种新相（暂名Ｈ相）和六角Ｚ相的结构，确定Ｈ相具有四方点阵，点阵参数为ａ＝２．８ｎｍ，ｃ＝２．４ｎｍ，ＥＤＡＸ分析表明Ｈ明和Ｚ相均含有Ａｌ，Ｍｇ，Ｃｕ。发现Ｈ相与Ｚ相的共存取向关系为［１００］ｈ｜｜［１１２０］ｚ，［０１０］｜｜［０００１］Ｚ。还观察到Ｚ相中一种特有有的旋转畴结构。     

喷射轧制Fe-4.5%Si硅钢片的组织和性能

采用喷射成形和轧制工艺制备了厚度为0.5mm的Fe-4.5%Si高硅钢片，并对其密度、显微组织和电磁性能进行了测试分析，研究结果表明：在最佳的喷射成形和轧制工艺条件下，所制备硅钢片的磁感应强度B25为1.544T、B50为1.641T；铁损P1050为1.437W/kg、P1550为3.43W/kg，说明喷射成形轧制技术可以制备出高磁感应强度、低铁损的高硅钢片。     

TiAl-W-Si合金中的偏析与析出相的分析电子显微术研究

用高空间分辨分析电子显微术研究了TiAl-W-Si合金中B2相的析出行为和元素W的分布.结果表明,α2/γ相界面台阶由于W的富集而成为B2析出相的择尤形核位置.B2相中,高达三分之一的Al原子被W原子置换,而在γ相中只固溶了很有限的W.另外,W也偏析在α2/γ和B2/γ相界面上.这些结果合理地解释了W对提高TiAl合金蠕变性能的显著作用.