化学气相沉积法制备氮化硼纳米管的研究进展:反应装置、气源材料、催化剂

氮化硼纳米管(BNNTs)具有优良的耐高温、抗氧化、防辐射、绝缘和导热性能,因此,在航空航天、辐射屏蔽、热界面材料以及深紫外发射等领域具有潜在的应用前景。然而,高品质BNNTs的可控制备和批量生产仍然是学术和工业界的重大挑战。在BNNTs的众多制备方法中,化学气相沉积法(CVD)是最有潜力实现其可控制备的方法之一。但是,科学家们对于CVD法制备BNNTs的催化机理和影响因素尚未形成共识。鉴于此,文章从反应装置、氮源、硼源和催化剂4个方面对CVD法制备BNNTs进行了综述,并系统总结了相应的规律。在此基础上,分析了目前BNNTs可控制备中存在的问题,并对CVD法在BNNTs可控制备中的作用进行了展望,以期对今后BNNTs的制备起到借鉴作用。     

高结晶度氮化硼纳米片的制备及其与聚乙烯醇复合薄膜的性能

以具有特殊花瓣状形貌的硼酸镁纳米片为模板、前驱体和硼源, 以氨气为氮源合成了氮化硼纳米片(BNNSs), 通过 SEM、TEM、XRD、Raman和FT-IR等对其形貌和结构等进行了分析。结果表明: 合成的BNNSs为厚度仅约5 nm、横向尺寸150~300 nm、结晶度极高的单晶片层状h-BN, 多个BNNSs聚集形成了形貌与硼酸镁纳米片类似的形状。以所合成的BNNSs为填料, 制备了不同BNNSs添加量的BNNSs/聚乙烯醇(PVA)复合材料薄膜, 结果表明添加30% BNNSs的复合薄膜的弹性模量较纯PVA薄膜提高了约39.8%, 面内热扩散系数和热导率则分别最大提高了约7和8倍, 说明以此BNNSs做为填料能明显改善BNNSs/PVA复合薄膜的热学性能。     

碳纳米管制备及其复合材料导热性能研究进展

随着高集成、高功率电子器件的飞速发展,电子器件对高导热材料需求更加迫切。碳纳米管 因具有独特的一维纳米结构,同时兼具优异的导热、导电和机械性能等,近年来备受国内外科研工作 者广泛的研究关注。该文主要介绍了碳纳米管的 3 种制备方法：石墨电弧法、化学气相沉积法和激光 蒸发法,同时阐述了碳纳米管导热基本机理以及碳纳米管应用于复合材料热传导性能研究,并对碳纳 米管在进一步导热研究中进行了展望。     

改性导电胶的研究进展

随着电子工业的快速发展,电子产品越来越趋向于微型化、环保化和集成化.传统的电子封装材料大多是含铅焊料,具有粘度高、毒性大和实施温度高等缺点,越来越不能满足这样的趋势需求.导电胶具有粘度低、焊接精细结构,环保、成型温度低和适用范围广等优点,可以作为一种新型的绿色微电子封装互连材料取代含铅焊料.然而相对于含铅焊料,导电胶的电阻率仍然较高,接触电阻稳定性较低,抗冲击性能较差等,限制了导电胶的大规模应用.因此,科研人员和工程师一直在不断努力开发出很多方法,来提高导电胶的综合性能.针对目前的导电胶现状,详细地探讨了近几年通过对导电填抖的表面进行改性来提高导电胶的综合性能的方法.     

微沸法合成纳米莫来石及活化能的研究

以硝酸铝和硅溶胶为原料,采用微沸法对合成纳米莫来石及其活化能进行研究,并用热重差示扫描热量计(TGDSC)、X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对合成莫来石的粒度、相组成和形貌进行分析.结果表明:在原料中的铝硅摩尔比为3∶1的条件下,温度为854℃时莫来石开始形成,温度为920℃时Al Si尖晶石开始转变为莫来石,温度为1200℃时莫来石化完成,合成莫来石的活化能为(634.52±28.90)kJ·mol-1.经过1200℃煅烧后,莫来石含Al2O3的摩尔分数为59.8％,平均粒度约为31.7nm,形状为针状,并由这些针状莫来石构成连续的网络结构.随着铝硅摩尔比的增加,合成莫来石的温度降低,活化能降低.当铝硅摩尔比增加至6∶1,合成莫来石的活化能降至(514.73±14.40)kJ·mol-1.     

特定手性单壁碳纳米管的可控生长

单壁碳纳米管具有优异的电学、光学、热学、力学等性能,可能成为未来纳米器件的支撑材料之一。实现碳纳米管的结构可控生长制备依然面临着严峻的挑战。其中手性控制是单壁碳纳米管可控制备的最大挑战,它的实现标志着直径、壁数、手性角及导电属性等的可控制备。以特定手性单壁碳纳米管的可控生长为中心,分别综述了利用化学气相沉积法在粉体生长与表面生长两方面实现手性可控生长的研究进展,并在此基础上总结出基本思路,为实现单一手性碳纳米管的可控制备奠定基础。