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ZnO是一种宽禁带半导体,由于其优良的物理和化学性能得到越来越多的青睐,并成为了光电器件的首选材料。本文采用射频磁控溅射技术在石英衬底上溅射ZnO同质缓冲层,之后再生长ZnO薄膜。缓冲层温度分别为373、473、573和673 K,生长温度为773 K。X射线衍射结果表明ZnO薄膜为六方结构,并且是(002)择优取向。综合吸收光谱和和光致发光谱,缓冲层温度为673 K时制备的薄膜的结晶质量最好。 相似文献
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身份认证是网络安全的重要组成部分,当前身份认证技术通过PKI体系为服务端颁发证书实现,应用广泛,但存在对CA依赖较强、存在密钥泄露和单点失败等风险.本文基于区块链和DNSSEC技术,提出了一种新的身份认证模型,支持不依赖CA的服务端和用户端的双向身份认证,同时改进了用户证书,实现了对用户设备的授权管理,在安全性和灵活性方面具有一定优势.本文首先简要介绍了身份认证技术研究现状,随后详细描述了身份认证模型整体架构、工作流程和主要功能,最后对该模型进行了分析并提出了应用实例. 相似文献
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