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1.
最近,存算一体(IMC)架构引起了广泛关注,并被认为有望成为突破冯诺依曼瓶颈的新型计算机架构,特别是在数据密集型(data-intensive)计算中能够带来显著的性能和功耗优势.其中,基于SRAM的IMC架构方案也被大量研究与应用.该文在一款基于SRAM的通用存算一体架构平台——DM-IMCA的基础上,探索IMC架构在物联网领域中的应用价值.具体来说,该文选取了物联网中包括信息安全、二值神经网络和图像处理在内的多个轻量级数据密集型应用,对算法进行分析或拆分,并将关键算法映射到DM-IMCA中的SRAM中,以达到加速应用计算的目的.实验结果显示,与基于传统冯诺依曼架构的基准系统相比,利用DM-IMCA来实现物联网中的轻量级计算密集型应用,可获得高达24倍的计算加速比. 相似文献
2.
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4.
TiSiO复合薄膜的制备方法主要包括溶胶-凝胶、物理气相沉积和化学气相沉积等,针对不同制备工艺条件下SiO2改性TiO2的微观结构与光学参量的调控机理的研究,仍处于探索阶段。综述了近年来国内外在不同工艺条件下沉积的TiSiO薄膜的结构和光学性质,从溶胶体系和热处理工艺两方面,对溶胶-凝胶工艺制备的TiSiO薄膜展开论述,分别归纳了溶胶体系和热处理工艺调控TiSiO薄膜的结构和光学性质的一般规律;从溅射工艺和蒸发工艺两方面对物理气相沉积工艺制备的TiSiO薄膜展开论述,分别阐述了在溅射工艺和蒸发工艺过程中,调控TiSiO薄膜的结构和光学性质的一般规律;从低(常)压化学气相沉积和等离子增强化学气相沉积等方面,对化学气相沉积工艺制备的TiSiO薄膜展开论述,分别阐述了在不同化学气相沉积技术中,通过调节一些重要参数调控薄膜结构和性能的一般规律。总结了不同工艺制备并调控TiSiO薄膜的一般规律的内在联系,并指出了这类薄膜制备工艺存在的问题和后续的研究方向。 相似文献
5.
在传统二端忆阻器的理论基础上,提出了一种四端忆阻器的模型.该器件的4个端口分别对应于MOS场效应晶体管的栅、源、漏和衬底4个极,可以代替数字电路中的MOS晶体管实现电路功能.利用Verilog-A对该模型的电学特性进行了描述,在Hspice软件环境中利用该模型构建了与非、或非等逻辑电路以及1 bit数据的1R-1R随机存取电路,并搭建外围电路对其进行了功能验证,在仿真层面实现了四端忆阻器在数字电路方面的简单应用,实验结果符合预期.作为一种纳米器件,与MOS晶体管相比,四端忆阻器的尺寸更小、功耗更低.在CMOS工艺尺寸渐渐趋于极限的今天,对四端忆阻器的应用是一个具有一定合理性的发展方向. 相似文献
6.
7.
针对渤海湾盆地南堡35-2油田投产后实际生产特点与初始地质认识存在较大差异的问题,综合利用钻井、录井、测井并结合生产动态等资料对其古构造、沉积特征、成藏模式进行了重新认识,并对其资源潜力进行了重新评估。研究表明:馆陶组油气聚集具有“古构造控制沉积相带、古构造控制油气聚集”的特点,具体为(1)南堡35-2油田潜山的古构造格局控制了沉积相带的分布规律,控制了油气的整体运聚特征,该结论不同于前人得出的油藏主要受控于岩性而不受控于构造的结论;(2)馆陶组沉积相类型为辫状河沉积,油藏主体分布于主河道叠合连片区,砂体的空间展布对油气的再次分配起着一定作用;(3)南堡35-2油田的成藏模式表现为“断裂控藏,深聚浅调”的特点,边界大断层及潜山不整合面为深层“油源网”,使原油在深层馆陶组储层聚集,后期浅层次级断层活动强烈,部分原油被调整到浅层明化镇组形成次生油藏。南堡35-2油田馆陶组资源潜力十分可观,储量规模可能为之前预测的3倍。 相似文献
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9.
太赫兹行波管具有输出功率高、频带宽、紧凑轻便等优点,是一种理想的太赫兹辐射源,可望在军事、民用领域得到广泛应用。本文对国内外太赫兹行波管的研究现状进行了较详细的介绍和归纳总结,并对其发展趋势做了论述分析。 相似文献
10.
多源航迹融合一直是信息融合领域的研究热点。在对最近邻数据关联算法的研究基础上,提出一种新的"筒状"最近邻数据关联算法,对该算法进行仿真分析,与最近邻数据关联算法相比,新算法在密集环境下关联性能明显更优,易于工程实现。 相似文献