纳米电子技术

<正> 微电子技术引发了本世纪的信息革命,纳米科学技术将成为二十一世纪信息时代的核心和国际科学界和工程技术界关注的热点。 纳米电子技术应运而生 微电子技术经历了50年代小规模集成电路(集成度为100个元件)、60年代中规模集成电路(集成度为1000个元件)、70年代大规模集成电路(集成度为1000个元件以上)和超大规模集成电路(集成度为10~5个元件)以及80年代特大规模集成电路(集成度为10~6个元件以上)几个发展阶段。     

FED制作工艺研究

本文介绍了我们开发的ＦＥＤ工艺，包括；硅锥场致发射阵列的制作，栅极制作，阳极支柱的制作和平板透明真空封装，对工艺中的难点及对策作了详细描述。利用上述工艺，已经制成了平板数码管，其栅阴特性理想，阳阴之间也能测得明显的场致发射特性产伴有荧光激发。     

真空微电子管的研究

综合了已有的真空微电子器件理论的研究成果，提出了真空微电子三极管优化模型，并且进行了初步计算，得到了真空微电子三极管优化模型的理论特性，同时，利用独创的无版光刻工艺制作了真空微电子三极管，进行了测试，并且与结果进行了比较。     

真空微电子器件的栅极制造技术

本文详细地介绍了真空微电子栅极工艺制造的自剥离与无版光刻技术，并用这两种方法分别制造出了符合要求的栅极结构．在现有的条件下进行了栅控场致发射特性的测试，并通过实验曲线计算出了栅控场致发射的三个参数．     

遗传算法的一种特例——正交试验设计法

简要介绍正交试验设计法与遗传算法的基本原理,分析它们之间的内在关系,指出正交试验设计法可以认为是遗传算法的一种特例,即它是一种初始种群固定的、只使用定向变异算子的、只进化一代的遗传算法.计算结果表明,正交试验设计法可以解决一般遗传算法中的最小欺骗问题.     

ZnO薄膜的制备和结构性能分析

ZnO作为一种宽带隙半导体材料,近几年来已经成为国际上紫外半导体光电子材料和器件领域的研究热点.激光分子束外延(L-MBE)系统是获得器件级ZnO外延薄膜的先进技术之一.高质量精密ZnO陶瓷靶材对于该工艺的实施是十分关键的,本文中采用高纯原料,在洁净条件下制备了大面积、薄片型、尺寸可控的符合理想化学配比的高纯ZnO陶瓷靶材.采用所制备的靶材,利用L-MBE技术在(0001)蓝宝石基片上进行了ZnO薄膜的外延生长,在280 ℃～300 ℃低温条件下所生长的薄膜样品具有(0001)取向的纤锌矿晶体结构,薄膜光学性能良好,论文中对ZnO薄膜的低温L-MBE生长机理进行了探讨.     

提高丝网印刷ZnO纳米针场发射均匀性稳定性

针对现有的ZnO纳米针场发射均匀性、稳定性不良的问题,本文提出丝网印刷碳纳米管(CNTs)掺杂过滤的ZnO纳米针的方法来提高其均匀性和稳定性.场发射特性测试表明,ZnO纳米针经过滤后可以提高场发射均匀性,CNTs的掺杂提高了印刷ZnO纳米针薄膜的场发射电流密度和稳定性,印刷CNTs掺杂的ZnO纳米针薄膜在烧结温度为450℃时,印刷ZnO纳米针薄膜的场发射电流密度较高.该方法在ZnO纳米针场发射显示器的制作中有很好的实际应用价值.     

微型真空力敏器件的研究

本文首次用电荷模拟法计算了真空微电子力敏传感器的场致发射阴极与阳极间的电场分布,同时计算了<100>晶向的方形硅薄膜受压形变与压力的关系,进而得出了这种传感器的电流-压力曲线.还做了水槽模拟电场分布的实验,理论与实验符合的很好.     

ZnO纳米锥光致发光性及印刷ZnO纳米锥场发射性能研究

利用物理热蒸发法制备大规模的蒲公英状的ZnO纳米锥,利用荧光光谱仪对ZnO纳米锥进行了光致发光性能测试.针对现有的丝网印刷碳纳米管(CNTs)薄膜需要各种后处理工艺后才能改善其场发射特性的问题,提出了一种不需任何后处理丝网印刷ZnO纳米锥的浆料配制工艺.用该工艺制备的丝网印刷ZnO纳米锥的场发射特性测试表明,ZnO纳米锥与制浆剂质量比为3∶5的薄膜的开启场强最低为2.25V/μm(电流密度为1μA/cm2),在4.6V/μm场强下,阳极荧光粉的发光点亮度高且分布均匀.说明该方法成本低,工艺简单,无需任何后处理,在ZnO纳米锥场发射显示器的制作中有很好的实际应用价值.     

MPNIM结构光致变电容效应

本文报告了作者之一首先发现的MPNIM(金属-P型半导体-N型半月比-绝缘体-金属)结构的光致变电容效应。基于该效应已研制出新器件:半导体双向光控变容器.新器件的电容值与入射光强的关系,光谱响应特性,频率特性,C-V特性,温度特性已被研究.