液态源雾化化学沉积法制备(Pb,La)TiO3薄膜

研究了在Pt/Ti/SiO2 /Si基片上用液态源雾化化学沉积法制备镧钛酸铅 [(Pb ,La)TiO3,PLT]薄膜的工艺 ,并分析了各种因素对其相结构的影响。采用金属有机物热分解工艺的先体溶液 ,在沉积阶段 ,用超声波将先体溶液雾化 ,产生微米级的汽雾 ,由载气 (Ar)引入沉积室进行沉积 ,并在沉积室进行预热处理。重复上述过程 ,直到膜厚达到要求 ,再进行退火处理得到均匀、致密的薄膜。此工艺各项参数如下 :沉积前沉积室内气压为 4× 10 - 3Pa ;沉积时沉积室内气压为 8× 10 3～ 9× 10 3Pa ,沉积时基片温度为 2 0～ 2 5℃ ;预处理温度为 30 0℃ ;最佳热处理温度为 60 0℃ ;超声雾化器工作频率为 1.7MHz;薄膜沉积速率为 3nm/min。XRD和SEM图分析说明 ,制备的铁电薄膜具有钙钛矿结构     

基于稀疏矩阵的并行体绘制算法

直接体绘制是三维数据可视化的重要方法。在实际应用中体数据规模庞大，如何降低计算工作量以获得更高的绘制速度是一个亟待解决的问题。文章针对该问题提出了一种运行于集群系统之上的基于稀疏矩阵的并行Splatting体绘制算法，该算法利用稀疏矩阵对体数据结构进行优化，通过实验获得了令人满意的结果。     

基于队列的模糊拥塞控制算法

传统的Poisson统计流量模型对于以突发性流量为基本特征的Internet网络不再适应,而采用更加接近Internet网络流量特征的自相似模型,会具有复杂的建模过程和繁杂的计算.为此,从数据缓冲区占用情况的实时状态出发,运用模糊理论对缓冲区占用率状态这一模糊性问题进行描述,建立起模糊拥塞控制模型,并实现了对拥塞的模糊控制.它对所有到达的数据流按照一定的优先级进行分类,并把全局性缓冲区和各队列的局部性缓冲区按照正常、拥塞避免和拥塞的规则划分为3个具有交叉过渡域的几个阶段,然后采用整体和局部相结合的拥塞控制方法,实现了队列调度过程中的模糊性处理.理论分析和NS实验仿真结果表明,该算法在保证各连接服务的公平性方面,特别是在保护和隔离非拥塞状态的连接上,取得了比传统方法更好的效果,从而更好地改进了路由器或者交换机的拥塞控制性能.     

一种电子陶瓷的分析方法

对五元系统BaO PbO Nd2 O3 Bi2 O3 TiO2 进行X 射线粉末衍射分析确定系统的主次晶相分别为BaNd2 TiO14 和Bi4Ti3 O12 。用X射线衍射峰强度计算出系统中各物相的体积百分数 ,代入李赫德涅凯对数混合定则 ,定量计算出的系统介电性能与用仪器实测的相符。结果表明对于X射线衍射强度可以定量表征系统介电性能的材料 ,可以根据所需的性能指标利用李氏定则确定系统成分配比 ,从而可以作为电子陶瓷材料设计改进的依据。     

一种高频低介MLC用瓷料系统的研究

选取MgO-SiO2-TiO2系作为研究对象,研究实验工艺及瓷料组成对系统介电性能的影响。借鉴高频低介瓷的基本组成原则,反复研究成分配比,确定了系统的最佳组成。高频下得到了性能优良的低介、低损耗、低电容量温度系数、高体积电阻率的多层陶瓷电容器用瓷料,用其制成的MLC可广泛应用于航空、航天、国防军事等尖端技术设备中。     

介质厚度对MLCC的TC、TVC特性影响

研究了细晶钛酸钡介质层厚度对 ML CC的 TC、TVC特性的影响。结果表明介质层厚度≥ 2 7μm时 ,ML CC的 TC、TVC特性符合 2 X1(BX)特性要求。在施加直流偏压时 ,- 2 5 %≤ ΔC/ C≤ +15 %。ML CC的绝缘电阻为 10 1 1 Ω,损耗小于 15 0× 10     

钡铝钕铋钛系相结构与电性能的定量关系

以BaO-PbO-Nd2O3-Bi2O3-TiO2五元系的烧结介质瓷为研究对象探讨化合物相与介电性能的定量关系。系统的主次晶相分别为BaNd2Ti5O14和Bi4Ti3O12。对系统进行X－射线分析，用X－射线衍射峰强度计算出系统中各物相的体积分数，再运用李赫德涅凯对数混合定则进行定量计算，得出系统的介电性能与用仪器实测的系统参数相符，在本研究系统中，X－衍射射线分析可以测定和定量表征烧结介质瓷中化合物相含量，经过对系统中各化合物的介电性能测定，可计算出所研究系统的介电性能，从而可作为一种介质的设计方法。