退火条件对FeSiCoB薄膜应力阻抗效应的影响

为了提高FeCoSiB薄膜和FeCoSiB/Cu/FeCoSiB多层膜的磁弹性能,利用磁控溅射方法在玻璃基片上沉积制备薄膜样品,并在真空中退火。测试了不同温度退火后,薄膜样品的应力阻抗效应。结果表明,退火处理条件对薄膜的应力阻抗效应有较大的影响。在6.4kA·m–1磁场下,薄膜经300℃、40min退火处理后,单层FeCoSiB和多层FeCoSiB/Cu/FeCoSiB的应力阻抗效应分别为1.86%和8.30%。     

外循环流化床锅炉运行使用原理

据统计,目前已有上千台各种循环流化床锅炉投入运行．循环流化床锅炉的主要特点是物料（燃料和脱硫剂）经过多次循环．在炉膛内反复进行燃烧和脱硫反应,物料在燃烧过（略）状态．床温是保证循环流化床锅炉设备安全性和运行经济性的重要参数之一,是监视炉膛密相区燃烧和流化情况、防止炉膛结焦的重要依据,是控制炉膛燃烧的重要温度点,是灭火保护动作的重要条件。     

复方氨酚烷胺胶囊质量分析报告

目的:评价2019年山东省生产和流通领域复方氨酚烷胺胶囊的质量现状及存在问题。方法:按照现行标准检验,并进行探索性研究。结果:现行标准检验结果 22批样品合格率为100%,但探索性研究结果显示,各批次之间质量存在显著差异。结论:省内复方氨酚烷胺胶囊总体质量一般,现行标准存在缺陷,应该提高质量标准,确保药品的安全性与有效性。     

基于系统统计分析的复方氨酚烷胺片溶出曲线相似性研究

评价国内15家复方氨酚烷胺片生产企业产品溶出曲线相似性。按照普通口服固体制剂溶出度试验技术指导原则,分别以pH值1. 2、pH值4. 0和水为溶出介质,考察复方氨酚烷胺片溶出状况,并通过计算相似因子(f2)和SPSS聚类分析方法评价溶出曲线相似性。聚类分析结果与相似因子分析结果一致,提示企业F溶出行为异常。本文为聚类分析评价溶出曲线相似性模型建立提供了参考。     

风力发电机齿轮箱常见故障及优化设计分析

风能作为一种清洁能源,正以极快的速度发展。由于风力发电机组通常处于野外,环境条件恶劣,容易出现故障,维修起来耗费大量的人力物力。本文首先介绍了国内外风力发电的发展现状,其次简要描述了风力发电机组的基本结构,然后针对风力发电机组主要部件的常见故障原因和处理对策进行了分析与研究,目的是为了保证风力发电机组安全运行,减少故障发生率,提高风力发电机组的运行可靠性。     

非晶FeCoSiB磁弹性薄膜的应力阻抗效应

磁弹性薄膜中的应力阻抗效应有望在高灵敏应力/应变传感器中得到应用,这引起了人们的广泛研究兴趣.我们利用磁控溅射的方法在玻璃基片上制备了FeCoSiB薄膜和FeCoSiB/Cu/FeCoSiB多层膜,并在真空中退火以获得较好的磁弹性,接着在200kHz～1 0MHz范围内测试了薄膜的应力阻抗效应.结果表明,退火可增强磁弹性薄膜的应力阻抗效应,并且FeCoSiB/Cu/FeCoSiB多层薄膜比FeCoSiB薄膜具有更高的应力阻抗效应.     

FeCoSiB单层和FeCoSiB/Cu/FeCoSiB多层磁弹性膜应力阻抗性能研究

用磁控溅射法在玻璃基片上制备了FeCoSiB单层膜和FeCoSiB/Cu/FeCoSiB多层膜,并进行磁场退火热处理以消除残余应力和形成磁场织构.薄膜的磁性能采用振动样品磁强计(VSM)进行测试,采用HP4275A型阻抗分析仪在200kHz～10MHz频率范围内测试了薄膜的应力阻抗(SI)效应.结果表明,磁场退火热处理可形成感生磁各向异性以及提高薄膜的SI效应,在10MHz测试频率下,FeCoSiB薄膜的△Z/Z可达1.5%,而FeCoSiB/Cu/FeCoSiB的可达8%.随着测试频率下降到1MHz时,薄膜的SI效应显著下降.     

求真务实从讲实话开始

讲实话,是对领导干部的起码要求。敢不敢讲实话,能不能坚持讲实话,是检验领导干部思想作风的重要标准。     

第三代稀土蓄光型发光材料的研究进展

介绍了第三代稀土蓄光型发光材料当前流行的几种制备方法,并探讨其发光颜色、余辉强度及时间和发光蓄光机理,对其应用前景进行了展望。     

热处理温度对FeCoSiB薄膜及FeCoSiB/Cu/FeCoSiB三明治膜应力阻抗效应的影响

采用DC磁控溅射法在玻璃基片上制备了FeCoSiB薄膜和FeCoSiB/Cu/FeCoSiB 三明治膜,并进行磁场退火热处理以消除残余应力和形成磁织构,提高薄膜的应力阻抗效应。薄膜的磁性能采用振动样品磁强计(VSM)进行测试,采用HP4275A 型阻抗分析仪在200kHz~10MHz频率范围内测试薄膜的应力阻抗效应。结果表明,磁场退火热处理可形成感生磁各向异性,改善薄膜的软磁性能、提高薄膜的应力阻抗效应。在温度低于300℃时,随着退火温度的增加,薄膜的应力阻抗效应增大;当退火温度超过300℃时,薄膜的应力阻抗效应随退火温度增加而降低。与Fe CoSiB单层膜相比, FeCoSiB/Cu/FeCoSiB 三明治膜应力阻抗效应较大。10MHz测试频率下,在基片末端位移为450μm时,经300℃热处理的三明治膜达到了8.3%,而单层膜仅有1.86%。当测试频率较高为10和4MHz时,薄膜的应力阻抗效应变化不大,当测试频率下降到低于1MHz时,薄膜的应力阻抗效应显著降低。