定向生长碳纳米管阵列热界面材料技术研究

热界面材料技术是三维系统级封装中的关键技术。文章采用新型定向生长碳纳米管阵列方法制备了热界面材料,并研究了其导热性能。实验结果表明,通过采用50/100/100 nm厚的Ti/Ni/Au金属层和Sn64Bi35Ag1导热焊料,可成功实现碳纳米管阵列的100%转移;通过热释放胶带(Nitto Denko,Part Number:#3198MS)可获得悬浮碳纳米管阵列。文章还通过LFA 447激光导热仪分别测量了热界面材料在25℃、75℃和125℃下的热扩散系数,并计算了其表观热导率,还进行了热循环可靠性测试。结果表明,所选用碳纳米管阵列的表观热导率高于42 W/(m·K),200次热循环后的表观热导率高于41 W/(m·K);转移后的碳纳米管阵列的表观热导率高于28 W/(m·K),200次热循环后仍高于24 W/(m·K)。     

低共熔溶剂脱除硫化氢的研究进展

涉及天然气、煤制气和石油裂解气等气体的生产过程会产生大量含硫酸气，其中硫化氢(H₂S)既是一种剧毒气体，也是重要的硫资源。随着环保和减碳政策的实施，含硫酸气中的H₂S脱除问题受到广泛关注，低共熔溶剂作为一种新兴的溶剂被应用到含硫酸气的净化中。分析、总结了低共熔溶剂的合成方法及性质，综述了低共熔溶剂在H₂S脱除方面的机理研究及应用，讨论了H₂S脱除技术所面临的问题，并对低共熔溶剂作为脱硫剂的发展趋势进行了展望。