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1.
分子动力学模拟可以直接表征体系原子的行为,因此成为研究氮化硼相关材料微观导热机理的重要工具,但目前尚没有关于氮化硼材料模型尺寸对其热传导相关性质影响规律的研究。该文采用平衡态分子动力学并结合 Green-Kubo 方法,研究了纯净氮化硼单层结构热导率、声子色散关系以及态密度随模拟尺寸的变化规律,并解释了其内部机理。实验发现,氮化硼单层材料热导率随着模拟尺寸的增大而减小,并在单层面积约 4.1 nm×4.1 nm 时收敛于(349±22)W/(m?K),此收敛值远小于平衡态分子动力学计算中石墨烯热导率的收敛尺寸(10 nm×10 nm),这说明氮化硼单层中声子之间的散射大于石墨烯。此外,不同于热导率,氮化硼单层结构的声子色散曲线、态密度几乎不受模拟尺寸的影响。该研究结果可为采用平衡态分子动力学研究氮化硼相关材料的微观导热机理提供重要参考。  相似文献   
2.
石墨烯的高热导率使其成为导热复合材料中重要的填料,然而填料间的界面热阻极大地阻碍 了填料间的热传输。对石墨烯边缘进行官能化可以在石墨烯边缘界面间引入共价键或氢键连接,以取 代范德瓦尔斯(Van Der Waals)相互作用连接,从而有望增强界面热传导。该文系统研究了边缘化学吸 附—COOH 的石墨烯片间界面传热性质,探讨了石墨烯片间距离以及官能化密度对于界面热阻的影 响。研究表明,随着两片石墨烯边缘间距减小,边缘化学吸附—COOH 的石墨烯片间界面热导逐渐收 敛于5×108 W/(m2·K)附近。这相比于 H 边缘官能化的石墨烯片间界面热导提高了一个数量级。界面 热导随着官能化密度的提高显示出非线性单调提升。进一步的研究显示,官能化密度与石墨烯边缘界 面间距存在协同效应,官能化密度的增加提高了界面间的相互作用,减小了石墨烯边缘界间距,从而 增强了界面热导。该研究结果可为氢键对于石墨烯填料界面传热调控提供重要参考。  相似文献   
3.
随着电子封装行业的迅猛发展,业界对封装结构可靠性的要求也越来越严格。目前大多数人 将泊松比视为定值,这将在一定程度上影响可靠性评估。为了进一步提高可靠性,适当考虑材料泊松 比对封装结构的影响具有重要的工程实践意义。该文利用有限元分析法,通过设计芯片仿真和板级封 装仿真,分别探究了环氧塑封料泊松比对芯片翘曲、芯片界面应力以及板级封装焊点寿命的影响。通 过分析可知:环氧塑封料泊松比可变对封装结构的翘曲具有较大的影响,而且有可能造成芯片界面分 层、芯片达到应力极限而损坏,此外也需要适当考虑泊松比对焊点寿命的影响。随着芯片不断向着大 尺寸方向发展,研究材料泊松比将具有更为重要的意义。  相似文献   
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