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1.
扫描电子显微镜对于研究材料的表面形貌非常重要。低能二次电子主要反映试样的表面形貌特征,而较高能量的背散射电子既可在一定程度上反映试样的表面特征,也可表征试样的内部成分和结构差异。采用Monte Carlo计算模拟方法可以研究电子在有几何边界的试样表面附近及内部的相互作用过程,从而得到二次电子和背散射电子信号的各种分布,这将有助于理解扫描电子显微镜的成像机制和图像衬度机理。  相似文献   
2.
用于模拟固体中电子散射轨迹的蒙特卡洛方法已经在电子探针、电子束微分析和电子束光刻等领域得到极其广阔的应用。扫描电子显微学中,借助于该方法我们可以从理论上系统地研究二次电子和背散射电子的信号产生和发射过程,从而理解各种衬度形成的物理机制。  相似文献   
3.
扫描电镜中的低能二次电子信号主要反映试样的表面形貌特征,而较高能量的背散射电子信号既包含了试样的表面信息,也可表征试样的结构差异和内部成分。对二次电子和背散射电子信号产生过程的计算模拟研究有助于理解扫描电子显微镜的成像机制和图像衬度机理,但现在的计算一般仅局限  相似文献   
4.
利用Mollte Carlo计算方法可以模拟电子束与样品的相互作用过程,从而了解扫描电子显微学中信号的产生机制,本工作中,我们采用体构件法来产生复杂试样的几何构型,利用光线追踪算法求得散射事件间的步长抽样修正。电子散射的物理模型则采用Mott散射截面描述电子与原子间的弹性相互作用,以及用介电函数理论描述电子与固体的非弹性相互作用,同时还考虑到了二次电子的级联产生过程.以此,我们模拟计算出了若干复杂几何体的二次电子像和背散射电子像。  相似文献   
5.
本文通过Monte Carlo方法模拟计算了定量俄歇电子能谱分析(如对Ni的LVV俄歇电子和Pt的M5N67N67俄歇电子)中的背散射因子。由于计算中结合了相关领域的各种最新进展.因此该新计算可以为定量俄歇电子能谱分析提供更为准确的参数。  相似文献   
6.
Pt纳米颗粒/C基底体系是典型的纳米催化剂应用体系,本文采用蒙特卡罗方法模拟了该体系的扫描电子显微镜成像。给出了不同尺度的Pt纳米颗粒在C基底中不同深度下二次电子和背散射电子成像的衬度。计算结果显示:(1)在PI/C衬度的形成中,材料的原子序数衬度而不是形貌衬度起了主要作用:(2)只有分布在C基底表面或者表面以下很浅深度内(大约三倍颗粒直径)的Pt颗粒才可以在二次电子信号中被观察到,而背散射信号中则可以观察到更深的Pt颗粒(大约五倍颗粒直径);(3)当颗粒尺度小于几十纳米时。其二次电子信号衬度与通常微米尺度的情形有很大不同,最亮处位于颗粒的中央而不是边缘,且随着颗粒尺度的降低。二次电子产额绝对值也相应降低。  相似文献   
7.
Uniform core-shell Eu3+:Y2O3/SiO2 spheres were synthesized via precipitation and the Stber method.The structural transition of core-shell Eu3+:Y2O3/SiO2 was studied by using high pressure photoluminescence spectra.With pressure increasing,the emission intensities of 5D0→7F0,1,2 transitions of Eu3+ ions decreased and the transition lines showed a red shift.The relative luminescence intensity ratio of 5D0→7F2 to 5D0→7F1 transitions decreased with increasing pressure,indicating lowering asymmetry around Eu3+ ions.During compression,structural transformation for cores in the present core-shell Eu3+:Y2O3/SiO2 sample from cubic to monoclinic took place at 7.5 GPa,and then the monoclinic structure turned into hexagonal above 15.2 GPa.After the pressure was released,the hexagonal structure transformed back to monoclinic and the monoclinic structure was kept stable to ambient pressure.  相似文献   
8.
电子束光刻中邻近效应校正的几种方法   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文简要介绍了限制电子束光刻分辨率的主要因素之一-邻近效应的产生机制,列举了校正邻近效应的GHOST法、图形区密集度分布法和掩模图形形状改变法,介绍了每种方法的原理、步骤和效果,比较了它们各自的优缺点.  相似文献   
9.
Yb3+ and Er3+ co-doped BaBi4Ti4O15(BBT) ceramic samples showed brighter up-conversion photoluminescence(UC-PL) under excitation of 980 nm. The monotonous increase of fluorescence intensity ratio(FIR) from 525 to 550 nm with temperature showed that this material could be used for temperature sensing with the maximum sensitivity to be 0.0046 K–1 and the energy difference was 700 cm–1. Moreover, the sudden change of red and green emissions around 400 oC might imply a phase transition. With increasing pressure up to 4 GPa, the PL intensity decreased but was still strong enough. These results illustrated the wide applications of BBT in high temperature and high pressure conditions.  相似文献   
10.
Simulation of Auger electron image contrast formation is helpful for analyzing the images in scanning Auger microscopy/microanalysis(SAM),which provides elemental and chemical composition of surface and,thus,applies to the material evaluation and identification for many kinds of materials.  相似文献   
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