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1.
通过对美国雪佛龙公司担任作业者的川东北天然气项目承包商HSE管理模式的调查研究,分析雪佛龙公司在川东北天然气项目中对承包商HSE管理的主要做法,包括资质预审、承包商选择、作业前风险评估、承包商培训、作业过程监督、承包商评价、承包商审计、承包商正向激励等。在此基础上,针对国内石油石化行业承包商HSE管理中的难点问题提出建立完善多元化承包商选择机制、内部承包商绩效评价机制、承包商管理人员培养机制、承包商管理工作标准及程序、承包商管理信息化系统等对策措施。  相似文献   
2.
本阐述了应用国产UHV/CVD设备处延生长的GeSi/Si材料碳、氧含同的原因,定量地分析了有害残余气体的成分,提出了改善处延生长环境提高GeSi/Si材料性能的有效方法。  相似文献   
3.
城市空间增长影响因素的多样和动态性使城市的空间生长在不确定中不断寻找平衡点,遗传算法思想正好从不同方面反映了这种城市空间增长的动态性理念。通过对空间增长适宜度的量化研究,试图找出通过遗传算法量化计算获得不同发展目标下的多种城市空间增长方案的方法和策略,并对该方法面临的实际问题及改进的思路进行了分析和探讨。  相似文献   
4.
采用 UHV / CVD系统 ,在 Si衬底上生长了具有渐变 Si1 - x Gex 缓冲层结构的弛豫 Si0 .76 Ge0 .2 4虚衬底和 5个周期的 Si0 .76 Ge0 .2 4/ Si多量子阱 .在渐变 Si1 - x Gex 缓冲层生长过程中引入原位退火 ,消除了残余应力 ,抑制了后续生长的 Si Ge中的位错成核 .透射电子显微照片显示 ,位错被有效地限制在组份渐变缓冲层内 ,而 Si Ge上层和 Si Ge/Si量子阱是无位错的 .在样品的 PL 谱中 ,观察到跃迁能量为 0 .96 1e V的 型量子阱的无声子参与 (NP)发光峰 .由于 型量子阱中电子和空穴不在空间同一位置 ,较高光功率激发下引起的高浓度载流子导致能带弯  相似文献   
5.
研究了Si1-x-yGexCy三元系材料的应变补偿特性,分析了固相外延方法制备的样品中注入离子的分布对应变补偿效果的影响,指出由于Ge和C的投影射程及标准偏差不同,二在各处的组分比并不恒定,存在着纵向分布,因此各处的应变补偿情况也不尽相同。利用高斯公式对不同位置的应变补偿效果进行了分析,得出了外延层中存在应变完全补偿区域时Ge、C的峰值浓度比NGe/Nc应满足一定的取值范围。通过制备不同C组分的样品对上述结论进行了验证,得出的结果与理论预言基本相符。  相似文献   
6.
于卓 《乙烯工业》2003,15(1):16-21
介绍石油化工蒸汽系统顶层分析,并通过实例分析阐明,在顶层分析的指导下进行蒸汽系统优化可以给工厂带来可观的经济效益。  相似文献   
7.
高等级公路路侧景观对交通安全影响的综合评价方法   总被引:1,自引:1,他引:1  
利用加权算术平均的方法将专家咨询和模糊一致矩阵评价方法相结合,建立了高等级公路全线路侧景观对交通安全影响的综合评价模型。通过对吉林省“安二”公路的实证研究,验证了本方法的可行性和有效性。  相似文献   
8.
以三维形式的思维方式为理论依托,提出三维数字模型作为另一种思维载体而应用在建筑设计中;并阐述三维数字模型的特殊优势,在建筑设计中的具体应用以及其应用对设计思维方式的改变.  相似文献   
9.
利用 Si H4 和 Ge H4 作为源气体 ,对 UHV/CVD生长 Si1- x Gex/Si外延层的表面反应机理进行了研究 ,通过 TPD、RHEED等实验观察了 Si( 1 0 0 )表面 Si H4 的饱和吸附、热脱附过程 ,得出 Si H4 的分解应该是每个 Si H4 分子的 4个 H原子全部都吸附到了 Si表面 ,Si H4 的吸附率正比于表面空位的 4次方 ,并分析了 Ge H4 的表面吸附机制 .在此基础上建立了 UHV/CVD生长Si1- x Gex/Si的表面反应动力学模型 ,利用模型对实验结果进行了模拟 ,二者符合得很好  相似文献   
10.
利用SiH4和GeH4作为源气体,对UHV/CVD生长Si1-xGex/Si外延层的表面反应机理进行了研究,通过TPD、RHEED等实验观察了Si(100)表面SiH4的饱和吸附、热脱附过程,得出SiH4的分解应该是每个SiH4分子的4个H原子全部都吸附到了Si表面,SiH4的吸附率正比于表面空位的4次方,并分析了GeH4的表面吸附机制.在此基础上建立了UHV/CVD生长Si1-xGex/Si的表面反应动力学模型,利用模型对实验结果进行了模拟,二者符合得很好.  相似文献   
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