全文获取类型
收费全文 | 14231篇 |
免费 | 763篇 |
国内免费 | 786篇 |
专业分类
电工技术 | 1206篇 |
技术理论 | 1篇 |
综合类 | 1105篇 |
化学工业 | 1569篇 |
金属工艺 | 668篇 |
机械仪表 | 852篇 |
建筑科学 | 1359篇 |
矿业工程 | 683篇 |
能源动力 | 354篇 |
轻工业 | 1421篇 |
水利工程 | 605篇 |
石油天然气 | 788篇 |
武器工业 | 128篇 |
无线电 | 1444篇 |
一般工业技术 | 1007篇 |
冶金工业 | 726篇 |
原子能技术 | 321篇 |
自动化技术 | 1543篇 |
出版年
2023年 | 204篇 |
2022年 | 237篇 |
2021年 | 238篇 |
2020年 | 324篇 |
2019年 | 397篇 |
2018年 | 353篇 |
2017年 | 158篇 |
2016年 | 192篇 |
2015年 | 293篇 |
2014年 | 733篇 |
2013年 | 479篇 |
2012年 | 615篇 |
2011年 | 712篇 |
2010年 | 650篇 |
2009年 | 591篇 |
2008年 | 574篇 |
2007年 | 646篇 |
2006年 | 602篇 |
2005年 | 626篇 |
2004年 | 505篇 |
2003年 | 488篇 |
2002年 | 452篇 |
2001年 | 379篇 |
2000年 | 521篇 |
1999年 | 514篇 |
1998年 | 466篇 |
1997年 | 480篇 |
1996年 | 421篇 |
1995年 | 367篇 |
1994年 | 398篇 |
1993年 | 312篇 |
1992年 | 312篇 |
1991年 | 271篇 |
1990年 | 319篇 |
1989年 | 209篇 |
1988年 | 80篇 |
1987年 | 100篇 |
1986年 | 98篇 |
1985年 | 85篇 |
1984年 | 48篇 |
1983年 | 67篇 |
1982年 | 55篇 |
1981年 | 59篇 |
1980年 | 47篇 |
1979年 | 26篇 |
1978年 | 9篇 |
1976年 | 11篇 |
1974年 | 9篇 |
1966年 | 8篇 |
1965年 | 8篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
将热压扩散连接冶金法应用于超声波模拟试块制备的应用研究,设计制备含有不同深度、宽度的矩形缺陷阵列试块并进行表征研究。利用石墨限位装置实现3~1 mm梯度的3种试块轴向变形极限条件,实施热压扩散连接试验。所制备试块分析结果表明:3种变形极限条件下,试块连接质量均较好,且试块轴向和径向变形量得到不同程度的限制;设计深度为2.0、1.0和0.5 mm的系列缺陷均能保留,预制缺陷的宽/深比小于3.6时,缺陷不会发生熔合;1 mm变形极限下,可获得最为完整的预制缺陷状态。无损检测结果显示各条件下试块预制矩形缺陷边界清晰;微观形貌显示连接界面区域组织扩散熔合充分且无明显影响预制缺陷的自生有害缺陷生成;连接界面区域与基体金相组织无明显区别,且化学元素分布均匀;热压扩散连接冶金方法可以应用于无损检测模拟试块的研制。 相似文献
2.
4.
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,研究掺杂单个Al、Zn、Cu、Ni、Li、Zr原子对3C-SiC/Mg体系界面结合的影响,选取代表性的Zn原子和Zr原子进行Mulliken电荷、重叠布居数和态密度计算分析。结果表明,3C-SiC/Mg界面模型最稳定的堆垛结构是将5层的Mg(0001)堆垛在10层的 3C-SiC(111)面上,C封端的中心型模型在6种3C-SiC/Mg模型结构中分离功最大,界面间距最小,界面的润湿性最好;掺杂Zn原子后,3C-SiC/Mg-Zn体系的分离功减小,掺杂的Zn原子与Mg原子成反键,态密度中赝能隙变小使得3C-SiC/Mg-Zn体系的共价键性减弱,不利于3C-SiC/Mg-Zn界面结合; 掺杂Al、Cu、Ni、Li、Zr原子后,体系的分离功增大,Zr原子对界面润湿性的改善效果最好。掺杂Zr原子后,界面层Mg原子与Si原子的反键消失,与C原子在界面处形成Zr-C强共价键,态密度离域性增强,成键能力增强,导致3C-SiC/Mg-Zr体系的分离功增大最多。 相似文献
5.
以Ti、B4C和Al-12Si粉末为原材料,通过超声辅助激光沉积制备了原位TiC-TiB2/Al-12Si铝基复合材料。采用XRD、EDS分析了复合材料的物相组成,通过OM、SEM观察了复合材料的微观组织,利用摩擦磨损试验机和三维轮廓仪测试了复合材料的磨损性能。结果表明,随Ti+B4C含量的增加,ɑ-Al晶粒细化,原位生成的TiB2呈棒状,且可成为ɑ-Al的异质形核核心;原位生成的TiC为150nm多边形形貌。随Ti+B4C含量的增加,原位TiC-TiB2/Al-12Si铝基复合材料的耐磨性提高;未加入Ti+B4C的Al-12Si合金磨损机制为粘着磨损;当Ti+B4C的加入量为8wt.%时,磨损机制为磨粒磨损;当Ti+B4C的加入量为10wt.%时,其磨损机制转变为粘着磨损。 相似文献
6.
预置纵向交变磁场对铝/钢异种材料进行激光搭接深熔焊试验,采用金相显微镜、扫描电镜等分析方法研究交变磁场对接头宏观形貌、显微组织、元素分布、力学性能及其断裂方式的影响. 结果表明,外加交变磁场作用下铝/钢接头焊缝的熔宽减小、熔深增加. 交变磁场诱导焊缝熔池中产生的电磁力促使界面层形成的IMCs由连续分布转向离散分布,成分偏析和裂纹缺陷得到抑制. 界面层IMCs可能由ζ-FeAl2,θ-FeAl3和β2-FeAl组成. 与未加磁场相比,外加磁场辅助激光焊接可以提高接头的载荷能力,这主要归功于结合面积的增加与焊缝IMCs组织的细化. 相似文献
7.
直线游标永磁(linear vernier permanent-magnet, LVPM)电机具有高功率密度和高推力密度的优点,并且其制造成本和维护成本低,非常适用于城市轨道交通。但采用传统的单逆变器驱动LVPM电机时,直流侧母线电压的利用率偏低。本文通过分析LVPM电机的数学模型,研究了开绕组LVPM电机的空间矢量脉宽调制(space vector pulse width modulation, SVPWM)策略,提出了一种目标矢量解耦控制策略,并搭建仿真平台进行了验证。仿真结果验证了上述方法的正确性。 相似文献
8.
9.
为阐明哈密瓜脱氢抗坏血酸还原酶(dehydroascorbate reductase,DHAR)基因的基本性质及在响应冷胁迫过程中的表达水平,基于生物信息学对2 个哈密瓜DHAR基因(CmDHAR)的基本信息、多序列比对、系统进化关系、共线性关系、基因结构域特征、蛋白质三级结构、蛋白质-蛋白质相互作用及冷胁迫下的抗坏血酸(ascorbic acid,AsA)含量、DHAR活力、DHAR基因的表达水平及其基因集富集分析(gene set enrichment analysis,GSEA)进行研究。结果表明,2 个CmDHAR编码蛋白氨基酸的长度分别为297 aa与206 aa,等电点分别为8.67与5.99,分子质量为33 082.9 Da与22 891.6 Da。多序列比对结果表明CmDHAR基因具有保守性较高的谷胱甘肽-S-转移酶(glutathione S-transferase,GST)-N端功能结构域。基因结构分析结果表明CmDHAR包含6 个外显子、6 个保守基序、3 类顺式作用元件。共线性分析表明哈密瓜与西葫芦、笋瓜和南瓜在物种进化过程中更为接近。蛋白质三级结构预测CmDHAR2主要包含α-螺旋、无规卷曲、延伸链和β-转角等。蛋白互作分析表明CmDHAR家族蛋白与哈密瓜其他GST家族蛋白之间联系紧密。冷胁迫下耐冷型哈密瓜“伽师瓜-310”中的AsA含量、DHAR活力及CmDHAR基因表达量明显高于不耐冷型的“金皇后-308”。GSEA结果表明CmDHAR基因参与结构分子活性、大分子复合物、细胞膜封闭内腔以及抗氧化活性等生物过程。本研究阐明了CmDHAR的生物信息学特点,证明了DHAR基因在哈密瓜抵御冷胁迫过程中的重要性。 相似文献
10.
为评价动态超高压微射流技术对滇黄精多糖提取的适用性,通过比较动态超高压微射流辅助提取与常规热水浸提所得滇黄精多糖的得率、结构特征(分子质量、黏度、单糖组成、红外光谱)、功能活性(1,1-二苯基-2-三硝基苯肼(1,1-diphenyl-2-picrylhydrazyl,DPPH)自由基清除能力、α-糖苷酶抑制活性和酪氨酸酶抑制活性),明确动态超高压微射流提取对滇黄精多糖结构和活性的影响。结果表明,动态超高压微射流辅助提取滇黄精多糖得率为热水浸提得率的1.63 倍;与热水浸提相比,动态超高压微射流提取技术降低了滇黄精多糖的分子质量(27.90%)和黏度(29.04%),改变了滇黄精多糖的单糖组成,提高了滇黄精多糖的DPPH自由基清除能力和α-糖苷酶抑制活性,但对滇黄精多糖主要结构和酪氨酸酶抑制活性无明显影响。综上,动态超高压微射流技术在提高滇黄精多糖得率、增强其抗氧化和降血糖活性方面均有明显优势,是一种具有前景的滇黄精多糖提取方法,本研究可为滇黄精多糖的高效提取提供一定的科学依据。 相似文献