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1.
正1 问题的提出我单位有2台凸轮轴磨床,一台1996年从日本NTC公司引进,采用无靠磨磨削技术;另一台1986年从日本NTC公司引进,采用传统刚玉砂轮靠磨仿型的磨削工艺。2台机床控制系统均采用20世纪80年代的主流控制装置,其核心技术是微进给控制单元,即集进给量、锥度补偿、手动拨码开关等为一体。1986年引进的日本NTC公司传统靠磨仿型凸轮轴磨床的控制系统属开环控制,这种传统的磨削方式在技术上给凸轮轴的磨削带来了不少问题,主要表现为凸  相似文献   
2.
黄静  唐路  陈庆  施敏 《半导体技术》2012,37(10):760-763
基于传统带隙基准源的电路结构,采用电平移位的折叠共源共栅输入级和甲乙类互补推挽共源输出级改进了其运算放大器的性能,并结合一阶温度补偿、电流负反馈技术设计了一款低温度系数、高电源电压抑制比(PSRR)的低压基准电压源。利用华润上华公司的CSMC 0.35μm标准CMOS工艺对电路进行了Hspice仿真,该带隙基准源电路的电源工作范围为1.5~2.3 V,输出基准电压为(600±0.2)mV;工作温度为10~130℃,输出电压仅变化8μV,温度系数为1.86×10-6/℃,低频时PSRR为-72 dB。实际流片进行测试,结果表明达到了预期结果。  相似文献   
3.
本文设计了一种电流模式下,带电流模直流失调消除(DCOC)电路的class-AB的可编程增益放大器。电路基于电流放大器,可以实现40dB的增益动态范围,增益步长为1dB。电流模可编程增益放大器由0.18-μm CMOS工艺实现,电路具有较宽的电流增益范围、较低的直流功耗和较小的芯片面积。放大器电路芯片面积为0.099μm2,在1.8V电压下静态电流为2.52mA。测试结果表明电路增益范围为10dB到50dB,增益误差为±0.40dB,OP1dB为11.80dBm到13.71dBm,3dB带宽为22.2MHz到34.7MHz。  相似文献   
4.
一种千兆以太网控制器中VCO的设计   总被引:3,自引:0,他引:3  
随着通信网络技术的迅速发展 ,以太网技术得到了广泛的运用。千兆以太网是以太网的一种 ,作为一种新的网络体系 ,千兆以太网已成为组建局域网的首选方案。本文中所提出的 VCO(压控振荡器 )是千兆以太网控制器中 PLL (锁相环 )的一个部分。由于 VCO决定了控制器的工作速率 ,因此 VCO的设计是千兆以太网控制器设计的关键。本文给出了 VCO的电路仿真的结果与设计出的版图 ,并对电路与版图的设计方法进行了探讨。本文中所设计的 VCO采用了 TSMC 0 .2 5μm CMOS工艺实现 ,中心振荡频率为 1.2 5 GHz,输出电压的幅度为 62 0 m V,版图的面积为 10 0× 10 0μm2。  相似文献   
5.
1990年代以来国内大都市区研究回顾与展望   总被引:6,自引:1,他引:5  
对1990年以来国内大都市区的研究从概念、界定、形成机制、发展阶段及总体特征、空间结构、规划等10个方面作了回顾,对这些研究进行了简评,并对大都市区未来的研究进行了展望。  相似文献   
6.
国产轮胎压路机多数采用国外的设计和生产技术,用户反 映某种型号的压路机在使用过程中往往会出现一些问题,如 轴的强度不够、轴承的使用寿命短等,主要原因是轴的结构 和尺寸不合理,或材质不合格。前轮轴系可做如下结构改进。  相似文献   
7.
对无线局域网接收机用锁相环型频率综合器的几项关键技术进行了研究.首先分析了锁相环型频率综合器的结构并提出了系统的主要参数.采用TSMC 0.18μm射频CMOS工艺设计了一个具有低相位噪声的单片LC调谐型压控振荡器.其在4.189GHz频点上4MHz频偏处所测得的相位噪声为-117dBc/Hz.采用TSMC 0.18μm混合信号CMOS工艺实现了具有低功耗的下变频模块电路.该电路在1.8V电源供电下可正常工作,功耗为13mW.  相似文献   
8.
9.
This paper proposes a direct injection-locked frequency divider(ILFD) with a wide locking range in the Ka-band. A complementary cross-coupled architecture is used to enhance the overdriving voltage of the switch transistor so that the divider locking range is extended efficiently. New insights into the locking range and output power are proposed. A new method to analyze and optimize the injection sensitivity is presented and a layout technique to reduce the parasitics of the cross-coupled transistors is applied to decrease the frequency shift and the locking range degradation. The circuit is designed in a standard 90-nm CMOS process. The total locking range of the ILFD is 43.8% at 34.5 GHz with an incident power of –3.5 dBm. The divider IC consumes 3.6 mW of power at the supply voltage of 1.2 V. The chip area including the pads is 0.50.5 mm2.  相似文献   
10.
IE小技巧     
IE5.0较以前的版本确有许多改进之处。下面是作总结出的关于IE5.0的8则小技巧,看看你是否需要。如果你还有更好的,也不妨告诉我。——石头  相似文献   
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