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1.
文中借助Fischer函数将水平线性互补问题(HLCP)等价转化为一个方程系统,并讨论(HLCP)的解的结构及其误差界. 相似文献
2.
自动剪切生产线的PLC控制系统设计 总被引:1,自引:0,他引:1
为使自动剪切生产线设备协调运行,设计其控制系统。系统以可编程控制器(PLC)为核心,还包括触摸屏、变频器、伺服驱动器/伺服电机等部件。送料长度在触摸屏上设置,PLC根据设定值计算出脉冲数后向伺服驱动器发送,控制伺服电机送料,从而实现精确的伺服定位,其定位精度可达1m±0.01mm。 相似文献
3.
塔里木盆地塔中地区火成岩发育,纵向上从二叠系至前震旦系主要发育有4期,严重地影响了该区构造圈闭落实的可靠性以及油气藏后期的保存条件,也是塔中18、21、22等井钻探失败的主要原因。为降低钻探风险,在该区进行了火成岩体识别与预测技术攻关,总结出了7种方法,它们的相互配合,可以较为有效地预测火成岩分布以及火成岩对下伏构造的影响,指导该区勘探;通过中1井的钻探,已经取得了较好的效果。 相似文献
4.
5.
张传林 《西安工业大学学报》2007,27(5):504-506
在实Banach空间中,利用锥理论和单调迭代方法,推广了A(x,y) Mx中混合单调条件,用A(x,y) Tx来代替以往的混合单调性.给出了一类非单调算子方程x=A(x,x)解的存在性定理,并对脉冲微分方程初值问题进行了讨论. 相似文献
6.
7.
PdSe2薄膜主要通过机械剥离法和气相沉积法制得, 本研究采用一种简单有效的可在SiO2/Si衬底上制备PdSe2薄膜的方法。通过高真空磁控溅射技术在SiO2/Si衬底上沉积一层Pd金属薄膜, 将Pd金属薄膜与Se粉封在高真空的石英管中并在一定的温度下进行硒化, 获得PdSe2薄膜。根据截面高分辨透射电镜(HRTEM)照片可知PdSe2薄膜的平均厚度约为30 nm。进一步研究硒化温度对PdSe2薄膜电输运性能的影响, 当硒化温度为300 ℃时, 所制得的PdSe2薄膜的体空穴浓度约为1×1018 cm-3, 具有最大的室温迁移率和室温磁阻, 分别为48.5 cm2·V-1·s-1和12%(B=9 T)。值得注意的是, 本实验中通过真空硒化法获得的薄膜空穴迁移率大于通过机械剥离法制得的p型PdSe2薄膜。随着硒化温度从300 ℃逐渐升高, 由于Se元素容易挥发, Pd薄膜的硒化程度逐渐减小, 导致薄膜硒含量、迁移率和磁电阻降低。本研究表明:真空硒化法是一种简单有效地制备PdSe2薄膜的方法, 在贵金属硫族化合物的大面积制备及多功能电子器件的设计中具有潜在的应用价值。 相似文献
8.
正交插值可以由低通滤波法和多相滤波法来实现,文中从实现方式、采样率、滤波器方面进行了比较,使用matlab对两种方法进行了仿真分析,并在分析的基础上分别使用Xilinx公司的Virtex4 FPGA实现了两种结构.通过比较得出,多相滤波法相对于低通滤波法有很多优点:结构简单、资源占用少且易于实现. 相似文献
9.
10.
提取有效的特征一直是笔迹鉴别的关键问题,针对传统Gabor滤波器特征提取方法存在的不足,充分利用Gabor滤波系数间的相关关系,提出一种融合全局特征和局部特征的特征提取方法。该方法先通过字符笔画的方向梯度直方图(HOG)来优化Gabor滤波器的角度参数,再利用高斯马尔科夫随机场(GMRF)模型对Gabor滤波图像中的不同局部结构信息进行描述,最终得到笔迹图像的整体特征。以楷书四大家的真迹样本和收集的英文手稿作为实验数据,采用最小加权欧式距离分类器对笔迹样本进行分类,通过五重交叉验证法分别得到97.6%和88.3%的正确分类率,表明该方法提取的特征具有较强的笔迹表征能力,是一种有效的笔迹特征提取方法。 相似文献