CMOS兼容近红外Si0.7Ge0.3/Si p-i-n(SOI)光电探测器

报道了一种采用UHV/CVD锗硅工艺和CMOS工艺流程在SOI衬底上制作的横向叉指状Si0.7Ge0.3/Si p-i-n光电探测器.测试结果表明:其工作波长范围为0.7～1.1μm,在峰值响应波长为0.93μm,响应度为0.38A/W.在3.0V的偏压下,其暗电流小于1nA,寄生电容小于1.0pF,上升时间为2.5ns.其良好的光电特性以及与CMOS工艺的兼容性,为研制能有效工作于近红外光的高速、低工作电压硅基光电集成器件提供了一种新的尝试,在高速光信号探测等应用中有一定的价值.     

基于模型匹配的精馏塔产品质量非线性控制

将非线性系统模型匹配问题（MMP）应用于精馏塔产品质量控制器的设计,得到精馏塔的MMP非线性控制器,理论分析和仿真表明,该控制器实现了对部分干扰的解耦,具有良好的跟踪和调节特性。     

计算机数控系统光滑时间最优轨迹规划

基于控制向量参数化(CVP)方法, 研究了计算机数控(CNC)系统光滑时间最优轨迹规划方法. 通过在规划问题中引入加加速度约束, 实现轨迹的光滑给进. 引入时间归一化因子, 将加加速度约束的时间最优轨迹规划问题转化为固定时间的一般性最优控制问题. 以路径参数对时间的三阶导数(伪加加速度)和终端时刻为优化变量, 并采用分段常数近似伪加加速度, 将最优控制问题转化为一般的非线性规划(NLP)问题进行求解. 针对加加速度、加速度等过程不等式约束, 引入约束凝聚函数, 将过程约束转化为终端时刻约束, 从而显著减少约束计算. 构造目标和约束函数的Hamiltonian函数, 利用伴随方法获得求解NLP问题所需的梯度.     

精馏塔的H∞优化控制仿真

该文基于H∞控制理论对精馏塔设计了优化控制器,并进行了闭环仿真实验。仿真结果表明：当系统存在干扰时,H∞控制器比线性二次型最优调节器（LQR）使精馏塔实际达到的优化性能指标和综合控制指标都要好。     

时变需求下生产与库存系统的最优控制决策方法

针对供应链中库存随着需求的变化可能导致的积压和对生产(或采购)产生的不利影响,为了更好地协调生产(或采购)并减少产品库存,本文研究了以生产为中心的一类基于库存约束和动态线性时变需求下的多品种、多周期、多循环的生产与库存的最优控制模型,结合应用最优控制理论,给出了一种采用切比雪夫多项式逼近和高斯.切比雪夫数值积分对最优控制问题进行数值求解的方法.最后,对某一时变需求情况下的模型应用MATLAB软件进行了求解,得到了生产(采购)与库存的最优控制策略,有效地保证了供应链系统的持续稳定的循环.     

无人值守中压配电站智能防盗及防误联动系统的研究

通过对苏州配网现存问题的分析和研究,利用物联网技术和现代通信技术,提出了针对城市配电网的配电站智能防盗及防误系统的解决方案,介绍了该方案的组成、功能和相关产品。     

基于倍增技术的超低压高精度CMOS开关设计

设计一种能够工作在超低电源电压下的CMOS开关.该结构运用电压倍增器获得高压,此高压使开关产生的恒定大跨导和大信号摆幅能够在低压电路中传输信号,虚拟开关提高了信号传输精度.在分析电路工作机理的基础上,结合0.35μm标准工艺模型优化了电路参数.合理的电路结构设计和版图设计增加了电路的使用寿命.理论分析和Hsp ice模拟结果表明:该结构能够在低于1 V电源电压下工作,虚拟开关的应用使信号传输精度从69%提高到99.7%.该结构实现了低压下高精度的模拟开关设计.     

OSOD:一个油田开发规划优化决策系统

油田开发规划是一项复杂的系统工程,在一定投资下,要使得利润最大、产量最大,并且尽量降低成本,需要通过数学规划的方法进行科学合理的决策。为此,该文开发了油田开发规划优化决策系统,可以作为长期或短期油田开发规划的决策工具。     

ITO陶瓷靶材溅射过程中结瘤行为研究

ITO陶瓷靶材的结瘤行为严重影响靶材的应用及其溅射薄膜性能,对结瘤的形成机理进行深入研究具有重要意义.针对不同参数设置的ITO靶材进行磁控溅射,利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)以及X射线光电子能谱仪(XPS)等技术分析靶材在溅射过程中的结瘤行为.结果 表明:随着溅射时间的延长,刻蚀环深度增加,靶材表...