海上运动舰船目标价值分析模型

针对海上运动舰船与炮兵对海射击的特点,构建了目标价值分析指标体系,并采用模糊评判理论对各指标进行了逐一量化,运用层次分析法确定了各指标的权重,为炮兵对海射击运动舰船的价值分析与选择提供了一种可行且有效的途径．     

美国海军综合电子信息系统体系发展的管理与保障措施

美国海军是世界各国海军中装备体系最完整、一体化程度最高、发展最全面、信息化建设进程最快的国家。受网络中心战概念等新的信息化作战概念的影响,其装备体系进入了以网络为中心的综合一体化建设新阶段,目前已形成基本完整的思路,并反映在其转型战略和装备发展的规划中。     

300 mm直径硅外延片均匀性控制方法

随着摩尔定律的逐步实现,大直径硅片的应用规模逐渐扩大,然而,大直径硅外延片的片内均匀性成为了外延的主要问题之一.使用具有五路进气结构的单片外延炉生长300 mm直径硅外延片.相对于传统的三路进气结构,五路进气可以分别对硅片表面的5个区域的气流进行调节,实现单独分区调控,从而提升了外延层厚度均匀性的可调性.实验中,采用两步外延方法,进一步提升了片内电阻率均匀性.通过对工艺参数进行优化,300 mm硅外延片的外延层厚度不均匀性达到0.8％,电阻率不均匀性为1.62％(边缘排除5 mm),成功提升了300 mm直径硅外延片的外延层厚度和电阻率均匀性控制水平.     

现场手工TIG焊气孔缺陷的产生原因及防止措施

1　概况电站锅炉在安装时 ,受热面管子的安装ＤＬ5 0 0 7-92《电力建设施工及验收规范———焊接篇》的规定 ,一般要采用手工钨极氩弧焊打底 ,手工电弧焊盖面焊焊接工艺。我单位在安装一台ＤＨＬ35— 3.82型锅炉时 ,采用了手工钨极氩弧打底 ,盖面焊工艺。在施工中 ,经Ｘ射线探伤检查 ,发现管子对接环缝中存在大量的气孔缺陷 ,呈点状、链状及条状分布在整条环缝中。经采取严格施焊工艺 ,加强焊前坡口清理以及适当减少焊接速度等措施后 ,情况没有明显改变。2　气孔产生原因分析该锅炉 6 0× 3水冷壁管 , 38× 3.5省煤器管材质均为 2 0 #低碳…     

基于多模态特征融合的自主驾驶车辆低辨识目标检测方法

针对自主驾驶车辆在真实驾驶环境下对低辨识目标的识别问题,提出了基于多模态特征融合的目标检测方法.基于Faster R-CNN算法设计多模态深度卷积神经网络,融合彩色图像、偏振图像、红外图像特征,提高对低辨识目标的检测性能;开发多模态(3种)图像低辨识度目标实时检测系统,探索多模态图像特征融合在自动驾驶智能感知系统中的应...     

重掺As衬底上超高阻薄层硅外延片的制备

超高阻薄层硅外延片可用于制备光电探测器的二极管、瞬态电压抑制二极管等分立器件。利用E200型单片外延炉在直径为150 mm的重掺As硅单晶衬底上制备了参数可控且均匀性高的外延层。采用多次本征生长技术,在重掺As硅衬底边缘形成掺杂原子耗尽层,有效减少了重掺As硅衬底的自掺效应。同时应用低温外延技术、无HCl抛光技术,研制出超高阻薄层硅外延片,外延层电阻率为1 093Ω·cm,外延层厚度为12.06μm,满足外延层厚度(12±1)μm、外延层电阻率大于1 000Ω·cm的设计要求,片内电阻率不均匀性为4.36%,片内厚度不均匀性为0.5%。外延片已用于批量生产。     

高质量6英寸4H-SiC同质外延层快速生长

采用化学气相沉积法在6英寸(1英寸= 2.54 cm)4°偏角4H-SiC衬底上进行快速同质外延生长,通过研究Si/H2比(所用气源摩尔比)与生长速率的相互关系,使4H-SiC同质外延层生长速率达到101 μm/h.同时,系统研究了 C/Si比对4H-SiC同质外延层生长速率、表面缺陷密度和基面位错密度的影响.采用光学...     

烟火药自动混药生产线技术特点分析及质量监督

为进一步了解烟火药自动混药生产线的技术特点,实现对烟火药自动混药生产线进行准确的质量监督,结合烟火药的性能原理和日常质量监督工作,介绍自动混药生产线的总体概况、生产线各重要单机设备的功能和结构,重点探讨烟火药混药自动生产线的技术特点,并提出在质量监督工作中应注意的问题,为适应“软检测”要求奠定了一定的理论基础。     

浅谈复合板制压力容器设计和制造应注意的问题

本文针对复合板制压力容器设计和制造常见的问题进行了阐述, 并对I类和II类复合板制压力容器之间的异同和应注意的事项进行了深入论述。     

衬底去边宽度对高阻厚层硅外延片参数的影响

硅外延片的参数受衬底以及外延层两方面影响,研究了衬底背面SiO2层边缘去除宽度(简称去边宽度)对高阻厚层硅外延片参数的影响.对比0、0.3和0.5 mm三种去边宽度硅外延片的参数发现,去边宽度对外延层厚度不均匀性没有影响,对外延层电阻率不均匀性影响巨大,外延层电阻率不均匀性与衬底去边宽度呈正比.衬底去边宽度也会影响外延片的外观、表面颗粒以及滑移线.进一步研究了去边宽度对后续制备MOS管在晶圆片内击穿电压分布的影响,发现去边宽度越宽,晶圆片内MOS管击穿电压差越大.综合考虑外延片及其制备器件参数,选择0.3 mm为制备高阻厚层硅外延片的最佳去边宽度,可以获得优良的外延片参数及器件特性.