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1.
通过对接轨站设置位置和布置图型主要影响因素的分析。按照能够充分反映接轨站作业特点的交接方式。对接轨站所采用的布置图型进行了归纳和分类。 相似文献
2.
采用γ-胺丙基三甲氧基硅烷与表面硅羟基的反应,对介孔分子筛SBA-15进行了有机胺功能化,并对其进行了表征.XRD、SEM、比表面积测定、元素分析、TG和FT-IR的测定结果均表明,SBA-15表面成功地接枝上了有机胺功能基团,而六方结构特征基本保持. 相似文献
3.
隧道小孔中超薄SiO2的生长是EEPROM电路制造的关键工艺之一。采用SUPREM-Ⅲ工艺模拟程序对超薄SiO2的热生长进行了工艺模拟,经过大量的工艺实验及优化,确定了超薄SiO2的最佳生长条件,生长出的SiO2性能良好,完全可满足EEPROM研制的要求。 相似文献
4.
GaN的MOVPE生长和m-i-n型蓝光LED的试制 总被引:1,自引:0,他引:1
利用自行研制的常压MOVPE设备和全部国产MO源,采用低温生长缓冲层技术,在蓝宝石(α-Al2O3)衬底上获得了高质量的GaN外延层。未掺杂的GaN外延层的室温电子迁移率已达114cm2/V.s,载流于浓度为2×1018。77K光致发光谱近带边发射峰波长为365nm,其线宽为4DmeV。X射线双晶衍射回摆曲线的线宽为360arcsec。用Zn掺杂生长了绝缘的i-GaN层。在此基础上研制了m-i-n型GaN的LED,并在室温正向偏压下发出波长为455nm的蓝光。 相似文献
5.
6.
黄坛口水电站建于20世纪50年代。在第二次大坝安全定期检查中。发现钢闸门和启闭机存在许多缺陷。闸门和启闭机的更新改造已经进行,并取得良好效果。 相似文献
7.
9.
为了提高E^2PROM中N管源漏穿通电压,用实验的方法对制造工艺进行了研究。结果表明,高能量注入是提高VPT的有效手段,但受到pn结击穿的限制,只适用于低区短沟N管;DDD工艺大幅度高VPT,但pn结击穿电压低于20V,不能应用于高压MOS管;采用适量的防穿通注入和适当增大沟道长度为最理想的工艺途径。 相似文献
10.
社会网络是通过朋友关系、工作关系和信息交换等一组社会机制,将人、组织和其他社会团结联系在一起形成的网络,Web就是一种社会网络.在社会网络中要求有一种自然的机制对网络的真实性进行判断和评价,信任模型就是比较好的一种机制.基于社会网络,本文构建了一种网络信任模型,用来估算信任者和被信任者之间的信任等级,能够用于语义网的信任管理系统和社会网络的信任评价中.实验结果表明,该模型具有很好的效率和效果. 相似文献