Enhanced photoelectric properties of PbSnSe thin films via quick oxygen ion-implantation sensitization

Journal of Materials Science - Although chalcogenide materials continue to generate considerable interest due to great potentials for various optoelectronic devices, annealing for a long time in...     

基于STEAM的机器人竞技平台研发

基于创客和STEAM教育理念研制一种适用于中小学生的机器人竞技平台.通过机器人模块化设计分析和图形编程,达到了满足学生动手改装机器人需求的目的.该平台可以实现多机器人竞技赛和对抗赛,能够实时显示比赛图像、机器人位置信息和运行参数,并提供自动控制和遥控两种控制模式,自动完成实时计分与比赛结果统计,为机器人竞技比赛和中小学生STEAM教育提供了可靠设备.     

Detection of crowdedness in bus compartments based on ResNet algorithm and video images

Multimedia Tools and Applications - The crowding in bus is an important factor affecting passenger satisfaction and bus dispatching level. However, how to use video images to detect crowding...     

基于虚拟现实技术的食品安全应急演练系统

分析食品安全突发事件典型场景及产生的原因,利用虚拟现实技术基于Unity3D虚拟现实开发平台开发了食品安全应急演练系统,并优化系统运行的稳定性和流畅性。该系统实现了演练时沉浸式体验,人员通过仿真设备进入虚拟演练场景进行交互操作,进行实时演练有助于提升演练人员应急处置能力。     

公众食品药品网络谣言和虚假宣传辨识能力调查——以贵州省某少数民族自治地区为例

目的 了解公众对网络食品药品谣言信息及虚假宣传甄别能力和行为态度，探索防范谣言传播、维护社会稳定的有效措施和途径。方法 采用随机抽样研究方法，对贵州省某少数民族自治州公众开展食品药品网络谣言及虚假宣传辨识能力、行为态度问卷调查。结果 当地公众食品药品网络谣言及虚假宣传辨识能力总体较低，经济发展落后地区的青少年人群对网络谣言及虚假宣传的辨识能力较弱。大部分公众处理网络食品药品安全信息较为理性，更愿意通过国家监管部门权威网站了解信息，基本具备了确认信息真实性的主观意识，但辟除谣言的行动能力不高。结论 地方党委政府及有关部门应加强食品药品网络谣言和虚假宣传治理，加大当地谣言及虚假宣传的监测和系统性分析研究，有针对性、预判性地进行治理和科普宣传。     

用于射频滤波器的LN单晶薄膜XBAR的性能研究

基于铌酸锂(LN)薄膜的横向激发体声波谐振器(XBAR)能够兼具大机电耦合系数(K²)和高谐振频率(f)特性，有望满足5G应用的频段要求。然而，常规LN薄膜单层XBAR结构的温度稳定性较差，频率温度系数(TCF)较低。该文提出一种具有SiO₂温度补偿层的SiO₂/LN双层结构XBAR，并建立了精确分析层状结构XBAR的有限元模型。理论分析表明，该双层结构XBAR上激励的主模式是一阶反对称(A1)兰姆波。通过合理优化结构参数配置，能够获得高谐振频率(f~4.75 GHz)和大机电耦合系数(K²~8%)，同时其温度稳定性也得到显著改善(TCF~-36.1×10^-6/℃)，相较于单层XBAR结构提高了近70×10^-6/℃，这为研制温补型高频、大带宽声学滤波器提供了理论基础。     

“自动控制系统工程设计”课程思政教学实践

学习不仅仅是自然科学知识的学习，更是社会科学、民族文化、正确人生观和价值观的形成过程，“课程思政”无疑正是实现该目标的捷径，它是当前高等院校思想政治教育的新模式。如何提升学生解决“复杂工程问题”的能力成为高校开展工程教育和“新工科”的难点和重点，而课程思政正是培养学生解决“复杂工程问题”中所需要的非技术因素的重要途径。“自动控制系统工程设计”是自动化专业高年级学生的一门专业课，当前关于“课程思政”的论述是指导思想居多、实施经验以及案例设计较少，针对该问题以“自动控制系统工程设计”为例，详细给出了“课程思政”教学案例的具体实施过程，对同类课程提供参考。     

VO2/GaAs异质结的制备及其光电特性研究

采用直流磁控溅射和后退火氧化工艺在p型GaAs单晶衬底上成功制备了n-VO_2/pGaAs异质结,研究了不同退火温度和退火时间对VO_2/GaAs异质结性能的影响,并分析其结晶取向、化学组分、膜层质量以及光电特性。结果表明,在退火时间2 h和退火温度693 K下能得到相变性能最佳的VO_2薄膜,相变前后电阻变化约2个数量级。VO_2/GaAs异质结在308 K、318 K和328 K温度下具有较好的整流特性,对应温度下的阈值跳变电压分别为6.9 V、6.6 V和6.2 V,该结果为基于VO_2相变特性的异质结光电器件的设计与应用提供了可行性。