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无透镜Z—扫描测量系统及其在高阶非线性研究中的应用 总被引:2,自引:1,他引:1
本文在理论上计算了超短激光脉冲经过光不部件的展宽效应并实际给出了一种基于镀铝反射镜的小色散Z-扫描测量系统,同时也对实验中的其他重要参数进行了讨论。对该系统在材料高阶非线性光学特性测量中的应用进行了研究,实验显示测量曲线与理论拟合曲线吻合较好,所求得非线性参数值与报道值也较吻合。最后给出了对一种个有较大三阶非线性光学特性的新型发光材料的测试结果。 相似文献
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用熔体外延法在InAs衬底上成功地生长了截止波长为8~12mm的InAs1-xSbx单晶.用红外光谱仪测量了样品的透射光谱.提出了组分微观分布函数的概念,并计算了InSb单晶和3种不同组分InAs1-xSbx样品的透射光谱.结果表明,实验测得的样品截止波长与计算得到的数据基本一致,从而证实了熔体外延法生长的InAs1-xSbx单晶的禁带宽度变窄现象,并认为组分微观分布的不均匀性可能影响Ⅲ-Ⅴ族混晶的能带结构. 相似文献
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熔体外延法生长的截止波长12 μm的InAs0.04Sb0.96的电学性质 总被引:1,自引:1,他引:0
用Van der Pauw法研究了熔体外延(ME)法生长的截止波长为12 μm的InAs0.04Sb0.96单晶电学性质,测量了其电学性质随温度的变化,结果为300 K时,n=2.3×1016 cm-3,μ=6×104 cm2/Vs;200 K时,n=1×1015 cm-3,μ=1×105 cm2/Vs.分析了石墨舟和石英舟中生长的外延材料不同的电学特性及其散射机理.结果表明,电离杂质散射控制所有样品在低温时的电子输运过程,而高温时材料的电子迁移率主要由极性光学声子的散射过程决定;C的沾污对石墨舟中生长的InAs0.04Sb0.96单晶在200 K以下的电子迁移率有明显的影响. 相似文献
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α和β晶型酞箐酮纳米颗粒的光谱研究 总被引:2,自引:0,他引:2
在水溶液中分别对α和β晶型酞菁酮(CuPc)初始粉末进行激光消融制备得到了其相应的纳米颗粒。X射线衍射(XRD)、紫外可见光谱(UV-Vis)和傅立叶变换红外光谱(FT-IR)对其分析表明激光消融前后酞菁铜相应的两种晶型均没有发生变化,说明α和β晶型的酞菁铜在激光消融过程中都是稳定的,激光消融作为制备这两种晶型酞菁铜纳米颗粒的方法是简单有效的。 相似文献