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1.
设计了一种可用于UHF RFID读写器芯片中VCO供电的低噪声、大带宽(1 MHz)内高PSRR、片外无补偿电容的LDO。根据LDO基本结构对输出噪声进行详细分析;在带隙基准输出端构造一低通滤波器,有效移除了带隙基准对LDO输出噪声的影响;提出用二极管连接的MOS管代替LDO中的分压电阻,使得输出噪声得到进一步优化。电路采用IBM 0.18 μm CMOS工艺进行设计和仿真,在10 kHz频率处,PSRR为-70 dB,输出噪声为21.01 nV·Hz-1/2;在1 MHz频率处,PSRR为-47 dB,输出噪声为6.187 nV·Hz-1/2;在10 MHz频率处,PSRR为-27 dB,输出噪声为6.244 nV·Hz-1/2。 相似文献
2.
用荧光厚度分析仪、X光透视、扫描电子显微镜/能谱仪及切片分析等手段研究了不同镀镍壳体的烧结性能。结果表明,不同镀镍类型的镀层可焊性不同,电镀暗镍可焊性最差,电镀氨基磺酸镍和化学镀NiP的可焊性相对较好。SnAgCu焊料与镀镍壳体润湿较好,基片烧结空洞率较低,烧结界面与壳体及基片和玻璃绝缘子结合致密,玻璃绝缘子烧结的密封检漏通过率达90%。温度冲击后,烧结界面无明显分层和裂纹出现,镀镍壳体试制样品的电性能满足设计要求。 相似文献
3.
4.
基于整体退火遗传算法的低功耗极性转换 总被引:1,自引:1,他引:0
针对n变量逻辑函数在不同极性下所对应REED-MULLER(RM)电路功耗和面积不问的特点,对信号几率传递算法、多输入XOR/AND(异或/与)门的低功耗分解算法和多成份极性转换算法进行了深入研究,成功地将整体退火遗传算法(whole annealing genetic algorithm,WAGA)应用于RM电路最佳极件的搜索.通过对8个MCNC Benchmark测试表明,算法搜索到的最佳极性,其所对应RM电路的SYNOPSYS综合结果,与极性0时相比,功耗、面积和最大延时的平均节省分别达到了77.2%,62.4%和9.2%. 相似文献
5.
提出了一种新的基于Philips MOS Model 20(MM20)的RF-SOI(radio frequency silicon-on-insulator)LDMOS(1aterally dif-fused MOS)大信号等效电路模型.描述了弱雪崩效应以及由热效应引起的功率耗散现象.射频寄生元件由实验测得的S参数解析提取,并通过必要的优化快速准确地获得最终值.模型的有效性是通过-20栅指(每指栅长L=lμm,宽W=50μm)体接触高阻RF-SOl LDMOS在直流,交流小信号和大信号条件下的实验数据验证的.结果表明,直流、S参数(10MHz~20.01GHz)以及功率特性的仿真和实验测得数据能够很好地拟合.说明本文提出的模型具有良好和可靠的精度.本文完成了对MM20在RF-SOI LDMOS大信号应用领域的拓展.模型由Verilog-A描述,使用ADS(hpeesofsim)电路仿真器. 相似文献
6.
周期轨是混沌系统的基本骨架,系统的很多重要特征和动力学性质都可以通过求解周期轨来确定,例如Lyapunov指数的精确计算、拓扑熵的估计、以及混沌不变集的描述等。综述了目前常用的四种寻找周期轨的方法:NR算法、Broyden算法、SD算法和DL算法,分析其特点及相互关系,然后结合具体计算实例,详细探讨各方法的优缺点和适用范围,得出DL算法是较为理想的搜索算法,并对该领域的研究方向进行了展望。 相似文献
7.
8.
9.
该文从动态功耗在工程上有界限的观点出发,讨论单沟道传输门的相对绝热计算原理。在此基础上设计单沟道和双沟道传输门动态绝热锁存器,使其保存信息时,存储介质与外界隔离。将两种绝热锁存器进行比较、分析,并用计算机模拟程序检验其结果。 相似文献
10.