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有机电致发光器件(Organic Light-Emitting Device, OLED)已成为当今最热门的研究领域之一。以钛酸锶(100)作为基底, 采用RF磁控溅射镀膜系统制成磁性电极La1-xSrxMnO3(LSMO)薄膜, 为了增加钛酸锶基底LSMO薄膜的透光率, 对该基底进行了双面光学抛光。在此基础上, 以LSMO为衬底, 制作了结构为LSMO/NPB/Alq3/CsF/Mg:Ag的有机电致发光器件。器件大约在14 V时启亮, 在25 V时, 器件达到最大亮度。在磁场作用下, 研究了器件的亮度-电压-电流特性。在大约150 mT磁场下, 器件的发光亮度增大10%。研究结果表明: 由于经LSMO注入发光层内部的电子和空穴自旋方向被部分极化, 发光层单线态与三线态激子的形成比率增加。由于发光材料Alq3是单线态有机材料, 因而, 器件发光亮度增大。 相似文献
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基于密度泛函理论第一性质原理平面波超软赝势法,对理想新型稀磁半导体Li_(1±y)(Mg_(1-x)Mn_x)As (x=0,0.125;y=0,0.125)进行几何结构优化,计算并分析了体系的电子结构、磁性和光学性质。结果表明,掺杂体系的磁性和电性可以分别通过Mn的掺入和Li计量数的调控来改变,掺Mn后形成Mn—As极性共价键,且引入与Mn有关的自旋极化杂质带,体系为半导体磁性材料。Li不足时,p-d杂化使体系变为半金属性,表现为100%的自旋注入,Mn—As键的重叠电荷布局最大,键长最短。而Li过量时,sp-d杂化则使体系变为金属性,居里温度最高,形成能最低,导电能力最强。对比光学性质发现,Li不足和过量时,介电函数和光吸收谱在低能区出现新峰,增强了体系对低频电磁波的吸收。掺杂体系的能量损失峰均向高能方向偏移,呈现明显的蓝移特征,且峰值急剧减小,表明其等离子共振频率显著降低,而Li过量的等离子振荡范围最宽。 相似文献
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表面增强拉曼散射(SERS)光谱具有高灵敏性及高选择性,它已被用于科学研究及生产实践的多个领域。本文阐述了近几年来SERS技术在检测重金属离子、多环芳烃、微生物、农药等环境污染物中的发展状况,并分析了该技术在这些应用领域的优点与不足。最后,预测了SERS的发展趋势。 相似文献
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热效应是限制外腔面发射激光器(VECSEL)输出功率和光束质量的主要原因。为了优化VECSEL增益芯片有源区量子阱的设计,降低激光器的热效应,提高斜效率和输出功率,采用光致荧光谱方法,对设计波长980nm VECSEL自发辐射谱的热特性进行了实验研究。取得了不同热沉温度下边发射和面发射谱随温度的变化数据。结果表明,反映有源区量子阱自身特性的边发射谱峰值波长随温度升高的红移速率是0.5nm/K,而受到增益芯片多层结构调制的面发射谱峰值波长随温度升高的红移速率只有0.1nm/K;由于受到VECSEL增益芯片中微腔的限制,面发射谱分离为多个模式,分别与微腔的腔模对应。可见对量子阱的发射波长及微腔腔长做预偏置优化处理,可以显著改善激光器的输出性能。 相似文献
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外腔面发射激光器的GaAs基质厚度大,热导率低,严重阻碍有源区热量的扩散,影响激光器功率的提高。为了去除激光器的GaAs基质,采用硫酸系酸性腐蚀,通过改变腐蚀液浓度和腐蚀温度来比较腐蚀液对GaAs基质的腐蚀影响,并采用原子力显微镜照片表征了腐蚀表面的粗糙度。结果表明,当腐蚀液的体积比V(H2SO4):V(H2O2):V(H2O)=1:5:10,腐蚀温度为30℃时,腐蚀速率适中,为5.2μm/min,腐蚀表面粗糙度2.7nm,腐蚀总体效果较为理想。较好的GaAs基质腐蚀效果为外腔面发射激光器衬底去除腐蚀阻挡层的选择性腐蚀提供了基本的保障。 相似文献
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本文针对师范院校电子信息专业学生的特点,在卓越计划专业建设内涵的基础上,初步分析了师范院校电子信息专业人才培养存在的问题,给出了重庆师范大学电子信息专业卓越工程师培养的几条具体措施,并对师范院校电子信息专业卓越计划的开展提出了两点思考。 相似文献
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