高稳定度激光器驱动器的研究与设计

本文介绍了一种实用型基于单片机的高稳定度半导体激光器驱动器.该驱动器由单片机进行程序化控制.末级电路采用功率MOSFET作电流控制元件,运用负反馈原理稳定输出电流.最后对输出电流的稳定度进行了分析,输出电流长期稳定度可达到4.O×10-5以下.     

一种新型VLSI电路外部电光探测器

采用极化聚合物电光材料,设计制作出一种结构新颖的亚微米VLSI电路正面入射式外部电光探测器.通过在探测器中引入参考电极,实现了电压的标定测量;利用1 μm线宽指状电极的电场分布,验证了触立式极化聚合物电光探测器对电场具有较高的空间分辨率.实验证明,该新型外部电光探测器的空间分辨率可达0.5 μm,完全满足亚微米电路无损...     

准连续输出大功率半导体激光器的结温测试

基于大功率半导体激光器的热传导模型提出了一种测量准连续输出大功率半导体激光器结温的方法.实验通过测量980 nm大功率半导体激光器在不同电脉冲宽度(5～200μs)下的时域光谱和输出特性dλ/dT＝0.3 nm/℃来确定它的结温;同时,根据热传导模型推导出准连续工作条件下结温的近似解析表达式来验证测量得到激光器的结温....     

基于萤火虫烯醇式氧化荧光素的一系列衍生物的结构和光学性质

通过密度泛函理论(DFT)MPW3PBE泛函,对甲基、甲氧基、氰基、氟原子、氨基、硝基取代的萤火虫生物发光底物烯醇式氧化荧光素进行了全优化。计算了他们的电离能(IP)、电子亲和势(EA)、空穴抽取能(HEP)、电子抽取能(EEP)、空穴和电子重组能(λ),评估了它们的空穴和电子传输能力。用含时密度泛函理论(TDDFT)MPW3PBE/6-31+G(d)方法计算了吸收光谱,优化了最低单重态S1,最终研究了它们的荧光光谱。理论计算结果表明,E-CN是具有双重功能的OLEDs材料的优良候选者,即可同时作为电子传输层和发光层材料。E-NO2、E-F和E-OCH3可以作为电子传输材料。而E-NH2可作为空穴传输材料。     

基于AMESim-simulink仿真对混合动力汽车感应电机控制系统性能的研究

本文将直接转矩控制技术应用于混合动力汽车电机控制系统中,用于研究感应电机在混合动力客车中的运行性能,使电机控制系统有较高的响应速度和较强的鲁棒性.同时有效地分析了电机在混合动力汽车中的运行状态,并用matlab/simulink软件建立了直接转矩控制仿真模型,通过AMESim混合动力客车整车模型联合仿真,显示了控制策略在混合动力汽车电机控制系统运行的快速性和稳定性.     

神经网络分数阶PI~μD~λ在压电叠堆控制中的应用

为了克服压电叠堆的迟滞特性,实现压电叠堆的精确控制,建立了压电叠堆控制系统,研究了该系统所用到的神经网络、分数阶微积分等算法。首先,搭建了采集压电叠堆位移数据的硬件系统,并对含有噪声的位移数据进行了滤波处理;利用径向基函数(RBF)神经网络对压电叠堆建模,得到了模型参数。然后,利用RBF神经网络建模得到的Jacobain信息来整定分数阶PI~μD~λ控制器中的参数对压电叠堆进行控制。最后,与RBF整数阶PID对压电叠堆的控制效果进行了对比。结果显示:RBF建模误差仅为位移实测数据的0.22%,RBF神经网络分数阶PIμDλ控制系统输出稳定,很好地跟随了给定。得到的结果表明RBF神经网络分数阶PI~μD~λ控制器控制性能良好,在压电叠堆的控制中比RBF整数阶PID控制器表现得更加稳定、精确。     

晶粒尺寸对锐钛矿TiO2相变压力的影响

采用在位高压Raman光谱和高压同步辐射能散X射线衍射技术，在室温下对晶粒尺寸为10nm的锐钛矿TiO2进行了压致相变研究，压力范围分别为42．9GPa和23．0GPa，实验结果表明，在16．3GPa TiO2发生了一次结构相变，由原来的锐钛矿结构变为α－PbO2结构（TiO2-Ⅱ），该相变是不可逆的。同体材料TiO2的高压相变结果比较，由于晶粒尺寸的效应，纳米尺寸的锐钛矿TiO2的相变压力明显高于体材料的相变压力。     

FeNi合金做催化剂高温高压生长金刚石的金属膜

本研究了在高温高压条件下，用FeNi合金做催化剂生长金刚石单晶时金属膜的显微形貌。     

从2001年PITTCON看微全分析系统的发展

根据2001年匹兹堡会议的报告和展品较全面和系统地评述了微型全分析系统（μ－TAS）的最新发展情况。     

金属-Si界面剂量增强效应的模拟研究

用Monte Carlo方法计算了封装材料/金属化层-Si结构(Au/Au-Si、Au/Schottky-Si、Kovar/Au-Si、Kovar/Schottky-Si、China/Au-Si、China/Schottky-Si、Au/Al-Si、Kovar/Al-Si和China/Al-Si)对不同能量X射线在Si中的剂量增强系数,并进行比较.并且得到了这九种封装结构在金属-Si界面的剂量增强系数以及引起剂量增强的X射线能量范围.