产品博览

IR推出1200V和600V高速栅极驱动集成电路系列功率管理技术公司IR日前发布了一系列带有完备保护功能的高压IGBT控制集成电路。与基于光耦或变压器的分立元件的传统方案相比,新方案除了功能先进之外,噪声免疫力更高,并将使用元器件数减少30%,占用的电路板面积缩减一半。新推出的IC系列包括1200V及600V的栅极驱动集成电路及电流传感接口集成电路,应用领域为换向电机     

业界动态

英特尔欲投重资以扩充200mm晶圆产能 英特尔表示,将投资3．45亿美元扩充其在美国 英特尔在科罗拉多州和马萨诸塞州的两家200mm晶 圆厂,以提高200mm晶圆产能。英特尔在科罗拉 多州和马萨诸塞州的两家工厂代号分别为Fab 23和 Fab 17,主要为各种英特尔平台生产通讯芯片组和 闪存芯片。 英特尔继续在美国国内投资扩大生产。该公司     

基于NOR闪存设备的MTD驱动程序

uClinux系统下的闪存设备驱动程序开发,采用S3C44B0X处理器.使用Flash存储器接口电路、JFFS2文件系统,操作MTD芯片和硬件设备驱动的相关信息.并通过调用相关函数向系统加入和删除MTD原始设备、注册和注销原始设备的使用者.MTD在系统启动后自动识别支持CFI或JEDEC接口的FLASH芯片,之后通过查询命令读取CFI查询结构.     

产品博览

科利登新推出的Sapphire D-40测试平台测试能力优异,ADI公司发布最新适合汽车应用基于闪存的Blackfin处理器,DEK推出新型Horizon APi机器及展示Photon高速高性能印刷机,飞兆半导体推出1200V／15ANPT—TRENCH IGBT,环球仪器新的Genesis配置将免费改善新产品导入（NP1）,富士通推出针对小型可摄像数码照相机的全新图象处理芯片,诺发公司（NOVELLUS）推出SABREE XTREME^TM,意法半导体推出全系列NOR闪存注重成本效益,PowerQUICC^TM处理器集成IEEE 1588时间同步协议。[编者按]     

0CZ VECTOR 150 SSD全面升级

OCZ在Vertex4和EIVector系列的基础上，又推出了新的VeCtor150系列SSD。和以往的产品相比，我们在Vector150上看到了两个主要的变化。第一个变化是使用了新的闪存颗粒，第二个变化是延长了SSD颗粒的耐用性，接下来就让我们一起来品鉴这款新品SSD。     

SLC闪存MLC价格 富士通推出顶级闪存SSD

正富士通在产品命名上似乎有点类似闪迪,也分为极速版、高速版,现在又推出了至尊版。虽然依旧使用Sand Force SF-2281方案,但却在至尊版上使用了Intel的SLC闪存。这类Intel 25nm SLC闪存性能和寿命方面比MLC闪存强得多,性能直逼市售那些最顶级的SSD。售价大概和MLC王者三星850pro类似,性价比十分出色。点评:早有三星840 SSD系列的老文件掉速问题,近有苹果公司i Phone 6/6plus的闪退黑屏问题,TLC闪存     

当高速AndesCoreTM遇上低速EmbeddedFlash的芯片效能提升方法

AndesCorel除提供AHP，APB，HSMP接几外，亦可通过EILM接口与内存整合，使AndesCoreTM可以不通过AMBABUS直接通过EILM接口撷取指令。然而，嵌入式闪存（Flash）的执行速度目前并不能赶及AndesCoreTM的工作频率，     

相对于混合型HDD，缓存SSD仍将是主流超级本存储解决方案

据IHS iSuppli公司的存储产业市场简报，对于越来越受欢迎的超级本来说，含有内置NAND闪存层的混合型硬盘（HDD），可能具有整合存储的优势，但缓存固态硬盘（SSD）凭借其灵活性，仍将是超级本的主流存储解决方案。     

集成电路

超低功耗8位PIC单片机这三个增强型中档8位MCU系列包括15款拥有高达128KB闪存、14! 100引脚可扩展的MCU。所有产品均具备USB通信所需的精确度为0.25%的内部时钟源,因而无须外部晶振,节省了成本。此外,所有3个系列均采用XLP超低功耗技术,运行功耗低至35μA/MHz,休眠模式功耗低至20nA。     

联华电子顺利验证12VeFlash解决方案

联华电子日前宣布，已顺利验证晶圆代工领域第一个结合12V解决方案的高压嵌入式闪存（eFlash）工艺。此工艺可将中大尺寸触控IC所需的驱动高压，以及存放算法所需的eFlash，结合于同一颗高整合度的单芯片中，并且有效地改善信噪比（SNR）。与业界所提供的其它高压选项（例如18V、24V或32V）相比，此12V解决方案在信噪比与耗电之间，提供了绝佳的平衡。联华电子12VeFlash技术目前已于0．11微米与0．18微米工艺上提供给客户使用。