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1.
IDDT: Fundamentals and Test Generation   总被引:5,自引:0,他引:5       下载免费PDF全文
It is the time to explore the fundamentals of IDDT testing when extensive work has been done for IDDT testing since it was proposed.This paper precisely defines the concept of average transient current(IDDT) of CMOS digital ICs,and experimentally analyzes the feasibility of IDDT test generation at gate level.Based on the SPICE simulation results,the paper suggests a formula to calculate IDDT by means of counting only logical up-transitions,which enables IDDT test generation at logic level.The Bayesian optimization algorithm is utilized for IDDT test generation.Experimental results show that about 25% stuck-open faults are with IDDT testability larger than 2.5,and likely to be IDDT testable.It is also found that most IDDT testable faults are located near the primary inputs of a circuit under test.IDDT test generation does not require fault sensitization procedure compared with stuck-at fault test generation.Furthermore,some redundant stuck-at faults can be detected by using IDDT testing.  相似文献
2.
全速电流测试的故障精简和测试生成   总被引:2,自引:0,他引:2  
针对全速电流测试方法测试生成算法效率低下的问题,提出故障压缩、故障模拟等故障精简的方法,以提高该方法的测试生成效率.实验结果表明,该方法使得需要进行测试生成的故障点平均减少了66.8%,该测试方法的测试生成的效率提高了200多倍.  相似文献
3.
瞬态电流测试可以检测一些用电压测试和稳态电流测试不能检测的故障。对每一个故障都进行一次测试生成所花费的时间太多,而且没有必要。针对用瞬态电流测试来检测晶体管开路故障(Stuckopen Fault),研究精简故障数目,提高测试生成效率的方法。通过从靠近电路原始输出端向原始输入端逐渐进行测试生成以及其他一些办法,可以明显提高测试生成的时间效率。模拟实验结果表明,测试生成算法执行时间大约减少了70%。  相似文献
4.
基于3D-IC技术的3DSRAM,由于硅通孔TSV制造工艺尚未成熟,使得TSV容易出现开路故障。而现有的TSV测试方式均需要通过特定的电路来实现,增加了额外的面积开销。通过对2D Memory BIST的研究,针对3DSRAM中的TSV全开路故障进行建模,根据TSV之间的耦合效应进行广泛的模拟研究,分析并验证在读写操作下由于TSV的开路故障对SRAM存储单元里所存值的影响,将TSV开路故障所引起的物理故障映射为SRAM的功能故障。该故障模型可以在不增加额外测试电路的情况下,为有效测试和解决这种TSV开路故障提供基础。  相似文献
5.
分析PWM逆变器的结构及故障特性,利用MATLAB软件建立其故障仿真模型,对逆变器各种故障仿真波形进行分析,根据输出波形可以识别故障。  相似文献
6.
随着集成电路工艺进入纳米时代,供电电压波动严重影响电路性能.制造中通孔对位不准,及运行中铜导线电迁移现象.都会在电源线/地线网络(P/G网)中产生大量潜在的开路故障,并使供电电压发生明显波动.为了在测试中对大量的开路故障进行快速测试.迫切需要提高故障分析的算法效率.为此,首次提出了单故障连续过松弛算法(SD-SOR),对发生单开路电阻故障的P/G网节点电压分布进行快速分析.基于无故障P.G网节点电压分布,SD-SORR对开路电阻周围受故障影响比较大的少数节点进行松弛计算.与传统的全局SOR方法相比,SD-SOR具有如下3个优点:1)局部松弛.由于电路中只有一个电阻口发生开路故障.SD-SOR不是采用全局电路节点的顺序松弛方法,而是采用从故障q所连的节点不断向周围节点进行松弛的波状松弛方法,当某些节点的IR电压降变化小于一个极小的设定值时.这些节点就不再向外进行松弛计算.2)高效.与传统的全局SOR方法相比.SD-SOR不仅参与松弛的节点非常少.而且松弛次数也有明显减少.3)高精度.与传统的全局SOR方法相比,由于距离故障比较远,电路中绝大多数节点电压变化非常小,所以SD-SOR只需对距离故障比较近的节点进行松弛计算,就能够保持较高的分析精度.大量的实验数据表明:与预条件全局SOR求解方法相比,SD-SOR在保持较高精度(误差小于0.95%)的前提下,速度可以提高57倍.  相似文献
7.
功率变换器是开关磁阻电机驱动系统易出现故障机构之一,为提高该驱动系统可靠性与容错性,本文以不对称半桥型功率变换器为研究对象,针对功率管短路与开路故障分别提出不同在线容错控制方法.通过对调故障相两功率管工作状态实现斩波功率管短路故障容错控制,基于细菌觅食算法(bacterial foraging algorithm)优化的PI速度控制器来降低转矩脉动以消除常闭功率管短路故障造成的恶性影响,并通过实时在线调整非故障相的导通角与关断角实现功率管开路故障容错控制.仿真与实验结果表明,所提方法能够根据故障诊断详情及时进行在线容错控制,且容错效果良好,无需增加任何硬件结构,操作简单易行,可避免故障运行造成的恶性影响.  相似文献
8.
硅通孔TSV发生开路故障和泄漏故障会降低三维集成电路的可靠性和良率,因此对绑定前的TSV测试尤为重要。现有CAF-WAS测试方法对泄漏故障的测试优于其他方法(环形振荡器等),缺点是该方法不能测试开路故障。伪泄漏路径思想的提出,解决了现有CAF-WAS方法不能对开路故障进行测试的问题。另外,重新设计了等待时间产生电路,降低了测试时间开销。HSPICE仿真结果显示,该方法能准确预测开路和泄漏故障的范围,测试时间开销仅为现有同类方法的25%。  相似文献
9.
当电流传感器出现性能蜕化、故障或失效时,光伏微逆变器系统的输出会受到严重影响,甚至微逆变器系统其他部件有可能被直接损坏而导致整个系统永久失效;微逆变器系统中反激式变换器功率管的开路故障会引起2个交错支路电流不平衡,导致输出电流波形畸变率变大.为此,提出一种基于状态观测器的光伏微逆变器电流传感器和功率管开路故障诊断方法.建立两路反激式变换器的数学模型;构建状态观测器以实现对两路反激式变换器原边电流的在线估计,并生成残差;将残差与阈值进行比较,实现对微逆变器系统中电流传感器与功率管的实时故障诊断.仿真结果验证该方法可行且有效.  相似文献
10.
针对双馈风电机组变流器可靠性较差,一旦变流器开关管发生故障,整个风电机组可能遭到严重损坏甚至导致停机的问题,提出一种基于状态观测器的双馈风电机组转子侧变流器开关管开路故障检测方法.根据双馈风电机组拓扑结构,结合其感应电机和变流器进行整体建模;构建状态观测器以实现对转子侧电流的在线估计并生成残差;将残差与设定的阈值比较,判断是否有故障发生.仿真结果证明该方法可行且有效.  相似文献
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