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1.
SiC是一种新型的半导体材料,由于化学性质十分稳定,目前还未发现有哪种酸或碱能在室温下对其起腐蚀作用,因此,在SiC的加工工艺中常采用干法刻蚀。采用GSE 200plus刻蚀机对SiC进行刻蚀,研究了刻蚀气体、源功率RF1、射频功率RF2及腔室压强对刻蚀结果的影响,并对产生的结果进行了相关分析。提出了一种SiC ICP深刻蚀方法,对SiC深刻蚀技术具有重要的指导意义。  相似文献
2.
用CFD-ACE+和CFD-TOPO分别对容性耦合等离子体反应腔室放电和等离子硅刻蚀过程进行仿真,讨论不同射频电压和腔室条件对等离子体特性的影响.结果表明:随着射频电压的升高,离子的通量增大;在低射频电压时,离子通量随腔室压强的升高而减小,而在高射频电压时趋势则相反.用Kriging模型对影响刻蚀形貌的参数(腔室压强和射频电压)进行优化,结果表明该优化方法可以为工艺条件相近的刻蚀机设备的设计提供参考.  相似文献
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