完全的10G UTP综合布线解决方案

美国康普公司于2004年12月15日在全球发布的SYSTIMAX GigaSPEED X10D解决方案是第一家提供完全符合针对10GBase-T的最新IEEE802．3TaskForce准则的供应商。IEEE802．3an已采用针对10GBase-T的新信道规范，称为IEEE1型综合邻近线对串扰（IEEE Model No.1 PSANEXT）及插入损耗。国际布线标准委员会在制订“新E级”或“增强6类”布线规范时同样采用了上述规范。     

基于EMI滤波器的防爆变频调速系统EMI抑制

大功率矿用防爆变频器大都采用PWM调制技术,使用IGBT作为开关器件,IGBT在开通和关断过程中会产生很大的du/dt,di/dt,由于线路中寄生电容和寄生电感的存在,会导致很严重的电磁干扰,严重影响系统安全稳定运行。对防爆变频系统EMI干扰源进行了分析建模,设计了防爆变频调速系统EMI滤波器,在分析阻抗失配对EMI滤波器插入损耗影响的基础上,建立带EMI滤波器的传导干扰的高频模型,通过有无EMI滤波器传导干扰频谱仿真图对比,验证了EMI滤波器对传导干扰的抑制作用。经过现场的实验测试,加入EMI滤波器后传导干扰得到很好的抑制,传导干扰频谱幅值在规定的范围内。     

热变形对射频同轴开关性能的影响分析

通过建立三维射频同轴开关的电磁-热-结构多物理场耦合仿真模型,得到了射频同轴开关在0～6 GHz 的插入损耗、稳态温升及其所导致的热形变量,进而分析了热变形对射频同轴开关射频性能的影响。分析结果表明,即使是相对内导体尺寸较小的热形变量,也会导致插入损耗发生明显变化。从而为射频微波器件设计人员的热特性设计工作提供参考指导。     

基于多模谐振器的超宽带滤波器设计

从经典的多模谐振器出发,针对其插入损耗过大和阻带抑制较低的问题,提出了基于多模谐振器的超宽带带通滤波器新结构。通过奇偶模分析方法对其谐振特性和耦合特性进行了系统分析,利用ADS粗略仿真验证新结构的可行性,最后通过HFSS进行参数优化,设计了一个中心频率6.5 GHz、相对带宽约为120%的超宽带带通滤波器,该滤波器整体性能良好,带外衰减十分陡峭,在11.5 GHz处达到45.5 d B,阻带宽度很宽,且具有插入损耗小、结构紧凑和尺寸小等优点。     

一种双稳态电磁型射频MEMS开关的设计与测试

设计了一种低电压驱动的双稳态电磁型射频MEMS开关.与驱动电压高这几十伏的静电型射频MEMS开关相比,其驱动电压可低至几伏,因此应用时无需增加电荷泵等升压电路.开关可在磁场驱动下实现双稳态切换,稳态时无直流功率消耗.分析了工作磁场的分布特点,进行了结构设计仿真;并使用HFSS软件和粒子群算法进行了射频参数仿真、结构参数优化及主要结构参数显著性研究,得出了影响开关射频传输性能的主要结构参数;采用表面牺牲层工艺制作了原理样机并进行了射频性能参数的测试.结果表明,开关样机在DC～3 GHz工作频率区间内,插入损耗小于0.25 dB,隔离度大于40 dB.     

TDK用于LTE频带1的新型爱普科斯双工器

TDK集团近日发布了一款用于LTE频带1的新型爱普科斯(EPCOS) 双工器,其特点是达60d B时发送和接收通道都具有良好的隔离性能。该B8651双工器基于SAW技术,封装尺寸很小,仅为1.8mm x 1.4mm。由于发送和接收信号之间具有良好的隔离性能,新型爱普科斯(EPCOS) 双工器可与节省功耗的包络检测功率放大器相结合,且无需额外的预滤波。这样可显著简化前端设计,从而大大降低了成本。新型双工器的另一个优势是典型插入损耗低,发送通道仅为1.9d B,因此可进一步节省     

高频相移器测试方法研究

为解决高频相移器的溯源问题,在介绍相移器工作原理基础上,分析高频相移器的相移准确度、绝对相位测量准确度、插入损耗和电压驻波比等性能指标。利用网络分析仪、校准件、低失真信号发生器和高准确度相位计搭建相移器的测试平台,阐述相移器的基本校准方法和校准步骤。通过建立不确定度传播率的数学模型,分析相移器的相移参数测量的不确定度分量来源,从而对被测相移器核心参数的准确度进行不确定度分析和评估。实现高准确度相移器的溯源方法,提高信号相移控制的准确度。     

基于MEMS的F-P腔可调谐滤波器研究

分析了基于MEMS的F-P腔可调谐滤波器的基本结构和调谐原理,从理论和试验这个方面对可调谐滤波器的重要参数进行分析和测试。研究结果表明,基于MEMS的F-P腔可调谐滤波器具有自由谱域宽(45 nm)、插入损耗低(3.55 dB)、带宽窄(半高全宽FWHM为0.32 nm)、回波损耗大(50 dB)、响应速度快(2 ms)、电压驱动范围宽(0~40 V)、偏振相关损耗低(0.1 dB)和加压稳定性好等优点,特别是FWHM能满足光纤传感系统要求。通过对MEMS进行技术改进,基于MEMS的F-P腔可调谐滤波器性能将有更大的上升空间,这种可调谐滤波器具有广阔的市场和应用前景。     

SOI射频开关测试结构特性参数分析

以0.2μm SOI RF工艺平台为基础,对射频开关测试结构基本特性参数进行分析研究。研究内容包括:a)栅极和衬底通过反向二极管连接;b)浮体器件;c)衬底通过大电阻接地(HR GND);d)衬底通过大电阻连接到栅极控制端(HR,Vsub=Vg)等四种结构。比较分析了其插入损耗、隔离度及谐波特性,并阐明产生差异的机制。研究结果可以为射频开关器件结构和电路设计做参考。     

SFI接口的信号完整性设计

描述SFI接口通道建模的细节,并对每个关键参数进行仿真计算,从而确定SFI接口信号完整性设计的优选方案。