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1.
事件检测是非侵入式负荷监测中的关键部分,然而事件检测方法对于一些小电流电器存在漏检问题。为此,提出一种基于小电流电器的滑动窗双边CUSUM事件检测改进算法,即在均值计算窗和暂态检测窗的基础上,引入方差计算窗区分运行时电流波动小的电器,通过权重参数δ提高检测过程中投入、切出事件的累计和,解决了滑动窗双边CUSUM事件检测算法的小电流电器漏检问题。采用方差阈值判断电器是否进入稳态,提高了电器进入稳态时检测的准确性,有效记录事件投入点和事件切出点。实测验证表明,所提算法不仅能够准确检测到传统算法易忽略的小电流电器的暂态事件,还能准确记录电器完整的事件投切过程,有利于其暂态过程的分析与处理,保证了特征提取的有效性,为事件检测方法的优化方向提供了借鉴。 相似文献
2.
基于加权Ashby选材法及车门结构设计关键性能分析,总结了与质量,成本相关的材料效率计算公式,并分别绘制了材料的密度-弹性模量、密度-屈服极限、对数形式密度成本-弹性模量、对数形式密度成本-屈服极限Ashby图,通过区域划分建立了相应的评分体系。根据所得材料效率,结合专家评分方法,获得了备选材料库中每种材料子性能的得分以及材料综合性能得分,再根据得分结果选出最佳材料设计方案。结合具体车门外板结构对材料方案进行了抗凹性能验证,结果表明此方法对车门外板的选材设计具有重要的指导意义。 相似文献
3.
4.
针对水平井裸眼分段压裂完井管柱下入屈曲磨损的问题,使用微元法确定管柱轴力及摩擦阻力,采用能量法计算管柱临界屈曲载荷,根据White和Dason的"磨损效率"模型,建立了全井段管柱定量摩擦磨损量预测模型。基于此,探究了压裂级数、分段间距、油管规格对管柱屈曲及磨损的影响规律。研究结果表明:1压裂级数的提高使管柱中和点上移,每提升10级压裂,中和点约上移13.5 m,而分段间距长度和油管规格提高使中和点下移;2管柱屈曲风险随压裂级数增大而增大,随油管规格和分段间距长度增加而减小,每提升1 m分段间距长度,管柱最大屈曲风险位置的安全系数约提高0.1;3压裂级数与分段间距对管柱全井段磨损量影响较小,而油管规格提高使得管柱全井段磨损深度减小,但磨损面更宽。 相似文献
5.
近年来国内原油进口依存度一直处于高位,原油资源需要高效利用。重质馏分油特别是渣油的高效转化至关重要,浆态床渣油加氢技术由于其能加工劣质原料且转化率高,是将重油转化为高价值运输燃料和石化产品的较好选择。重点介绍了国内外典型浆态床渣油加氢技术,包括委内瑞拉国家石油公司的HDH-Plus技术、美国环球石油公司的Uniflex技术、美国雪佛龙鲁姆斯公司的LC-Slurry技术和VRSH技术、意大利埃尼公司的EST技术、中石化石油化工科学研究院有限公司的RMAC技术,比较了上述技术的特点,分析其技术难点,建议加强浆态床渣油加氢工艺、工程和催化剂等方面的研究。 相似文献
6.
以煤层巷道快速掘进支护工艺方案为研究对象,对煤层巷道基本情况进行了简要介绍,利用FLAC3D软件对矩形截面和拱形截面巷道的围岩变形情况进行分析,结合实际情况确定巷道截面为矩形,宽48 m、高32 m。基于煤矿工程实践经验对巷道支护方案进行设计,利用FLAC3D软件对锚杆关键工艺参数进行优化设计,当锚杆直径为22 mm、长度为25 m、间排距均为07 m时,支护效果最佳。将支护工艺方案应用到实际工程中,通过对关键指标的监测,发现快速掘进支护工艺方案是可行的,达到了预期的效果,为煤矿企业创造了良好的安全效益。 相似文献
7.
8.
电位法作为准静态断裂韧度测量标准GB/T 21143—2014中推荐的方法之一,在某些情况下可对常用的柔度法不便测量的试样进行辅助测量。为了验证电位法在断裂韧度测量中的实际效果,按照标准中规定的直流电位法对试样进行了断裂韧度的测试,并将测试结果与柔度法进行对比。结果发现:GB/T 21143—2014中的方法1,即间接测量法可以更准确简便地测量裂纹的长度,结果与柔度法相当;而方法2,即直接测量法,在实际试验中不容易控制裂纹测量的准确性,准确性与便捷性均不如方法1。 相似文献
9.
10.
Prashant Thapliyal Alok S. Kandari Vijendra Lingwal N.S. Panwar G. Mohan Rao 《Ceramics International》2021,47(9):12066-12071
(Ta2O5)1-x- (TiO2)x (TTOx) thin films, with x = 0, 0.03, 0.06, 0.08, and 0.11, were deposited using magnetron direct current (DC) sputtering method onto the P/boron-silicon (1 0 0) substrates by varying areas of Tantalum and Titanium metallic targets, in oxygen environment at ambient temperature. The as-deposited thin films were annealed at temperatures ranging from 500 to 800 °C. Generally, the formation of the Ta2O5 structure was observed from the X-ray diffraction measurements of the annealed films. The capacitance of prepared metal– oxide– semiconductor (MOS) structures of Ag/TTOx/p-Si was measured at 1 MHz. The dielectric constant of the deposited films was observed altering with varying composition and annealing temperature, showing the highest value 71, at 1 MHz, for the TTOx films, x = 0.06, annealed at 700 °C. With increasing annealing temperature, from 700 to 800 °C, the leakage current density was observed, generally decreasing, from 10?5 to 10?8 A cm?2, for the prepared compositions. Among the prepared compositions, films with x = 0.06, annealed at 800 °C, having the observed value of dielectric constant 48, at 1 MHz; and the leakage current density 2.7 × 10?8 A cm?2, at the electric field of 3.5 × 105 V cm?1, show preferred potential as a dielectric for high-density silicon memory devices. 相似文献