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1.
采用叠轧焊接方法制备Al/IF钢多层复合材料,随后进行300~450 ℃退火处理,并对叠轧态和退火态的微观结构及力学性能进行分析。结果表明:叠轧态Al/IF钢多层复合材料的抗拉强度介于纯Al和IF钢之间,断裂总延伸率相对较低,退火后Al和IF钢层的硬变均高于其原材料;随着退火温度的增加,抗拉强度逐渐降低,断裂总延伸率呈先增加后减小的趋势,在350 ℃退火时,复合材料的综合力学性能最优。退火温度对Al/IF钢多层复合材料力学性能的影响主要体现在对Al层的影响上。  相似文献   
2.
现有开发者推荐算法通过对任务和开发者的显式信息进行挖掘,抽取任务和开发者的显式特征,完成针对任务的开发者推荐.然而,由于显式信息中的描述信息是主观的,往往是不精确的,现有基于显式特征的开发者推荐算法性能不够理想.众包软件开发平台除包含大量不精确的描述信息外,还包含客观的、较准确的“任务—开发者”成绩信息,可以有效地推断任务和开发者的隐式特征.考虑到隐式特征作为显式特征的补充,将有效缓解描述信息不精确的难题,提出一种结合显式特征和隐式特征的开发者混合推荐算法.首先,利用任务和开发者的平台可见信息充分提取显式特征,提出面向显式特征的因子分解机(FM)推荐模型建模任务、开发者显式特征和相应评分的映射关系.然后,利用“任务—开发者”成绩矩阵提取隐式特征,提出面向隐式特征的矩阵分解(MF)推荐模型.最后,融合面向显式特征的FM推荐模型和面向隐式特征的MF推荐模型,提出多层感知器融合算法.进一步,针对冷启动问题,首先,基于历史数据,构建多层感知器模型建模显式特征到隐式特征的映射关系.然后,针对冷启动任务或冷启动开发者,通过任务或开发者的显式特征求解相应的隐式特征.最后,基于已训练好的多层感知器融合...  相似文献   
3.
简述了微纳层叠共挤技术的发展;总结了近些年来基于微纳层叠技术制备纳米纤维的研究进展,包括聚合物参数,制备方法和成纤机理;对目前几种典型微纳层叠成纤方法进行了分类和对比,并对纤维的性能进行了阐述;对微纳层叠纳米纤维的应用进行了介绍。最后针对微纳层叠技术用于纳米纤维制备的发展方向和应对的挑战进行了浅析。  相似文献   
4.
三维异质异构集成技术是实现电子信息系统向着微型化、高效能、高整合、低功耗及低成本方向发展的最重要方法,也是决定信息化平台中微电子和微纳系统领域未来发展的一项核心高技术。文章详细介绍了毫米波频段三维异质异构集成技术的优势、近年来的发展趋势以及面临的挑战。利用硅基MEMS 光敏复合薄膜多层布线工艺可实现异质芯片的低损耗互连,同时三维集成高性能封装滤波器、高辐射效率封装天线等无源元件,还能很好地处理布线间的电磁兼容和芯片间的屏蔽问题。最后介绍了一款新型毫米波三维异质异构集成雷达及其在远距离生命体征探测方面的应用。  相似文献   
5.
为研制车船等壳体所用的轻质、高强复合板材,选用超高分子量聚乙烯(UHMWPE)短纤维纱,制备成单层经纬为120根/(10 cm)的平纹组织,采用多组经纱持续更替交织层的方法制成2L(1+0)型、4L(2+1)型、6L(3+2)型3种多层角联锁结构织物,采用扦插芯棒、模压成型方法制成菱形蜂窝状的热固性环氧树脂基中空板,并与2块真空吸液法制成的面板组成“三合一”复合板,同时测定了复合板材的结构特征及其平拉、平压和弯曲性能。结果表明:3种类型复合板的密度均远小于水的密度,其中6L(3+2)型最小,为0.48 g/cm3;复合板层数越多,环氧树脂越难渗透尤其是在中空板菱形交叉点处,复合板平拉、平压、抗弯曲强度则呈现递增,制成的6L(3+2)型复合板试样平压强度可达到1.03 MPa。  相似文献   
6.
目的 探讨环境温度对陶瓷-金属多层涂层冲击损伤的影响,获得不同温度条件下涂层的冲击损伤特征,揭示陶瓷-金属涂层在温度与循环冲击共同作用下的失效机理,为多层涂层的设计和使用提供参考。方法 首先使用可调温度的速度控制型单颗粒循环冲击设备,对陶瓷-金属多层涂层在不同温度(35、200、350、500℃)下进行垂直冲击试验。采用白光干涉仪、光学显微镜和扫描电镜观察冲击坑的形貌和微观结构,结合不同温度时涂层纳米硬度和弹性模量来分析其损伤机理。结果 温度较低(35、200℃)时,圆周裂纹是涂层的主要损伤形式,涂层冲击坑深度在达到稳定后增长缓慢;温度较高(350、500℃)时,涂层损伤特征由圆周裂纹向径向裂纹和剥落转化,冲击坑深度的增长速度较快。当温度从35℃提高到500℃时,涂层纳米硬度从31.22 GPa下降到11.18 GPa,H3/E2从38.38×10-2 GPa下降到2.85×10-2 GPa,涂层的峰值冲击力和能量吸收率分别从167.8 N和72.44%增长到184.6 N和82.37%,加剧涂层的...  相似文献   
7.
《Ceramics International》2022,48(22):32973-32985
Multilayer structure design is one of the most promising methods for improving the comprehensive performance of AlCrN-based hard coatings applied to cutting tools. In this study, four types of AlCrSiN/AlCrVN/AlCrNbN multilayer coatings, with different modulated thicknesses, were deposited to investigate their microstructure, mechanical, tribological, and oxidizing properties. All multilayer coatings exhibited grain growth along the crystallographic plane of (200) with a NaCl-type face-centered cubic (FCC) structure. The results show that, as the modulation thickness decreases from ~35 nm to ~10 nm, (1) the grain refinement effect is increasingly evident; (2) all multilayer coatings show a hardness of >30 GPa and an elastic modulus of >300 GPa. Both the ability to resist elastic strain to failure and the plastic deformation of multilayer coatings increase. In addition, their resistance to cracking reduces; (3) the wear rates of these multilayer coatings reduce successively from 1.78 × 10?16 m3 N?1 m?1 to 7.7 × 10?17 m3 N?1 m?1. This is attributed to an increase in self-lubricating VOx and a decrease in adhesives from the counterparts; (4) the best high-temperature oxidation resistance was obtained for the multilayer coating with a modulated thickness of ~15 nm.  相似文献   
8.
魏永强  游业豪  蒋志强 《表面技术》2021,50(12):311-319
目的 研究脉冲偏压频率对TiSiN/TiAlN纳米多层薄膜结构和性能的影响,优化工艺参数,以提高薄膜的性能.方法 采用脉冲偏压电弧离子镀,在M2高速钢和单晶硅基底上以不同脉冲偏压频率沉积TiSiN/TiAlN纳米多层薄膜,采用扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)、X射线衍射仪和纳米压痕仪,研究脉冲偏压频率对TiSiN/TiAlN纳米多层薄膜的表面形貌、元素成分、截面形貌、相结构和纳米硬度的影响.结果 TiSiN/TiAlN纳米多层薄膜表面的大颗粒直径主要集中在1μm以下,随着脉冲偏压频率的变化,大颗粒的数量为184~234,所占面积为40.686~63.87μm2;主要元素为Ti元素和N元素,所占原子比分别为48%和50%,Si和Al元素的含量较少;多层结构不明显,截面形貌可观察到柱状晶的细化,80 kHz时出现片状化结构;以(111)晶面为择优取向,晶粒尺寸在20 nm左右;纳米硬度为28.3~32.3 GPa,弹性模量为262.5~286.8 GPa.结论 50 kHz时,TiSiN/TiAlN纳米多层薄膜表面大颗粒的数量最少,为184个;70 kHz时大颗粒所占面积最小,为40.686μm2;晶粒尺寸在50~60 kHz时发生细化,60 kHz时,晶粒尺寸达到最小值19.366 nm,纳米硬度和弹性模量分别达到最大值32.3 GPa和308.6 GPa,脉冲偏压频率的最佳频率范围为50~70 kHz.  相似文献   
9.
Artificially tilted multilayer thermoelectric devices (ATMTDs) have attracted growing attention due to their ease in miniaturization and high flexibility in device design. However, most of these devices are inefficient due to the lack of effective strategy to optimize their material matching and geometrical configurations. Herein, a high-throughput optimization approach is employed to screen high-performance Bi2Te2.7Se0.3-based ATMTDs from a material genome database covering 230 kinds of candidates. 14 kinds of ATMTDs are found to have ZTzx,max values exceeding 0.3 and tilt angles greater than 15°. Bi0.1Sb1.9Te3/Bi2Te2.7Se0.3 ATMTD is screened out and fabricated because of its excellent transverse figure of merit, large tilt angle, and good interface compatibility. Consequently, transverse figure of merit over 0.3, thermal sensitivity greater than 0.11 mV·K?1, and power density up to 1.1 kW·m?2 are recorded in Bi0.1Sb1.9Te3/Bi2Te2.7Se0.3 ATMTD. This indicates that ATMTDs have great potential for application in the fields of temperature detection and power generation.  相似文献   
10.
《Ceramics International》2022,48(3):3536-3543
We investigated the optical and electrical properties of Ta2O5/Ag/Ta2O5 films as functions of the thicknesses of the Ta2O5 and Ag layers. It was found that with an increase in the thicknesses of the Ta2O5 and Ag layers from 10 to 40 nm and from 12 to 24 nm, respectively, the sheet resistance, carrier concentration, electron mobility, and resistivity of the Ta2O5/Ag/Ta2O5 film varied from 2.02 to 8.95 Ω/sq, 5.74 × 1021 to 2.92 × 1022 cm–3, from 13.21 to 24.07 cm2/V·s, and from 8.89 × 10-6 to 8.24 × 10-5 Ω cm, respectively. The average transmittance (Tav) of the multilayer samples ranged from 57.18% to 93.99%, and it depended on the Ta2O5 and Ag layer thicknesses. The highest Tav of 93.99% was observed for the film with 35 nm thick Ta2O5 and 18 nm thick Ag layers, and the peak Haacke's figure of merit (157.04 × 10–3 Ω–1) was obtained for 20 nm thick Ta2O5 and 21 nm thick Ag layers. Ta2O5 (100 nm) and Ta2O5/Ag/Ta2O5 (20 nm/21 nm/20 nm) samples had optical bandgaps of 4.70 and 4.45 eV, respectively. Film Wizard simulations were conducted to understand the dependence of the transmittance of the multilayer on the thicknesses of the Ta2O5 and Ag layers, and phasor analyses were performed to determine how the transmittance of the Ta2O5/Ag/Ta2O5 (20 nm/21 nm/20 nm) film depended on the Ta2O5 layer's thickness.  相似文献   
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