多晶硅生产中残液搅拌罐密封结构的改造

在处理多晶硅生产中产生的残液时,残液搅拌罐填料密封出现泄漏,针对此问题提出了优化措施,达到了预期效果。     

传热过程对多晶硅真空定向凝固过程的凝固界面及热应力的影响

以实验室10 t/a VODS型多晶炉为原型,对其凝固过程的热场、固液界面和热应力进行了瞬态模拟与实验验证。结果表明:在坩埚底部有水冷热交换块的真空定向凝固系统中硅料凝固会产生较大的热应力,增加环形保温结构使热区封闭后可改变炉内换热过程,从而改变硅料凝固情况;硅料在坩埚底部为石墨热交换块的系统中凝固时产生的热应力相对较小,但固液界面的形状会发生较大的改变,影响晶粒的生长。炉膛内径适当变宽有利于炉内热区温度分布更合理,使得硅料凝固时的固液界面更加理想。通过实验验证了多晶硅在坩埚底部无需进行水冷换热情况下进行真空定向凝固能达到冶金法生产太阳能级多晶硅的要求,这为提高冶金法制备太阳能级多晶硅质量、降低系统能耗具有一定的指导意义。     

多晶硅厂循环冷却水系统水质稳定性分析与优化运行

针对多晶硅厂循环冷却水系统水质不稳定造成生产设备事故频发的问题,采用Puckorius指数理论分析水质稳定性,研究了循环冷却水对设备腐蚀结垢的影响,结合现场实际提出可行的水处理指导。经一年运行监测表明水质指标稳定,设备运行情况平稳。     

基于负温度系数的多晶硅电阻电热激励/压阻检测微桥谐振器的新型红外探测器

报道了一种基于负电阻温度系数的多晶硅电阻电热激励/压阻检测SiO 2/Si3N4/SixNy微桥谐振器的新型红外探测器.微桥谐振器吸收的红外辐射引起微桥温度升高,激励电阻和检测电桥的阻值减小,使得恒定激励电压作用下激励电阻的静态功率和惠斯登电桥的焦耳热增加,等效于增加了辐射在微桥谐振器上的红外辐射.初步的实验证实了该方案的可行性.     

Radiation tolerant nano-FED biosensing for space application

A p-type polysilicon nanowire and silicon nano-channel combination based biosensor was developed, which has the potential to detect pathogens and thus protect crew safety aboard long-term manned flight programmes in high radiation space flights. This study outlines structures, which compose the biosensor, and demonstrates that the nano-device utilised herein is total dose radiation hardened. Highly doped polysilicon nanowires (30–100?nm) in nano-field-effect device (FED) were fabricated on silicon/silicon dioxide wafers and insulated with a thin polyimide layer. When the targeted gene, Escherichia coli DH5 alpha 16S rRNA, incubated on the device surface, the constant overall impedance increased or decreased depending on the electronic charge, mass and composition of the target molecule. All measurements were carried under 25 MeV S-Band linear accelerator followed by impedance measurements. Current sets of experiments show these nano-FED can form the basis of a robust, very sensitive handheld tool for pathogen detection in space application.     

还原炉进料夹液对生产的影响及控制措施

分析了多晶硅还原炉进料夹液产生的原因及其对生产的影响。主输送管位置高于各还原炉进料管是产生进料夹液的主因,进料夹液易造成还原炉跳停、控制不稳定等故障,可通过降低主输送管的位置、输送管设置电伴热、还原炉进料管配置排液管等措施解决还原炉进料夹液的问题。     

多晶硅真空定向凝固系统的结构特性优化研究

采用非稳态集中参数法分别计算了沿轴向和径向增加装料量对多晶硅定向凝固过程中加热时间的影响,并通过数值模拟对比分析了多晶硅定向凝固过程中晶体生长时的温度场、熔体流动、固-液界面形状和应力大小及分布等情况。并对装料沿径向增加以提高单炉生产率的方案提出了添加硅料表面上加热器的优化措施,不仅可以显著缩短加热时间,还能减小硅料的径向温度梯度,调节固-液界面形状。这将为大型化多晶硅真空定向凝固设备的优化设计与开发利用提供理论基础。     

高纯多晶硅在线制备技术及发展趋势

对在线高纯多晶硅生产制备技术——改良西门子法和硅烷法的制备工艺进行了概述,比较了两种在线技术的优缺点,对两种在线技术的发展趋势进行了展望。     

多晶硅薄膜晶体管RPI模型的直流参数提取

多晶硅薄膜晶体管(TFT)在有源液晶显示器中的应用充分显示了它的性能优点。对多晶硅TFT进行模型分析和参数提取是理解多晶硅TFT工作原理和指导制备的有效途径。归纳并讨论了多晶硅薄膜晶体管RPI模型直流参数的提取策略。此参数提取步骤简单,并能准确地提取所有工作区的基本直流参数,如阈值电压、漏源区串联寄生电阻、有效沟道长度、迁移率等。参数提取的方法将为RPI模型的电路仿真提供有益的参考。最后,提出了改进RPI模型参数提取策略的方向,包括提高泄漏电流参数、迁移率参数的准确度等。