某五星级酒店项目设计、施工组织要点

正一、工程概况聊城假日酒店坐落于山东省聊城高新区,建筑面积3万m~2,地上19层,地下1层,总高度78.6 m,为框架剪力墙结构,酒店拥有600多m~2的无柱宴会厅。项目属于改造项目,原立项为快捷酒店,后期变更为五星级酒店,且在立项变更前,主体结构已建造完成。五星级酒店本身属于复杂的综合性项目,再加上改造工程则更增加了工程的综合难度。特此总结本项目在实际设计、施工管理过程中的经验教训,以资与同行分享。     

低色温高显色性大功率白光LED的制备及其发光特性研究

用GaN基大功率蓝光LED芯片作为激发光源，分别用荧光粉转换法和红光LED补偿法制备了不同相关色温及显色指数的白光LED。对器件的发光特性研究表明，采用监光LED芯片激发单一黄色荧光粉，虽可以获得光通量和发光效率较高的白光LED，但其色温较高，显色性较差；在黄色荧光粉中添加红色荧光粉，由于光谱中红色成分的增加，可降低器件的色温，并提高器件的显色性，但由于目前红色荧光粉的转换效率较低，致使器件的整体发光效率不高；采用蓝光LED芯片激发黄色荧光粉，同时用红光LED进行补偿，通过调整蓝光和红光LED芯片的工作电流以及荧光粉的用量，可获得低色温和高显色性白光LED，而且整体发光效率较高。     

实现光线分布随余弦m次方函数随意变换的光学设计方法

本文运用能量守恒定律,以函数I(θ)=I_(0)·cos^(m)θ作为载体工具,建立偏微分方程,求解点光源自由曲面透镜,建立了一套使LED的发光强度呈现余弦的m次方函数分布的方法、达到光型及角度随意变换的目的,可在等光强分布、等亮度分布、等照度分布等的光学设计中得到高效推广应用。最后运用本方法结合实际应用进行了等光强工矿灯透镜及等照度台灯透镜的设计,并取得了良好的效果。     

大功率发光二极管的寿命试验及其失效分析

以GaN基蓝光LED芯片为基础光源制备了大功率蓝光LED,并通过荧光粉转换的方法制备了白光LED.对大功率蓝光和白光LED进行了寿命试验,并对其失效机理进行了分析.结果表明,大功率LED的光输出随时间的衰减呈指数规律,缺陷的生长和无辐射复合中心的形成,荧光粉量子效率的降低,静电的冲击,电极性能不稳定,以及封装体中各成分之间热膨胀系数失配引起的机械应力都可能导致大功率LED的失效.     

GaN基功率型LED芯片散热性能测试与分析

与正装LED相比,倒装焊芯片技术在功率型LED的散热方面具有潜在的优势.对各种正装和倒装焊功率型LED芯片的表面温度分布进行了直接测试,对其散热性能进行了分析.研究表明,焊接层的材料、焊接接触面的面积和焊接层的质量是制约倒装焊LED芯片散热能力的主要因素;而对于正装LED芯片,由于工艺简单,减少了中间热沉,通过结构的优化,工艺的改进,完全可以达到与倒装焊LED芯片相同的散热能力.     

LED照明产品测试标准讨论

本文主要对美国和日本所制定的关于发光二极管（LED）的测试规范中一些需要注意的问题和测试方法进行了总结和归纳，并提出了建议，希望为我国制定半导体照明技术标准提供参考。     

挡土墙设计与施工

挡土墙作为保护线路、稳固提坝、砌筑台阶建房的附属设施,在山区和丘陵地区的工程建设中,使用相当广泛。一、挡土墙的基底压力验算挡土墙的基底压力验算方法与一般偏心荷载作用下基础的计算相同,即要求基底边缘的最大压应力≤1．2倍地基承载力设计值。     

空穴缓冲层CuPc对有机电致发光器件特性的影响

采用旋涂和真空蒸发沉积工艺制备了结构分别为ITO/PVK:TPD/Alq3/Al和ITO/PVK:TPD/LiBq4/Alq3/Al的绿色和蓝色有机电致发光器件(OLED),并研究了空穴缓冲层CuPc对OLED特性的影响.结果发现:对于绿色OLED,CuPc的加入提高了器件的电流和亮度,改善了器件的性能;而对于蓝色OLED,CuPc的加入则加剧了载流子的不平衡注入,导致器件性能恶化.这表明空穴缓冲层CuPc对不同结构OLED的特性具有不同的影响,并通过器件的能级结构对此进行了解释.     

封装用高热导率硅胶性能的研究

通过对LED封装结构热模拟分析表明,模拟固晶胶粘贴部分失效的情况下,采用热导率为0.1 W/m·K的普通硅胶封装成的LED芯片最高温度为220.27℃,采用导热填料高热导率硅胶灌封的LED芯片最高温度可降低到122.71℃,大幅降低了芯片的温度.纳米ZnO导热填料高热导率硅胶,其填料颗粒的直径小于25 nm,透光率高,...     

聚乙烯咔唑／铟锡氧化物的界面分析

用原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XPS)研究了真空蒸镀聚乙烯咔唑(PVK)薄膜的表面形貌和PVK／铟锡氧化物(ITO)界面电子状态。结果表明，PVK分子虽然体积较大，但分布较均匀。XPS数据显示，在界面处PVK分子骨架和SnO2分子结构几乎没有发生变化，但PVK分子的侧基和In2O2分子结构发生了变化，因为界面处存在大量的，不能用制备过程的空气污染来解释的C-O键；在界面处，In2O3分子部分分解，所产生O原子替代PVK侧基上的H原子而形成C—O键；所产生的In原子则扩散至PVK内部。