K_2SiF_6:Mn~(4+)发光粉的合成及性能研究

采用高效离子交换法制备K_2SiF_6:Mn~(4+)荧光粉,研究不同K/Mn原料摩尔比和不同反应时间对K_2SiF_6:Mn~(4+)荧光粉结构及性能的影响,并采用溶胶-凝胶法对制备的K_2SiF_6:Mn~(4+)荧光粉表面包覆SiO_2来提高K_2SiF_6:Mn~(4+)荧光粉的热稳定性。通过XRD,SEM,EDS,PL等方法对样品结构、表面形貌、元素组成和发光性能进行测试和分析。结果表明:当K与Mn原料摩尔比为43∶38,反应8h制备的K_2SiF_6:Mn~(4+)荧光粉样品具有立方晶系结构并且发光性能最优,在460nm的蓝光激发下,最强窄带发射峰位于630nm处(2Eg→4 A2)。包覆后的K_2SiF_6:Mn~(4+)红色荧光粉的表面上包覆了一层无定形的SiO_2,晶体结构没有改变。包覆前后荧光粉的发光性能测试结果表明包覆SiO_2的K_2SiF_6:Mn~(4+)样品的热稳定性得到改善。     

Mini LED背光源在液晶显示面板上的照度均匀性

基于Taguchi实验方法和Tracepro仿真软件,研究了 Mini LED背光模组中LED芯片大小、芯片发光半角、芯片出光面到液晶层的距离等因素,对液晶面板照度均匀性的影响规律并对其进行了相应分析.研究结果表明:芯片出光面到液晶层的距离对照度均匀性影响最大,影响因素的权重占比达到82.88％;发光半角占比14.33％:芯片大小占比为14.33％.根据研究结果,固定发光半角与芯片尺寸,调节出光面与液晶面板层的距离,得到了最优的照度均匀度.     

复配稀土改性剂对MGF/PTFE复合材料性能的影响

采用稀土改性剂(RES)与硅烷偶联剂(PTMS)按不同组分配比对磨碎玻璃纤维(MGF)表面进行改性处理,将改性后的磨碎玻璃纤维粉末与聚四氟乙烯分散液机械混合,然后热压制得复合材料。探讨了复配稀土改性剂对MGF/PTFE复合材料介电性能、热膨胀系数(CTE)、热导率的影响。采用FTIR手段对稀土改性剂未改性的磨碎玻璃纤维和改性后的磨碎玻璃纤维的结构进行了测试,并用扫描电子显微镜(SEM)对复合材料的断口形貌进行分析。结果表明,复配改性剂能很好地促进MGF与PTFE之间的界面粘结,提高MGF/PTFE复合材料的性能。当RES、PTMS的含量分别为0.3%(质量分数)、1.7%(质量分数)时,MGF/PTFE复合材料的性能最好。     

稀土改性剂对玻璃纤维-SiO2/聚四氟乙烯复合材料性能的影响

采用不同的稀土改性剂（La、Ce、Pr、Nd和Sm）对SiO₂和玻璃纤维（GF）进行改性处理,SiO₂含量为55wt%,GF含量为2wt%。填料改性处理后与聚四氟乙烯（PTFE）分散液在高速分散机中混合,然后通过热压烧结法制得GF-SiO₂/PTFE复合材料。考察了不同的稀土改性剂对GF-SiO₂/PTFE复合材料吸水性、介电性能、热膨胀系数和力学性能的影响。采用FTIR手段对稀土La改性剂,未改性的填料和改性后的填料结构进行了测试。并用SEM和EDS对复合材料的断口形貌及表面处理前后填料的形貌进行观察和能谱分析。结果表明：由于稀土La的电子层结构比其他轻稀土更稳定,对阴离子的吸引作用比其他轻稀土强,稀土La改性剂比其他的稀土改性剂能更好地促进填料GF与PTFE界面粘合,改善GF-SiO₂/PTFE复合材料性能。GF-SiO₂/PTFE复合材料的介电性能受到La含量的影响,当La含量为0.3wt%时介电性能最佳。     

低介电玻纤布研究现状及其在高频印制电路板的应用

介绍了国内外高频高速印制电路板(PCB)用电子级玻璃纤维布在介电性能方面的研究情况,分别从玻璃纤维布的改性工艺及其在PCB中的应用两方面进行论述。研究表明,通过不同方式的工艺处理,可以在一定程度上降低介电常数和介电损耗,提升材料的介电性能,研究同时,对玻璃纤维布在PCB中的应用做了简单说明。     

中压沟槽MOSFET的设计与研究

基于仿真和实验方法,开展了100VN沟槽MOSFET的设计研究工作.通过沟槽深度,体区注入剂量和栅氧化层厚度拉偏,获得了对击穿电压,阈值电压和导通电阻的影响规律并对机理进行了分析,仿真工具同时描述了器件内部的电流路径和碰撞电离率分布.随着沟槽深度增加击穿电压先升后降,导通电阻则表现为相反趋势;击穿电压与注入剂量具有弱相关性,阈值电压随注入剂量增加而升高;击穿电压随着栅氧化层厚度增加整体表现上升趋势,但变化幅度不大,阈值电压与厚度变化表现出强相关性.通过逐步优化获得了最终结构和工艺参数为沟槽深度1.5μm,体区注入剂量1.3E13,栅氧化层厚度700 A,通过流片获得器件最终电性参数为击穿电压为105.6 V,阈值电压2.67 V,导通电阻3.12 mR,相较于仿真参数分别有98%,94%和75%的变化率.     

味精精制废水处理工程的设计与运行

某味精精制废水处理工程采用缺氧好氧工艺设计,取得了良好而稳定的运行效果。对该系统为期100 d的连续监测显示:进水流量为1 270±335 m~3/d,COD_(Cr)、TKN分别为1 724±897 mg/L和93.5±41.5 mg/L;出水COD_(Cr)、TKN和TN分别为10.4±5.1 mg/L、0.6±0.4 mg/L和7.2±1.5 mg/L;COD_(Cr)、TKN和TN去除率分别为99.4%、99.4%和91.7%。该工程的显著特点:一是出水COD_(Cr)与氨氮低,TN去除率高,指标远优于GB 8978—2002规定的直排值(一级A);二是过程简洁,操作简便,投资与运行费用低,非常适合小型污水处理站。     

近紫外白光LED用磷酸盐体系荧光粉的研究进展(下)

(续上期) 除Tb3+外,Eu2+也常用于绿色荧光粉中.这主要是因为在400 nm左右近紫外激发下,由于Eu2+的4f65d1→4f7能量转移,在380～710 nm发射范围中,主要发射峰位于绿色区域.Zhao等[10]通过高温固相反应制备了Eu2+掺杂Ca10Na(PO1)7基的近紫外白光LED用绿色荧光粉,在400 nm波长激发下、412 nm和531 nm处检测到发射峰,其最强发射峰位于531 nm(如图6所示).     

LED封装的研究现状及发展趋势

LED因其高效化、高功率化、高可靠性和低成本的不断发展,LED封装技术在越发重要的同时面临巨大的挑战。在封装过程中,封装材料和封装结构对LED散热与出光的影响最为关键。本文主要从封装材料（芯片、基板、热界面材料、荧光粉）和封装结构（Lamp、Surface Mounted Devices（SMD）、Chip on Board（CoB）、Remote Phosphor（RP））上,阐述LED封装的研究现状以及发展趋势。