压电陶瓷的制备与特性研究

研究了不同的制备工艺对BaTiO3纯相的影响以及钛锆酸钡陶瓷的特性。实验结果表明 :在 10 0 0℃以上条件下制备的BaTiO3陶瓷的相组成较为单一。 110 0℃条件下制得的纯相BaTiO3比在 10 0 0℃条件下的钙钛矿型结构较好 ,c/a较大。适量掺Zr可控制晶体的四方度和有害的焦绿石相的含量 ,可改善其性能     

Bi2O3对TiO2系压敏陶瓷性能的影响

采用传统电子陶瓷工艺制作了TiO2系压敏陶瓷。通过测试其I-V特性、复阻抗特性、晶界电阻、晶粒电阻及势垒高度,研究了Bi2O3对TiO2-Bi2O3-Nb2O5-SrO系压敏陶瓷微结构及电性能的影响。结果表明,Bi2O3的适当掺杂范围在0.3%~0.5%(摩尔分数)。其掺杂量的变化,可显著改变TiO2-Bi2O3-Nb2O5-SrO系压敏陶瓷的晶界电阻及势垒高度,进而对压敏陶瓷的电学非线性特性产生影响。当x(Bi2O3)为0.4%时,压敏陶瓷的V1mA与α分别为40V/mm与6.2。     

PZT的制备及其微观结构分析

PZT(Pb(ZrxTi(1-x)O3)是一种典型的三方-四方钙钛矿结构的铁电陶瓷，其微观结构对材料的铁电性能有很大的影响．我们用粉末烧结法制备PZT，对纯相PT(PbTiO3)和PZ(PbZrO3)的工艺进行研究．用X射线衍射仪对不同工艺条件制备的PZT，PT及PZ进行了结构分析．认为在使用Pb3O4作原料时并不需要文献[田长生，许建军，方晓华．烧结温度对0．85PZN-0．10BT-0．05PT陶瓷相结构的影响[J]．功能材料，1995，26(增刊)：358-359；杨祖陪，高峰，周欣山等．含铅弛豫铁电陶瓷的制备技术[J]．功能材料，1998，29(增刊)：533-535]所报道的需使反应处于富铅状态；计算分析还表明通过配比控制，可以使PZT的四方度符合使用要求．分析PZT中三方-四方相的共存与转变，认为其与内应力有关．     

钕掺杂对M型锶铁氧体结构和磁性能的影响

采用溶胶-凝胶自蔓延燃烧合成了稀土钕掺杂的M型锶铁氧体(SrNdxFe12-xO19,x=0～1.0)纳米粉体,再将粉体压制成型在1200℃下烧结成磁体.用X射线衍射对粉体进行相结构分析,用磁特性测试仪测试了烧结体的磁性能.结果表明,焙烧温度高于850℃时可形成六方磁铅石型SrNdxFe12-xO19纳米粉体.随着稀土Nd掺杂量的增加,晶格常数a缓慢增大,c缓慢减小,晶体密度线性增大,晶粒尺寸保持在20～50nm范围,并且表现出逐渐减小的趋势.而SrNdxFe12-xO19磁体的剩磁Br、磁感矫顽力Hcb以及最大磁能积(BH)m先增大后减小,在x=0.4时都达到最大值,内禀矫顽力Hcj却随着x的增大而不断增大.     

Sr掺杂对TiO2系压敏陶瓷电性能的影响

以TiO2为原材料,制备了具有压敏–电容复合功能的TiO2系压敏陶瓷材料。通过测试典型样品的V-I特性、D-f特性、电容特性及复阻抗频率谱,研究了不同掺Sr量的TiO2系压敏陶瓷材料的相关电学性质。实验结果表明,掺Sr量在强烈影响材料压敏性能的同时,对材料的电容特性也会产生较大影响。在掺Sr量为x (Sr)=0.6%时,样品表现出最好的压敏性质,其压敏电压为55 V/mm,a可达到5,1 kHz下损耗为0.1,相对介电常数可达2.8?05。