KDP/KD*P晶体生长过程中柱面扩展的研究

目前在KDP/KD*P晶体的实际生长过程中,仍以传统降温法为主.在传统降温速度的基础上适当提高降温速度,可以加快KDP/KD*P晶体的生长速度,但与此同时有可能产生柱面扩展.为此,我们对不同生长环境下的KDP/KD*P晶体生长过程中柱面扩展进行了一系列研究.实验中所用KDP原料和去离子水均与生长大口径KDP晶体相同,其它各项条件也尽量模拟大口径KDP晶体生长过程中的实际情况.在晶体生长实验过程中通过研究不同条件下KDP/KD*P晶体的柱面扩展情况来研究柱面扩展对KDP/KD*P晶体光学质量影响的共同特点.通过分析和研究实验数据及晶体生长过程,我们认为在正常生长条件下引起柱面扩展的主要因素有两个溶液的过饱和度和籽晶柱面存在的缺陷.扩展部分的晶体的光学质量与本体部分差别较大,扩展部分对光的透过率在紫外部分下降很快,明显低于本体部分在这一波段的透过率.本体部分和扩展部分对光的透过率在其它波段差别不十分突出.     

从日本选鞋员的考评制度看我国高职教育职业理想的培养

教育作为一种培养人的社会活动,其内在规定性就是满足受教育者对知识技能的需求,提高人类整体的文明素质,促进经济发展,从而推动社会进步。市场经济体制的建立和知识经济时代的来临,使得高职教育工具性和经济性的功能愈加显现出来,但过分追求适应社会需要而设置人才培养方案、设置专业、培养适应市场需要的人才等,往往导致忽略了学生自身的职业理想、忘记了学生这个主体的个人的爱好、兴趣的需要,遗忘了学生个人的身心修养和发展,似乎我们已经习惯于从社会需要、市场需要的角度来办高职教育,或者说一开始就把高职教育作为社会需要的工具来看待,而这恰恰是不正常的。针对高职教育学生职业理想的培养目标,观察日本选鞋员的职业培养与考评制度可以给我们蓬勃发展的高职教育带来触动,更能引发我们对高等职业教育职业理想培养的深层思考。     

拉伸工艺对聚偏氟乙烯薄膜结晶特性的影响

采用挤出法制备了PVDF片材;利用单轴拉伸工艺制备了β相含量相对较高的聚偏氟乙烯(PVDF)薄膜;采用偏光显微镜、差示扫描测试仪、X射线衍射仪等仪器,分析了拉伸过程中PVDF薄膜的形貌、结晶度以及结构变化,讨论了不同拉伸温度、不同拉伸比以及不同拉伸速率对薄膜微观结构及β相相对含量的影响。结果表明:PVDF薄膜拉伸过程中α相受外力作用转变成β相。PVDF挤出片材在拉伸温度80℃、拉伸比5倍,拉伸速率50mm/min条件下进行拉伸时,薄膜中β相的相对含量可高达57%。     

注射法制备1-3连通压电复合材料及性能研究

采用陶瓷注射成型技术制备PZT陶瓷阵列,经过脱脂、烧结、灌注环氧树脂以及后加工得到长径比为4~5的1-3连通压电复合材料,并对其压电性能和机电转换性能进行研究。结果表明,压电系数d_(33)达到400p C/N以上,与压电陶瓷的相当;纵横耦合比k_t/k_p在2左右,高于PZT陶瓷的纵横耦合比。     

阴离子掺杂对KDP晶体光散射的影响

选用硫酸钾、硝酸钾和氯化钾作为掺杂剂, 采用传统降温法和“点籽晶”快速法生长了磷酸二氢钾(KDP)晶体, 利用超显微法对KDP晶体中的散射颗粒进行了观察, 研究了SO₄^2- 、NO ₃^- 和Cl ^- 三种阴离子掺杂对晶体中光散射的影响. 结果表明, 掺杂后SO₄^2-造成晶体光散射的轻度增加; 而NO ₃ ^-和Cl ^- 离子掺杂后, 对于传统降温法所得晶体, 散射明显加重, 对于“点籽晶”快速法所得晶体的散射影响不大.     

“国际贸易单证实务”课程设计理念探析

"国际贸易单证实务"是国际贸易实务专业的一门核心课程,强调实践操作与动手应用。依据职业能力培养目标,本课程确立了以教、学、做为一体的教学指导思想,建立了以学生为中心的"实务、实训、实战"三维教学"三实"系统,形成了培养学生技能与企业工作岗位对接的理念,以培养适合企业岗位的人才,满足社会对高职人才的需求。     

纳米结构形貌二氧化钛的制备及其气敏响应

为获得高灵敏度的纳米结构感知元件，对二氧化钛的形貌调控进行了研究．结果表明，TiO2粉体经适当的水热处理可获得高比表面积的纳米TiO2形貌．SEM和XRD结果显示处理效果明显．将该形貌的纳米TiO2用于传感器原理型器件的制备，室温下对有机挥发性气氛显示出快速响应．这为高灵敏度化学传感器及其阵列的研发提供了一简便的材料制备途径。     

“国际贸易单证实务”课程设计理念探析

“国际贸易单证实务”是国际贸易实务专业的一门核心课程,强调实践操作与动手应用.依据职业能力培养目标,本课程确立了以教、学、做为一体的教学指导思想,建立了以学生为中心的“实务、实训、实战”三维教学“三实”系统,形成了培养学生技能与企业工作岗位对接的理念,以培养适合企业岗位的人才,满足社会对高职人才的需求.     

溶胶-凝胶法制备MgxZn1-xO薄膜及性能研究

采用溶胶-凝胶法在石英玻璃片衬底上制备了Mg2+掺杂的ZnO(MgxZn1-xO)薄膜,研究了Mg2+掺杂对ZnO薄膜结构和紫外透过率的影响;在氧化物薄膜上真空蒸镀了Al叉指电极,制得紫外原型探测器件,测试了I-Ⅴ特性.结果表明,Mg2+掺杂后,MgxZn1-xO薄膜为纤锌矿结构,随着x值增加,晶格常数c逐渐减少,α逐渐增大,Mg2+掺杂抑制了(002)晶面的生长;紫外透过光谱表明,Mg2+掺杂后吸收边发生蓝移,可提高ZnO薄膜的禁带宽度;I-Ⅴ特性曲线表明,正向偏压下探测器的暗电流和光照电流随外加偏压呈线性增长,但光照电流与暗电流的差别较大.