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为充分挖掘 MEMS 陀螺的性能,提高 MEMS 陀螺在实际应用中的精度,通过搭建四陀螺阵列结合改进的 Sage-Husa 滤
波算法对陀螺阵列的输出信号进行降噪,在不改变陀螺加工工艺和显著提高生产成本的条件下有效提高了 MEMS 陀螺仪的实
际性能。 通过分析 MEMS 陀螺仪的系统误差和随机误差,搭建误差模型,利用传统卡尔曼滤波、移动平均滤波、小波阈值去噪
和改进的 Sage-Husa 滤波算法对单个陀螺和陀螺仪阵列进行降噪处理,实验对比发现改进的 Sage-Husa 滤波算法和陀螺仪阵列
结合后能有效降低陀螺的输出噪声。 利用 Allan 方差分析陀螺仪阵列经过改进的 Sage-Husa 算法滤波后的随机误差,四陀螺阵
列角度随机游走从 0. 40°/ h降低到 0. 03°/ h ,零偏不稳定性从 71. 11°/ h 降低到 5. 83°/ h,有效提高了 MEMS 陀螺在实际应用
中的性能。 相似文献
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电力变压器的正常工作是电力系统安全稳定运行的重要保证,随着我国对电力系统可靠性要求的不断提高,对电力变压器的稳定性能也提出了新的要求。本文就油浸式电力变压器容易出现的故障做出分析,并对故障诊断技术做出陈述,以促进油浸式电力变压器故障诊断技术的良好发展,提高故障诊断的效率。 相似文献
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轴对称3D曲面壳体谐振器具有自身对称性好、耐冲击能力强、可靠性高的特点,是应用最为广泛的谐振器之一,但因制备工艺涉及薄壳结构的曲面成形过程,属于MEMS 3D工艺,很难进行批量化制备。基于硅各向同性湿法技术对多晶硅3D曲面壳体谐振器的批量化制备工艺进行了实验研究。设计了脱模法制备多晶硅3D曲面壳体结构的工艺流程,实验优选体积比为15∶10∶75的醋酸、氢氟酸、硝酸的混合液各向同性腐蚀制备硅半球腔模具,利用自制的水浴设备和水平度可调夹具,对刻蚀液温度和扩散速度进行了有效控制,减弱了反应放热和硅基片放置不水平对硅半球腔圆度与粗糙度的影响。制备了直径为0.8~1.3mm的多晶硅3D曲面壳体结构,测试对称性最好优于0.4%,多晶硅3D曲面壳体结构的表面粗糙度优于1nm。在0.2Pa的压强下,激光多普勒测试得到曲面壳体谐振器的谐振频率为28kHz,Q值为14 365,调节驱动电压和偏置电压可实现谐振器四波腹谐振模态的模式匹配,基频差趋于零。 相似文献
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目的探讨二氢睾酮(dihydrotestosterone,DHT)对损伤后大鼠视网膜神经节细胞-5(retinal ganglion cell-5,RGC-5)神经突起再生及RhoA和神经突蛋白(neuritin)表达的影响。方法 RGC-5经十字孢碱诱导分化后,将细胞分为正常对照组、模型组[用连二亚硫酸钠(Na2S2O4)制备大鼠RGC-5神经突起氧糖剥夺/复氧损伤模型]和DHT干预组(终浓度分别为1、10、100 nmol/L),采用MTT比色法测定各组细胞的存活率;显微镜下观察神经突起长度和数量;RT-PCR和Western blot法分别检测RGC-5中RhoA和Neuritin基因mRNA的转录水平及蛋白的表达水平。结果与模型组比较,10和100 nmol/L DHT干预组及正常对照组的细胞存活率和神经突起数量均明显上升(P均0.05);1、10和100 nmol/L DHT干预组及正常对照组的神经突起长度、Neuritin基因mRNA转录水平和蛋白表达量均明显增加(P均0.05),RhoA基因mRNA转录水平及蛋白表达量均明显减少(P均0.05)。结论 RhoA和Neuritin可能是影响RGC-5神经突起再生的重要因子,DHT可能通过调节RhoA和Neuritin的表达,从而发挥神经保护作用。 相似文献
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目的:观察雷帕霉素对人脐静脉内皮细胞增殖的影响,探讨其可能的抑制新生血管的作用机制。方法:采用四唑盐比色试验(MTT)法检测不同浓度(0.1ng/ml,1ng/ml,10ng/ml,20ng/ml)的雷帕霉素对血管内皮生长因子(Vascular endothelial growth factor,VEGF)诱导的人脐静脉内皮细胞(human umbilical vein endothelial cell,HUVEC)增殖的抑制作用。结果:不同浓度的雷帕霉素均能抑制由VEGF诱导的HUVEC增殖。结论:雷帕霉素能抑制HUVEC的增殖,且呈剂量依赖。雷帕霉素通过抑制血管内皮细胞的增殖来抑制新生血管的形成。 相似文献
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MEMS硅半球陀螺球面电极成形工艺 总被引:1,自引:0,他引:1
由于球面电极是曲面结构,电极各处的电感耦合等离子体(ICP)刻蚀深度不一致,在加工过程中常发生球面电极还未刻蚀到位而谐振器已被破坏的现象,故本文提出了新的球面电极成形工艺。基于ICP刻蚀固有的lag效应,采用刻蚀窗口宽度由60μm渐变至10μm的V形刻蚀掩模调制电极各处的刻蚀速度,在电极各处获得了基本一致的归一化刻蚀速度(2.3μm/min)。利用台阶结构拟合球面电极的3D曲面结构,并保证通刻阶段的硅厚度基本一致为150μm来消除球面电极加工时最薄处已经刻穿阻挡层并破坏谐振器而最厚处还没有刻蚀到位的现象。结合台阶状的二氧化硅掩模对球面电极各点处的硅ICP刻蚀当量进行了调整,使其基本相等,通过一次ICP刻蚀即完成了对硅球面电极的加工。利用提出的方法成功制备出了具有功能性输出的微机电系统(MEMS)半球陀螺的硅球面电极,其最大半径可达500μm。 相似文献