全SiC三相逆变器传导电磁干扰建模与预测

三相逆变器中的开关器件快速开关动作产生高的du/dt、di/dt,在系统寄生参数的作用下产生了电磁干扰(EMI),影响系统的可靠运行。相比较Si器件,SiC器件具有很多优势,在三相逆变器系统中得到了越来越多的应用。但是,SiC器件的开关频率更高,开关速度更快,使得其电磁干扰问题也更严重。本文通过对全SiC三相逆变器传导电磁干扰的干扰源及传播路径进行建模,采用时域仿真加快速傅里叶变换(FFT)的方法预测了电源端口处的传导干扰,在10kHz~30MHz的频段范围内,仿真结果与实测结果基本吻合,验证了所建模型的正确性。     

基于自由摆的平板控制系统

本论文采用角度传感器,运算放大器,AD转换器采集平板变化信息,通过单片机,产生脉冲信号,控制电机模块驱动步进电机带动平板转动,摆杆角度越大步进电机转过的角度越大,从而控制平板状态基本保持水平,实现自由摆得平板控制。