瑞典“埃里眼”（Erieye）预警机雷达介绍

要求雷达作用距离远的基本条件是必须采用较长的工作波长和大口径天线 ,但在小型飞机上要同时满足这两个条件 ,采用常规的旋转式天线是不可能实现的 ,唯一解决的方法是采用固定的电扫天线 ,这就是“埃里眼”预警机雷达PS 890的主要特点 ,它较好地解决了这两个问题。PS 890雷达的工作波长与天线面积和APY 1 / 2雷达相近。PS 890是S波段有源相控阵雷达 ,天线为双面阵 ,尺寸为 8m (长 )× 0 .6m (高 )。每个阵面有 1 78(水平向 )× 1 2 (垂直向 )个天线振子 ,两阵之间安装有 2 0 0个收 /发组件 ,每个组件均为固态器件 ,可向任一天线阵面馈…     

在一块芯片上集成225万个元件的1兆位DRAM

日本的东芝公司于去年11月1日发表了新一代超大规模集成电路的文章,它采用1.2μm的微细加工技术及新的元件隔离技术(BOX),在一块芯片上集成了约220万个元件的1M位动态RAM。 存取时间70ns 此超LSI,在4.78×13.23平方毫米的硅芯片上集成的元件是目前已达到实用化的最先进的超LSI-256k位DRAM的4倍,并将这种器件封装在与256k位DRAM     

氟离子选择电极法测定海盐中微量氟

氟化镧单晶膜电极是性能优越的离子选择电极,它对氟离子具有较理想的选择性。氨电极成功地解决了氟的快速分析这一难题。本文用苏州计量局实验工厂生产的氟电极,选择不同的离子强度调节液和测定方法,对海盐中氟的含量进行测定。实验结果表明,在相同条件下,格氏(Gran)作图法效果较好。测定平均值为0.90mg/kg;标准偏差为0.056;变异系数6.6％;平均回收率在99.6％左右。实验一、仪器与主要试剂一.仪器:PHS—3型酸度计,电动磁力搅拌器(上海第二分析仪器厂):PXJ—     

不同网格中导热方程的精确解和数值解

用基元有限容积方法求解热传导问题,结构化网格和非结构化网格同时采用,并和精确解相比较.虽然从两种网格形式,都能得到满意的结果,但结构化网格在规则区域更精确一些.对于非结构化网格,二次扩散项对提高精度是十分重要的.     

2008年世界无人机发展

自20世纪20年代无人机问世以来,经历了从简单的航模、靶机发展到预编程序或无线电遥控无人侦察机的漫长发展过程。20世纪60年代初,外军才真正把无人机用于战场。在1991年海湾战争中,多国部队广泛使用无人侦察机为作战指挥提供了大量的情报信息,指挥舰炮、地面火炮对目标进行攻击,效果明显,这更刺激了世界各国对军用无人机发展的重视。根据美国的估计,世界上有30多个国家和地区目前研究或生产了250多架不同系列的无人机,主要用于军事领域。     

微细化MOS用硅单晶

微细化MOS存储器用硅单晶中的问题是缺陷,其发生的起因,在于衬底本身的结晶缺陷及器件制造工艺过程。由衬底结晶缺陷引起的缺陷有发生在表面的层错和发生在内部微小缺陷,因此,在研制低氧浓度单晶生成技术,控制硅氧化物析出的同时,再要防止研磨损伤就能降低这两种缺陷的密度。进一步利用氧的外扩散,能使离衬底表面大约5μm的范围基本无缺陷。 起因于工艺过程的缺陷随着微细化新工艺技术的引入,而有进一步增大的倾向。由于离子注入产生的损伤,反应性溅射腐蚀时的重金属污染,用电子束直接扫描而在图形锐角处的应力集中都会造成问题。这些问题可以通过使用低氧浓度衬底和改善工艺条件而得到解决。另外,全部工艺流程所造成的圆片翘曲度大约在20μm以内。 采用以上方法,我们对实现1个微米规范的微细化256K位MOS存储器寄与很大希望。     

通过多晶硅选择氧化同时形成层间绝缘膜和漏源区

本文报导,成功地研究出了可以同时形成MOS LSI的层间绝缘膜及漏、源区域以及多晶硅栅长度与有效沟道长度差小的加工技术。漏、源区的掺杂剂是用磷。这是一种利用使磷通过SiO_2由多晶硅扩散到硅衬底上去的性质。为研究此工艺的实用性,将试制8位微处理机。     

三菱电机公司将新的成膜技术“高压氧化法”应用于MOSLSI中

三菱电机公司研制出了新的硅成膜技术——高压氧化法。有关这种新技术在MOSLSI中的应用结果,在八月份举行的电子通信学会电子元件与材料研究会上发表了。 这种新的高压氧化法与以往的常规氧化法相比,氧化时间缩短了。由于热处理温度变低,从而使器件特性得以提高。由于有这些优点,使高压氧化法正成为半导体工业中有力的工艺方法。 在用于MOS LSI以前。首先把普通硅膜与由高压氧化法形成的膜进行了比较,非     

防止由α射线引起的存储器误动作的方法探讨

当探讨由于α射线影响所发生的软误差时,把为了防止软误差的方法,放到以动态MOS RAM场合为中心进行处理。通过改进封装、对芯片表面涂敷保护膜、改进器件设计、以及修正错误等系统的补救方法,为防止α射线影响是将器件做成4根腿。充分考虑了α射线影响的64K RAM设计大致可陆续定型。