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为了分析CRCP参数对端部锚固性能的影响规律,基于结构力学的基本理论,按照位移法的基本思路,建立了综合考虑路面板与锚固地梁联合受力的CRCP在温度荷载作用下的位移和应力表达式.通过对该公式的分析,得出了各参数对端部锚固位移、端部锚固力和端部锚固地梁最大弯矩的影响规律. 相似文献
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美国Aquion Energy公司采用水性电解液和储量丰富的钠和锰开发了一种新的钠离子电池.这种电池成本低廉,预期300美元/kWh,不到锂离子电池使用成本的三分之一.第三方测试表明,Aquion Energy公司的电池可以持续5 000次以上的充放电循环,而且效率超过85%. 相似文献
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正众所周知,锂金属在锂电池中具有非常高的理论比容量,3 842mAh/g。但是也正是因为锂金属的使用才导致锂枝晶的生长,这给电池的安全带来严重的隐患。因此,锂金属很早以前就被层状锂金属氧化物和磷-橄榄石正极替代,这虽然导致电池在容量上大大损失,但是这使得锂电池在长期循环中具有更安全的性能。伦斯勒理工学院(Rensselaer Polytechnic Institute)的研究人员通过在多孔石墨烯网内部缺陷诱导电镀金属锂,可防止锂枝晶的生长,从而提高电池的安全 相似文献
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传统的晶片太阳电池通常都是制作在刚性基底上.最近,一支来自美国宾夕法尼亚州立大学的工程师、化学家、物理学家组成的团队发明出一款光纤太阳电池.这款电池比头发还细,具有柔性,且发电能力与普通太阳电池相比毫不逊色.美国军方对这项技术非常感兴趣,已经准备把这种光纤维织到军装里,这样士兵们就真正拥有了一件可穿戴的电源.
其实,这款光纤产品最初就是由普通的玻璃光学纤维制作的.之后,科学家才使用高压化学气相沉积法(HPCVD)将n,i和p型硅注入到纤维中,制作成电池.从功能上讲,这种掺杂了硅的光纤维与传统太阳电池是一样的,都可以通过光伏效应发电.但是目前市场上的太阳电池几乎都是2D结构,即在刚性或易碎玻璃基板上制作的平面非晶硅电池. 相似文献
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正传统锂离子电池一般都使用石墨阳极,但是大众普遍认为这种材料的性能已经达到了巅峰,这促使研究人员寻找新的可能替代品。现在,研究人员都寄希望于纳米硅,但是纳米硅的大批量制造非常困难,而且存在快速衰降的问题。现在,美国加州大学的研究人员已经克服了纳米硅存在的难题,开发出了一种用沙子制造的锂离子电池阳极。硅在制备和性能上存在的问题硅被认为是下一代锂离子电池用阳极,其理论比容量高达3 572 mAh/g,相当于在室温下合成的Li15Si4。不过,硅有一些主要缺点,其在嵌锂期间体积可膨胀300%。 相似文献
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据报道,近日美国马里兰大学的研究人员采用木纤维、盐和锡制成了一种低成本、高效、长寿命、环保的新型钠离子电池,其非常适用于大型储能领域.研究人员称这种电池是迄今为止最有效、寿命最长的纳米电池,初始比容量为339 mAh/g,循环寿命超400次.相比较而言,锂离子电池的典型循环寿命也大概在300~500次之间.
钠离子电池目前还处于研发阶段,它比锂离子电池更加适用于大型储能领域的原因有两个方面:一方面是因为钠成本低廉,储量丰富;另一面是因为钠更具环保特性.因为钠的储能效率不如锂,所以这种新电池不可能应用在如笔记本电脑或智能电话等这些结构紧凑、小巧的器件上.但是钠离子电池要想真正用于储能领域,还有许多困难有待解决. 相似文献
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2011年2月,美国联合技术公司(UTC)宣布最新一代固定式磷酸燃料电池PureCell-400已实地运行100 000小时,取得里程碑式的成就(图1为PureCell-400型燃料电池外型图)。PureCell-400系统由空气处理系统、供电系统、电力系统模块、热管理与水处理系统、燃料处理系统、冷却模块组成并实现远程监控。 相似文献
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正超级电容器通过将离子存储在浸泡于电解质溶液中的两极板上来储存电荷。一直以来,科研人员都在努力提高超级电容器可存储电荷的能力。由于超级电容器可存储离子的数量与极板的表面积密切相关,所以科研人员通常都会在极板上涂覆一些多孔材料来增大表面积,如将活性炭、碳纳米管等多孔材料沉积在极板上。但是这些尝试所取得的进展都微乎其微,而且这些方法还很难重复持续地进行。范德堡大学的助理教授Cary Pint和其同事通过一种特别的新角度,用多孔硅来制作超级电容器。这种方法乍 相似文献
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正锂离子电池的性能主要取决于内部材料的结构和性能。这些电池内部材料包括负极材料、电解质、隔膜和正极材料等。其中正、负极材料的选择和质量直接决定了锂离子电池的性能与价格。因此,廉价、高性能的正、负极材料的研究一直是锂离子电池行业发展的重点。正极材料的开发已经成为制约锂离子电池性能 相似文献
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正锗是一种重要的IV族半导体材料,可用来制造晶体管及各种电子装置。与硅相比,锗的电子迁移率是其2倍[3 900 cm2/(V·s)],空穴迁移率是其4倍[1 900 cm2/(V·s)],激子玻尔半径较大(24 nm)和空穴有效质量较低。因为锗的载流子迁移率较高,所以它被认为可以替代硅作为CMOS晶体管的活性管道材料。另外,锗还是一种非常有吸引力的锂离子电池负极材料,因为其理论充放电容量比石墨高。不过,由于它的体积在充放电过程中会发生 相似文献