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碳化硅MOSFETs开关速率快,耐压高,在逆变器应用领域前景广阔。平面栅MOSFETs因其成熟的工艺是最先被商业化的器件。在平面栅MOSFETs的设计中,降低导通电阻和提高芯片的电流密度是重要的开发目标。基于自主研制的1 200 V及1 700 V SiC MOSFETs,研究了载流子扩展层技术、JFET注入技术以及元胞结构对器件电学特性的影响。测试结果表明采用方形元胞设计的SiC MOSFET的电流明显大于采用条形元胞设计的电流,JFET注入对阈值电压的影响比载流子扩展层技术更小。 相似文献
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舵机带宽辨识方法研究 总被引：3，自引：0，他引：3
本文首先简要介绍了电动舵机的工作特性和舵机模型的选取,给出舵机带宽的具体计算方法.详细研究了最小二乘辨识方法,其中重点讨论实现最小二乘的具体算法步骤.在分析了不同的输入信号对系统辨识造成的各种影响后,本文给出实验时对输入信号的具体要求以及视为野值的判决方法.基于特定的舵机辨识问题和高精度辨识的特性要求,本文选取参数递推估计策略作为具体的求解方法,并推导出详细的算法过程.明确阐述了加权系数和遗忘因子的具体用途,并用实验数据确定出加权系数和遗忘因子.最后验证了辨识结果的合法性和辨识模型的准确性. 相似文献
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