超声化学水热法制备CdSe亚微米球的TEM观察

自从 1987年Ｅ .Ｙａｂｌｏｎｕｉｔｃｈ和Ｊｏｈｎ提出光子带隙 (ＰＢＧ)的概念以来 ,有关光子晶体的研究令众多理论物理学家和实验物理学家产生了广泛兴趣。迄今为止 ,人们利用微加工技术制备了一维、二维、甚至三维的微波波段的光子晶体。然而 ,随着研究的深入 ,尺寸要求越来越小 ,这种自上而下的制备方法遇到的困难也越大 ,尤其是在制备可见光波段的三维光子晶体时 ,微加工技术制备已经难以完成 ,人们开始把目光投向由下而上的胶体化学方法。通常 ,自然界最常见的和人工合成的光子晶体是由ＳｉＯ2亚微米小球自组织而成的 ,即蛋白石[1] …     

热氧化法制备SnO2纳米晶的HREM研究

二氧化锡半导体材料,因其高电导率、在可见光区的高透明度、以及较好的热稳定性和化学稳定性,使其具有广泛的用途.它可以用作太阳能电池、光电感应器件等,而最重要的应用就是用作气敏传感器的原材料[1].在气相沉积法制备的SnO2薄膜中,混合相(SnO-SnO2)比SnO2单相表现出更好的气敏性[2].     

激光辐射损伤阈值与激光脉宽相互关系的模拟计算

描述了一个超短脉冲引起的电介质激光损伤的理论模型,这个模型考虑了多光子电离、雪崩电离、电子-离子复合和电子扩散。通过假设激光脉冲为高斯型,数值计算得到了激光脉冲宽度与激光辐射损伤间的依赖关系。对于大于10ps的脉冲宽度,数值结果与平方根关系符合很好,对于亚皮秒激光脉冲,通过适当选择损伤的评价标准,我们的模型解释了Du等和Stuart等的相对实验结果。     

CdS纳米晶自组装形成的亚微米中空球微结构研究

Ⅱ-Ⅵ族半导体量子点（如GdS、CdSe等）,因其具有明显的量子尺寸将就和表面将就，近来成为人们研究的热点。以这些量子点为基元，可组装成许多有趣的结构，其中最具代表性的是被人们称为光子点的亚微米-微米尺度的中空球微腔结构。这种中空球微腔结构具有量子点和光子点耦合效应，可实现自发辐射的抑制和单模加强的量子点发光，称之为光子点对量子点发光的调制。     

CdSe／HgSe／CdSe量子点量子阱（QDQW）的HREM研究

我们应用胶体化学合成方法制备出具有核壳结构的CdSe/HgSe/CdSe量子点量子阱(QDQW)纳米晶,由于QDQW中载流子的量子限制效应,其光致发光谱(PL)出现了明显的蓝移现象,谱峰也有明显增强。本文中,我们通过对CdSe/HgSe/CdSe量子点量子阱核壳结构进行HREM的研究,并对包裹层这种异质外延生长及PL谱进行分析,获得了有意义的结论。胶体CdSe纳米晶是在水溶液中加以生长[1]。其化学反应式为:Cd2++2OH-+SeSO32-→CdSe+SO32-+H2O(1)通过改变Cd2+、SeSO32-的浓度及溶液中pH值,对CdSe纳米晶的尺度加以控制,并加入化学稳定剂阻止CdSe纳…     

基于分圆类的完备高斯整数序列构造

完备高斯整数序列（PGIS）应用于扩频通信系统不仅能抑制干扰,而且可以获得高的传速率和频谱利用率,因此本文基于分圆类提出一类与现有PGIS参数不同的奇长度PGIS的构造方法,PGIS的电平数（degree）为2和3,并且利用系数序列和交织方法将奇数长PGIS扩展为偶数长PGIS.在一定条件下,基于分圆类的构造方法,可以获得大量高能量效率PGIS,最大能量效率接近1,这对工程应用具有重要的实际意义,本文的构造结果可为宽带扩频通信系统提供更多的地址选择空间.     

高压脉冲电凝-Fenton氧化工艺处理制药废水试验研究

采用高压脉冲电凝-Fenton氧化工艺对制药废水进行处理,探讨了进水pH值、极板间距、反应时间、H2O2投加量等因素对去除制药废水CODCr的影响.研究表明:高压脉冲电凝-Fenton氧化法的最佳工况条件为:进水pH值为4左右、极板间距为20 mm、电流强度为10A、高压脉冲电凝反应时间为45 min、H2O2投加量为...     

一起凝结水泵变频器跳闸事故分析

论述了一起某机组凝结水泵变频器出口断路器运行中击穿事故的发生及分析处理过程,通过分析故障波形,指出6kV真空断路器真空灭弧室故障是变频器跳闸的根本原因,呼吁重视真空断路器预防性试验故障,及时发现运行真空断路器故障。     

660MW机组的电气整套启动调试

介绍某660MW机组的设备特点以及电气整套启动试验过程,论述电气调试过程中出现的电流互感器变比错误、差动保护误动、三次谐波采集卡件损坏、变频器跳闸等问题,并介绍这些问题的分析处理过程,以供同类型机组启动调试借鉴参考。