CMOS闩锁效应模型分析及计算机模拟

本文采用较全面的包括四个寄生双极晶体管和MOS管的闩锁模型,详细分析了瞬态辐照下CMOS反相器的闩锁效应。通过模型分析探讨,得出了电路发生闩锁的内在条件,并和惯用的简化模型发生闩锁的内在条件进行了对比讨论。利用LSTRAC-2电路分析程序对本模型和惯用简化模型进行了模拟,就模拟结果和理论分析结果进行了分析比较。     

CMOS电路瞬时辐照效应的计算机模拟分析

利用LSTRAC-2对CD4007电路进行瞬时辐照效应模拟,分析了模拟中用到的有关参数的提取方法,对模拟的电路样品进行了瞬态辐照实验,并就结果进行了比较和讨论。结果表明,模拟和实验符合得较好。     

副提钢轨罐道接头错位故障治理方法

采用钢轨接头固定器,解决了因钢轨罐道接头错位与提升容器滑动罐耳产生冲击,消除了主电机电流波动及提升钢丝绳和平衡钢丝绳摆动大等问题,提高了安全运行可靠性。     

抗高能单粒子辐射加固的LC6508电路的研制

本文介绍抗单粒子辐射加固的１ＫＣＭＯＳＳＲＡＭＬＣ６５０８电路，对该电路进行了单粒子辐射试验，并就试验结果进行了讨论。     

CMOS IC瞬时辐照效应的计算机模拟

<正> 一、引言 由于半导体器件抗核加固研究工作的需要,应用计算机模拟分析半导体器件的辐照效应不仅能节约大量资金,而且能缩短抗核加固研究工作的周期,因此,它已成为抗核加固研究工作的一个重要方面。本文应用电路分析程序模拟CMOS电路的瞬时辐照效应,并和实验结果进行了比较。     

提高CMOS电路抗闩锁能力的阱源结构设计

提出了一种较好的抗闩锁CMOS结构——阶源结构.对阶源结构和常规结构的CMOS反相器进行了电触发闩锁特性和激光器辐照实验研究,就实验结果进行了分析讨论.     

纺织品检测报告的格式探讨

要想实现纺织品检测报告内容的准确性、规范性以及易读性目标,就必须要正确把握纺织品检测报告的正规格式。基于此,文章将纺织品检测报告作为重点研究内容,阐述了与报告格式相关的内容,希望有所帮助。     

一起在用氧气瓶爆炸事故的分析

通过对氧气瓶残片的化学成份、断口分析，探讨了爆炸事故的机理，提出了避免类似事故的方法。