背照式EMCCD背端处理技术研究

为了消除EMCCD芯片背面平坦抛光光敏区的物理机械缺陷、可动电荷、硅表面界面不连续等产生的电荷态,降低器件暗电流和光电转换效率.采用带介质低能硼注入及激光退火工艺技术,建立一个由P_指向P+的内建场;成功的将硼杂质激活,且结深小于0.1μm,形成了P+/P-型光敏区自建电场,满足BE背端处理的要求.     

低导通压降MOS控制晶闸管的研制

基于6英寸(1英寸≈2.54 cm)半导体工艺平台研制了一款低导通压降的MOS控制晶闸管(MCT)。通过对MCT正向阻断状态和导通状态的理论分析，阐述p基区结构参数影响正向阻断特性和导通特性的机理。采用Silvaco TCAD软件建立静态特性模型并进行p基区结构参数仿真设计，得到最优掺杂浓度和厚度。结合仿真结果指导工艺参数优化制备MCT芯片，并对封装后器件性能进行了测试。测试结果表明，优化后器件正向阻断电压超过1 600 V,脉冲峰值阳极电流为3 640 A,导通压降在满足2.0 V设计值的基础上降低至1.7 V,正向阻断特性和导通特性均得到提高。