金铝键合寿命评价方法研究

由于金属间化合物的生成,会使金铝键合的接触电性能受到影响.从金属间化合物生成这一单一失效机理出发,以失效物理为理论基础,通过恒定高温加速和高温步进加速试验,针对不同温度下的金铝键合寿命做出评价,并给出键合寿命评价流程.     

关于全面提高物理实验教学质量的探索

介绍了株洲工学院物理实验室近几年来为适应科学技术的飞速发展及社会对人才需求的更高要求 ,从研究新方法、开发新仪器、开设新实验等方面出发 ,改革传统的物理实验教学 ,全面提高物理实验教学质量的实践     

十一线直流电位差计的研制

介绍一种十一线直流电位差计的设计与制作,这种电位差计克服了板式电位差计的不足,且有结构简单、体积小、外型美观、测量精确度高等特点。     

螺线管磁场测量仪的研制

介绍一种新型螺线管磁场测量仪 ,利用集成霍耳传感器测磁场 ,消除了热磁效应的影响 ,仪器结构合理、外型美观、集成化程度高、操作方便、测量结果精确度高     

一种磁场描绘仪

采用透明坐标平台和皮带带动探测线圈旋转,设计了一种结构简单合理,操作使用方便的磁场描绘仪,可提高实验结果精确度。     

导电胶的粘接可靠性研究进展

导电胶的粘接可靠性是制约其应用的主要影响因素.综述了导电胶粘接的可靠性试验,讨论了导电胶的氧化/腐蚀、裂缝和分层、蠕变以及其它工艺缺陷等主要粘接失效机理,同时还提出了导电胶粘接可靠性评价中存在的主要问题,讨论了其粘接可靠性的定量评价.     

混合微电路用导电胶粘接特性的研究

导电胶的粘接可靠性是制约其应用的主要影响因素．针对混合微电路用导电胶粘接的主要失效模式。设计了相应的测试结构和可靠性评价试验，研究了导电胶粘接的机械性能和电性能的退化机制。结果表明试验用导电胶粘接具有较好的耐温变应力性能，其剪切力在3．25～5．35kg之间，结合微观形貌特征分析和理论分析，对导电胶粘接失效机理进行了深入的探讨，并提出了提高导电胶粘接特性的合理方法，最后对目前工艺枢平下的导电胶粘接可靠性进行了相应评价。     

基于温冲应力环境的Au-Al键合可靠性

为了适应半导体器件的高可靠要求,对Au-Al键合抗温变应力性能进行了考核。试验结果表明,Au—Al键合具有较好的抗热疲劳性能,键合界面处无裂纹产生,且机械性能良好。然而试验中的高温应力导致金铝间形成了电阻率较高的化合物Au5Al2,引起键合失效。并对目前工艺水平下的Au-Al键台可靠性进行了评价,预测了键合寿命。     

基于温冲环境的Au—Al键合特性研究

设计了Au-Al键合点的温度冲击试验,分析了键合点的力学特性、结构形貌及电学性能.结果表明Au-Al键合界面无裂纹产生,且机械性能良好,键合拉力在3.0～12.0g之间;高温导致Au-Al间形成了电阻率较高的化合物Au5Al2;最终引起键合电失效.对目前工艺水平下的Au-Al键合可靠性进行了评价,发现其寿命分布服从威布尔分布规律.用图估法估算取置信度为95%时,特征寿命η为 547h,形状参数m为3.83.基于器件可靠性评价规律预测出了该工艺条件下制备的Au-Al键合寿命,取可靠度为90%时,试验样品在常温25℃时的寿命为1.8×105h,约20年.     

薄膜厚度对Al掺杂ZnO薄膜性能的影响

采用直流磁控溅射技术,以氧化锌铝陶瓷靶为靶材,在玻璃衬底上制备了ZnO：Al（ZAO）薄膜样品。在其他参数不变的情况下,由不同溅射时间得到了不同厚度的薄膜,研究了薄膜的结构性质、电学和光学性质随薄膜厚度的变化关系。实验结果表明：在薄膜厚度为500 nm时,ZAO薄膜具有最优化的光电性能,电阻率为1.68×10-3Ω.cm,可见光区平均透射率为90.3%。